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一种电池组件及光伏系统
本发明适用于光伏技术领域,提供了一种电池组件及光伏系统,该电池组件包括:前胶膜、后胶膜和电池串;电池串包括若干电池片沿第一方向交叠排布,电池片包括相对的第一边沿和第二边沿,一片电池片的第一边沿的背光面与相邻电池片的第二边沿的向光面搭接;后胶...
一种光伏组件
本申请涉及光伏电池技术领域,尤其涉及一种光伏组件。光伏组件包括玻璃盖板,玻璃盖板包括玻璃本体,沿玻璃盖板的厚度方向,玻璃本体具有相对设置的第一表面和第二表面,第一表面为远离电池组的一面。第一表面设置有多个均匀分布的凹陷部,且位于边缘位置的凹...
光伏组件及光伏组件的制备方法
本申请公开了一种光伏组件及光伏组件的制备方法,属于光伏技术领域。包括多个沿第一方向依次排布的电池串,每一个电池串包括沿第二方向依次排布的多个电池片,电池片的背面设置有沿第一方向延伸且沿第二方向交替间隔排布的多条第一集电栅线和多条第二集电栅线...
光伏组件复合膜及其制备方法、光伏组件
本发明提供了一种光伏组件复合膜及其制备方法、光伏组件。该光伏组件复合膜包括基材和位于基材两侧表面的涂覆层,且位于其中一个涂覆层的与基材相对的一面设置有粘接层;涂覆层的材料包括:树脂、着色颜料、分散助剂、固化剂和催化剂;涂覆层全部为白色涂层或...
跳线结构及光伏组件
本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种跳线结构及光伏组件。该跳线结构包括第一跳线。其中,第一跳线包括第一连接部、第二连接部和第三连接部,第一连接部的一端与第二连接部的一端连接并在连接处拱起形成第三连接部,第三连接部的端部弯折形成弯折部,弯折部...
复合导电间隙膜、光伏组件及制备方法
本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种复合导电间隙膜、光伏组件及制备方法。该复合导电间隙膜包括间隙膜本体和导电模块,导电模块与间隙膜本体复合连接;间隙膜本体被配置为反射光线,导电模块被配置为与电池串的片间焊带并联。间隙膜本体能够反射入射至电池...
一种光伏组件封装膜及其制备方法和光伏组件
本发明涉及一种光伏组件封装膜及其制备方法和光伏组件,所述光伏组件封装膜包括依次层叠设置的基膜层、彩色网格层和透明油墨层。本发明通过在基膜层上设置彩色网格层和透明油墨层制成光伏组件封装膜,能降低光伏组件封装膜的热收缩率,从而降低光伏组件封装层...
光伏组件及其制备方法
本申请公开了一种光伏组件及其制备方法,光伏组件包括:多个串联和/或并列的电池串,电池串包括互联件和若干电池片;电池片的第一面包括沿第一方向依次分布的若干导电区域,导电区域沿第二方向延伸;相邻同极性的导电区域相对设置的第一边界和第二边界,沿第...
一种焊带获取方法及太阳能电池片的焊接方法
本申请涉及一种焊带获取方法及太阳能电池片的焊接方法,包括如下步骤:获取焊接装置的有效焊接参数;获取焊带的有效几何参数;基于有效焊接参数及有效几何参数,获取焊带适配的屈服强度范围;基于屈服强度范围,选取与焊接装置适配的焊带。上述焊带获取方法及...
光伏电池串和光伏组件
本发明提供了一种光伏电池串和光伏组件,涉及光伏电池串制造技术领域。包括至少两个光伏电池片,每个所述光伏电池片的第一表面均设有交替排布的第一类电极和第二类电极;导电互连件,用于将相邻的光伏电池片连接;功能性隔离层,设于导电互连件跨越的异性电极...
一种电池串、光伏组件及连接带打断长度的设计方法
本申请涉及光伏组件加工技术领域,特别是涉及一种电池串、光伏组件及连接带打断长度的设计方法。一种电池串包括沿第一方向间隔设置的第一电池片、第二电池片,所述第一方向为所述第一电池片和/或所述第二电池片的宽度方向;连接带连接于所述第一电池片的正极...
一种太阳能电池片及光伏组件
本申请涉及光伏技术领域,特别是一种太阳能电池片及光伏组件。太阳能电池片包括基底,基底设置有细栅、主栅和连接点。细栅沿第一方向和第二方向间隔分布,连接点沿第一方向位于相邻两个细栅之间,以连接相邻的细栅。主栅沿第一方向位于至少部分相邻两个细栅之...
一种位置敏感的Te纳米线光电探测器及其制备方法和应用
本发明公开了一种位置敏感的Te纳米线光电探测器及其制备方法和应用,属于光电探测与神经形态计算技术领域;本发明公开了悬空的Te纳米线以最小化基底寄生干扰以提高光生载流子收集效率,又能实现快速热隔离以精确控制温度梯度实现了零偏值下的1310‑1...
一种高功率波导集成光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种高功率波导集成光电探测器,包括SOI衬底、波导层、波导层底部电极区、Ge吸收区、顶部电极层、介质保护层、底部金属电极和底部金属电极,波导层包括端面入射波导I、端面入射波导II、边入射波导、分光器件I、分光器件II、凹槽I和凹...
一种激子极化激元非平衡态光电探测器及其制备方法
本发明涉及光电器件技术领域,具体涉及一种激子极化激元非平衡态光电探测器及制备方法,包括依次层叠设置的基底、金属底电极层、二维激子半导体材料层和顶部透明氧化铟锡(ITO)电极层,形成开放腔式强光–物质耦合结构。二维激子半导体材料具有较大的激子...
碲掺杂氮化铝薄膜及其制备方法和应用
本发明提供了碲掺杂氮化铝薄膜及其制备方法和应用,属于半导体材料。本发明的碲掺杂氮化铝薄膜由第一氮化铝层、碲掺杂的氮化铝层和第二氮化铝层依次堆叠而成三明治结构。其制备方法采用射频溅射氮化铝靶材与直流溅射碲靶材进行共溅射实现氮化铝薄膜掺杂,并且...
光电探测器及其制备方法
本申请提供了一种光电探测器及其制备方法;其中,光电探测器包括:沿第一方向依次层叠设置的衬底、埋氧层、硅波导层、外延层和锗波导层;外延层包括沿第二方向依次排布的第一区域、第二区域和第三区域,锗波导层覆盖在部分所述第一区域、所述第二区域和部分第...
一种日盲紫外探测器及其制作方法
本发明涉及一种日盲紫外探测器及其制作方法。所述日盲紫外探测器依次包括背电极、P型碳化硅衬底、第一隧穿氧化层、i型宽禁带材料层、第二隧穿氧化层、N型氧化镓层和面电极。P型碳化硅衬底、i型宽禁带材料层和N型氧化镓层构成pin异质结,能够将电子和...
低噪声近红外单光子雪崩探测器及其制备方法
本发明公开了一种低噪声近红外单光子雪崩探测器及其制备方法,包括n型InP衬底以及在n型InP衬底的正表面由下至上依次生长的InP缓冲层、GaAs0.51Sb0.49吸收层、InaGa1‑aAsbSb1‑b能带渐变层、内含铟量子点阵列的复合电...
一种红外双极性线偏振光电探测器及制备方法
本申请公开了一种红外双极性线偏振光电探测器及制备方法,其红外双极性线偏振光电探测器,通过将双极性材料石墨烯作为沟道材料,在其上面依次堆垛二维N型半导体材料二硫化钼MoS2和各向异性窄带隙二维材料黑磷BP,利用底栅调控石墨烯的极性,实现了能够...
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