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最新专利技术
  • MOSFET器件
    MOSFET器件_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202610167888.0
    本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种MOSFET器件，其包括半导体衬底和栅极；所述半导体衬底包括有源区；所述栅极位于所述半导体衬底的一侧，所述栅极包括第一条状子栅、第二条状子栅和栅块，所述第一条状子栅的一端与所述第二条状子栅连接形成拐角，...
    2026-05-11
  • 一种基于氮化铝钪，氮化铝，氮化铝钪多层结构的铁电薄膜晶体管及其制备方法
    一种基于氮化铝钪，氮化铝，氮化铝钪多层结构的铁电薄膜晶体管及其制备方法_深圳市华芯邦科技有限公司_202610438707.3
    本发明公开一种基于氮化铝钪，氮化铝，氮化铝钪多层结构的铁电薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体器件与铁电存储器领域。该基于氮化铝钪，氮化铝，氮化铝钪多层结构的铁电薄膜晶体管，包括多层铁电栅堆栈结构和与所述多层铁电栅堆栈结构相配合的沟道层，所述...
    2026-05-11
  • 半导体晶体管及其制备方法、芯片和电子设备
    半导体晶体管及其制备方法、芯片和电子设备_北京智芯微电子科技有限公司_202511931319.0
    本申请提供了一种半导体晶体管及其制备方法、芯片和电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提升器件的耐压能力，降低击穿风险。该半导体晶体管包括衬底、漂移层、源极、漏极、第一场板和第二场板，漂移层设置于衬底上，漂移层包括远离衬底一侧的第一表面，以及设...
    2026-05-11
  • 一种抗辐射横向集成功率半导体器件
    一种抗辐射横向集成功率半导体器件_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610184539.X
    本发明提供了一种抗辐射横向集成功率半导体器件，包括：P型衬底、N型外延区和第一N型掺杂区，第二N型掺杂区、第三N型掺杂区、第四N型掺杂区、第一P型掺杂区和第二P型掺杂区；第一介质层和第二介质层，所述第一介质层设于器件的有源区表面，所述第二介...
    2026-05-11
  • 屏蔽栅沟槽型晶体管、其制造方法及版图
    屏蔽栅沟槽型晶体管、其制造方法及版图_无锡华润华晶微电子有限公司_202411548406.3
    本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型晶体管、其制造方法及版图，在第一沟槽中形成控制栅结构，在第二沟槽中形成屏蔽栅结构，第一沟槽围绕对应的第二沟槽，在半导体衬底的延伸方向上，第一沟槽呈正六边形并且第二沟槽位于第一沟槽的中心。即，形成了正六边形的控制栅...
    2026-05-11
  • 半导体器件及电子设备
    半导体器件及电子设备_深圳平湖实验室_202610121626.0
    本公开实施例提供一种半导体器件及电子设备，涉及功率半导体器件技术领域，用于抑制辐射效应对半导体器件的影响。该半导体器件包括衬底、第一、第二外延层、两个第一阱区、掺杂结构、屏蔽层、电流扩展层、两个栅极、两个介质层、源极层、漏极层。第一、第二外...
    2026-05-11
  • 用于多功能存储和逻辑计算的双栅二维晶体管
    用于多功能存储和逻辑计算的双栅二维晶体管_贵州大学_202610090519.6
    本发明涉及半导体技术领域，公开了用于多功能存储和逻辑计算的双栅二维晶体管，包括衬底、浮栅层、隧穿层、沟道层、顶栅绝缘层、底栅电极、顶栅电极、源电极和漏电极；所述衬底为N型单抛氧化硅片，所述浮栅层为石墨烯层，所述隧穿层为六方氮化硼层，所述沟道...
    2026-05-11
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411529065.5
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括基底；嵌设于基底中且一侧表面暴露于基底表面的基底隔离层；覆盖基底隔离层的暴露面的器件衬底层，包括叠层设置于基底表面的至少两层衬底子层；隔离阱区层，隔离阱区层位于衬底...
    2026-05-11
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202511487135.X
    本发明提高半导体装置的可靠性。半导体装置具备：第1导电型的半导体层，设置于活性区域和终端区域；和沟道截断部，设置于比终端区域的外侧端部靠内侧的位置，沟道截断部具备：第1沟道截断槽部，形成为从半导体层的上表面到达内部；第1导电型的第1杂质部，...
    2026-05-11
  • 超结功率器件及制备方法
    超结功率器件及制备方法_北京智芯微电子科技有限公司_202511901252.6
    本申请公开了一种超结功率器件及制备方法，属于半导体技术领域。超结功率器件包括：衬底；外延层；超结结构，包括沿第一方向交替分布的第一外延柱和第二外延柱，第一外延柱掺杂第一离子，第二外延柱掺杂第二离子，第一离子和第二离子的掺杂类型相反；第一外延...
    2026-05-11
  • 超级结半导体器件及其制造方法
    超级结半导体器件及其制造方法_无锡商甲半导体有限公司_202610163660.4
    本发明提供一种超级结半导体器件及其制造方法；超级结半导体器件包括第一导电类型衬底和第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有第一沟槽；在第一沟槽的内壁设有第二导电类型外延层；第一沟槽中设有第一介质层；各第一沟槽的顶部同一侧的部分第二导电...
    2026-05-11
  • 一种In2Se3纤锌矿铁电半导体材料及其制备方法
    一种In2Se3纤锌矿铁电半导体材料及其制备方法_华东师范大学_202610181300.7
    本发明公开了一种In2Se3纤锌矿铁电半导体材料及其制备方法，包括：以二维范德华层状In2Se3半导体为前驱体，采用电子束辐照、激光辐照或加热方式调控二维层状In2Se3到非层状6H型或3R型In2Se3的相变，进而通过电场调控获取具有纤锌...
    2026-05-11
  • 半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置
    半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置_住友化学株式会社_202511380617.5
    得到具有包括n型层和p型层的PN接合构造或包括i型层和p型层的PI接合构造的高品质的半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法及氢化物气相生长装置。具备：衬底基板；PN接合构造或PI接合构造，PN接合构造具有衬底基板上的由包含n型杂质的III族氮...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202512010556.X
    本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，应用于半导体技术领域。在本申请中，通过在氧化物层和高k介质层之间形成复合缓冲层，所述复合缓冲层为第一缓冲层和第二缓冲层交替生长形成的周期性结构，以在所述氧化物层和所述高k介质层之间形成化学键合优化，减...
    2026-05-11
  • 减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法
    减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610139319.5
    本发明公开了一种减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法，包括：步骤一、提供形成有侧面形成有LK膜层栅极结构的半导体衬底。步骤二、进行原子层沉积工艺形成由第一氮化硅层组成硬质掩膜层。原子层沉积工艺不采用等离子体和氢气并通过增加成膜温度来调节...
    2026-05-11
  • 半导体元件及其形成方法
    半导体元件及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202610182300.9
    一半导体元件的形成方法包含 : 利用图案化光阻层对栅极堆叠进行图案化，其中栅极堆叠包含导电层、位于导电层上的金属层以及位于金属层上方的硬遮罩层；以及利用含氮气体去除图案化光阻层，其中在去除图案化光阻层的过程中，在栅极堆叠的金属层上形成衬垫。...
    2026-05-11
  • 改善金属栅工艺中高阻区可靠性的结构和方法
    改善金属栅工艺中高阻区可靠性的结构和方法_上海华力集成电路制造有限公司_202610121105.5
    本发明公开了一种改善金属栅工艺中高阻区可靠性的结构，高电阻形成于形成有金属栅的浅沟槽隔离的顶部。高电阻和邻近的伪有源区之间具有第一横向间距，第一横向间距用于调节伪有源区的图形密度并使浅沟槽隔离的高度和均匀性满足要求。层间膜具有第一厚度且第一...
    2026-05-11
  • 利用人工周期性势场调控能带结构的量子器件及制作方法
    利用人工周期性势场调控能带结构的量子器件及制作方法_上海科技大学_202411486048.8
    本发明公开了一种利用人工周期性势场调控能带结构的量子器件及制作方法，属于半导体技术和量子物理领域。所述量子器件包括：衬底；氧化层，设置在所述衬底上，且所述氧化层表面具有阵列分布的微结构；第一介电层，设置在所述氧化层上；量子材料层，设置在所述...
    2026-05-11
  • 利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC开关模块
    利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC开关模块_北一半导体科技(广东)有限公司_202610103143.8
    本发明涉及利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC功率开关模块，提供一种利用辅助基板的大功率SIC MOSFET SSC功率开关模块的结构，其增大了SSC功率开关模块传输大电流的图案，同时提供高效的散热特性，并通过应用与SSC基板绝...
    2026-05-11
  • 半导体元件堆叠结构
    半导体元件堆叠结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202411651905.5
    本发明公开一种半导体元件堆叠结构，包括堆叠排列的多个第一半导体元件结构。每个第一半导体元件结构包括基底、多个半导体元件、重布线层、第一基底穿孔与多个第二基底穿孔。基底包括正面与背面。多个半导体元件位于基底的正面上。重布线层位于基底的背面上。...
    2026-05-11
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