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  • 本申请适用于光伏技术领域,提供了一种电池组件及光伏系统,包括多个电池串,多个所述电池串在第一方向上依次排列,多个所述电池串在所述第一方向上的设置宽度为第一宽度,每个所述电池串包括沿第二方向依次排列的多个电池片,每个所述电池片具有第一厚度,本...
  • 本申请涉及一种光伏组件、光伏组件的制造方法和光伏组件的制造设备。光伏组件包括多个电池串,电池串包括沿第一方向布设的多个电池片;多个电池片包括第一电池片和第二电池片;第一电池片具有相对设置的第一直角边和倒角边;第二电池片具有相对设置的两个第二...
  • 一种电池单元和加工设备,涉及电池领域,电池单元包括多个背接触电池串和汇流组件,多个背接触电池串在第一方向上排布,每个背接触电池串具有电池片和沿第一方向延伸的焊带,焊带具有主体段和连接段,主体段设置在电池片上,连接段与主体段连接,汇流组件包括...
  • 本发明涉及一种防阴影遮挡的太阳能光伏组件及其成型工艺,属于光伏技术领域,包括光伏架、背板、玻璃层和两个对称设置的供电机构,供电机构包括并联的第一光伏单元和第二光伏单元,各光伏单元由多个电池片组串联构成,背板上设有与电池片组对应的中间汇流带,...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种光伏组件,包括:多个沿第一方向排布的电池串,每个电池串包括:多个沿第二方向排布的电池片,相邻两个电池片电性连接,位于电池串沿第二方向端部的电池片为边缘电池片,边缘电池片包括第一掺杂区及第二掺杂区;绝缘层,绝缘层覆...
  • 本申请涉及一种光伏组件、制造工艺及制造设备。该光伏组件电池片的隐裂风险较低,产品质量好,而且工艺流程简化、制造成本较低。这种光伏组件,包括:电池片和汇流条,电池片的电极设置于电池片的背面;汇流条位于电池片的背面,在光伏组件的厚度方向上,汇流...
  • 本发明属于微纳光学和光电探测技术领域,具体公开了一种基于Te超表面同质集成的Te基光电探测器及其制备方法,包括衬底、Te薄膜光电感应层、金属源电极、金属漏电极和作为局域光处理层的Te超表面层。本发明以Te超表面增加Te薄膜光感应层对C波段的...
  • 一种碳基范德华异质结光电突触器件,包括光吸收基底层、界面功能层、电荷传输层和电极结构;光吸收基底层用于吸收日盲紫外波段光子并产生光生载流;界面功能层用于通过界面缺陷能级俘获来自光吸收基底层的光生载流子,并通过静电场调控电荷传输层的电导率;电...
  • 本发明涉及光电探测器技术领域,为一种基于GaN基异质结的双功能集成光电晶体管及其制备方法,基于GaN基异质结的双功能集成光电晶体管,包括衬底层,利用外延生长法依次在衬底层上生长缓冲层、GaN势垒层、AlN反射层、AlGaN势垒层、GaN帽层...
  • 本发明名称为一种动态可调的范德华异质结脉冲型事件探测器,属于事件探测器技术领域。所要解决的技术问题为现有传感器对时间响应和脉冲特性的调控能力有限的技术问题,技术方案要点为:包括从下至上依次设置的衬底层、电极结构、二维材料异质结层;电极结构,...
  • 本发明公开了一种图像传感器隔离结构的形成方法及图像传感器,该方法包含:步骤S1,提供一衬底,在所述衬底内形成一毯式N阱层;步骤S2,在所述毯式N阱层上沿同一平面布置像素区、保护环区、外围区,所述保护环区环绕设置在所述像素区外,所述外围区环绕...
  • 本发明涉及一种光电传感元件、光电传感阵列及制备方法,光电传感元件包括衬底、晶体管模块以及光电探测模块,晶体管模块包括栅极、第一介电层、有源层、第一源极与第一漏极、第一钝化层;光电探测模块自下而上依次设置有第二介电层、第二源极与第二漏极、第二...
  • 本发明提供一种孪生自校准光电概率比特电路单元及其制备和使用方法,该电路单元包括自校准光电差分模块、电压比较器和参考电压源,自校准光电差分模块为一对空间紧耦合的光电氧化铟镓锌IGZO薄膜晶体管,通过紫外光刻工艺和射频磁控溅射工艺同时对器件进行...
  • 本公开涉及具有用于增强蓝光检测的光学结构的半导体器件。公开了一种半导体器件。该半导体器件包括多个图像像素。每个图像像素包括半导体区和单光子雪崩二极管,该单光子雪崩二极管形成在该半导体区中。每个图像像素还包括光学结构,该光学结构设置在该半导体...
  • 本发明属于光电技术领域,公开了一种级联倍增线性模式硅APD阵列芯片及其制备方法,该级联倍增线性模式硅APD阵列芯片包括衬底层以及呈阵列布设于衬底层上的若干像元结构单元;衬底层材料为P型掺杂磷化镓;像元结构单元包括自下而上依次设置的p+缓冲层...
  • 本申请的实施例公开了一种芯片及芯片的制造方法。芯片包括光波导,上述方法包括:提供待刻蚀层;在所述待刻蚀层上形成掩膜层;形成光阻图案,所述光阻图案包括顶面和侧壁;在所述光阻图案的侧壁上形成吸附物;以附着有吸附物的光阻图案为遮罩,刻蚀所述掩膜层...
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其是指一种光耦高压隔离器的制造方法及光耦高压隔离器,包括:提供预设厚度的第一玻璃基板,在其相对两表面分别制作第一电路布线及第一焊垫;将光发射元件及第一功能芯片固晶贴装于其第一表面(发射端),将第二功能芯片固晶贴装...
  • 本发明属于光电器件领域,具体公开了一种TCO薄膜及其制备工艺,所述制备工艺包括:基底预处理后沉积TCO层,得到中间产物,三阶段退火处理中间产物,第一阶段于氢气‑氩气混合气氛下退火;第二阶段于金属离子蒸汽环境下退火;第三阶段于真空氛围下退火;...
  • 本发明公开了一种划片装置、划片方法及钝化设备。该划片装置包括转动座和多个划片机构,所述转动座设有放置部,所述放置部适用于放置工件。所述多个划片机构沿所述转动座的周向间隔设置,所述放置部能够在多个所述划片机构之间转动。多个划片机构沿转动座的周...
  • 本发明公开了一种太阳能电池金属电极的制备方法及太阳能电池,涉及太阳能电池技术领域。该方法包括:提供电池基体,所述电池基体包括沉积区域,所述沉积区域的表面为硅表面;采用含有氟的镀层沉积溶液在所述沉积区域的表面形成Si‑F键以及沉积种子层;在所...
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