Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种电池组件及光伏系统
    一种电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511925387.6
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种电池组件及光伏系统，该电池组件包括：前胶膜、后胶膜和电池串；电池串包括若干电池片沿第一方向交叠排布，电池片包括相对的第一边沿和第二边沿，一片电池片的第一边沿的背光面与相邻电池片的第二边沿的向光面搭接；后胶...
    2026-04-21
  • 一种电池组件及光伏系统
    一种电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511923990.0
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种电池组件及光伏系统，该电池组件包括：前胶膜、背胶膜和电池串；电池串包括若干电池片沿第一方向交叠排布，电池片包括相对的第一边沿和第二边沿；电池片的背光面的第一边沿处设置第一倒角，第一倒角自电池片的背光面向电...
    2026-04-21
  • 一种堆叠式卫星太阳翼太阳电池集成阵
    一种堆叠式卫星太阳翼太阳电池集成阵_中电科蓝天科技股份有限公司_202511855094.5
    本发明公开了一种堆叠式卫星太阳翼太阳电池集成阵，至少包括M个两两连接的柔性太阳电池板组合对，M为不小于1的自然数；其中，每个组合对包括两块柔性太阳电池板；两块柔性太阳电池板基板外形尺寸相同；两块柔性太阳电池板整翼收拢后呈“面对面”的工作关系...
    2026-04-21
  • 背接触太阳电池及光伏组件
    背接触太阳电池及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202610285499.8
    本申请提供了一种背接触太阳电池及光伏组件，其中背接触太阳电池包括硅衬底，硅衬底的背面包括交替设置的第一区域和第二区域，第一区域和第二区域的导电类型不同；硅衬底的背面与侧面的交界处具有第一绒面区域；硅衬底的正面与侧面的交界处具有第二绒面区域；...
    2026-04-21
  • 一种锗基抗辐照三结太阳电池
    一种锗基抗辐照三结太阳电池_中电科蓝天科技股份有限公司_202511770985.0
    本发明公开了一种锗基抗辐照三结太阳电池，其特征在于从下至上依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、(AlGa)1‑aInaAs/Ga1‑aInaAs周期结构晶格渐变缓冲层、(AlGa)1‑bInbAs/Ga1‑b...
    2026-04-21
  • 一种快检块的双向防静电膜层结构、阵列基板及显示装置
    一种快检块的双向防静电膜层结构、阵列基板及显示装置_信利半导体有限公司_202511733724.1
    本发明公开了一种快检块的双向防静电膜层结构、阵列基板及显示装置，结构包括第一静电端、第二静电端、静电释放模块；多个薄膜晶体管中的首个的栅极层与漏极层叠放在一起电连接，形成第一叠层结构，多个薄膜晶体管的最后一个的栅极层与漏极层叠放在一起电连接...
    2026-04-21
  • 一种防护电路及电子组件
    一种防护电路及电子组件_北京小米移动软件有限公司_202411390053.9
    本公开提供一种防护电路及电子组件。所述防护电路包括：多个连接端，所述连接端用于接收电气信号；与所述多个连接端一一对应的多个第一单向导通元件，每个第一单向导通元件的输入端与对应的连接端相连，所述第一单向导通元件具有内阻，并用于单向导通输入端至...
    2026-04-21
  • 制造集成电路器件的方法和系统以及非瞬时性计算机可读介质
    制造集成电路器件的方法和系统以及非瞬时性计算机可读介质_台湾积体电路制造股份有限公司_202511878658.7
    本发明的实施例提供了一种生成集成电路(IC)器件的布局图的方法包括：接收所述IC器件的布局图，所述IC布局图包括具有跨越有源区的第一宽度的栅极区域以及沿所述第一宽度位于第一位置处的第一栅极通孔；构建栅极电阻紧凑网络，该紧凑网络包括由所述布局...
    2026-04-21
  • SiC基集成电路及半导体器件
    SiC基集成电路及半导体器件_中国科学院微电子研究所_202511777745.3
    本申请实施例提供一种SiC基集成电路及半导体器件。其中，该SiC基集成电路包括SiC基的互补型金属氧化物半导体晶体管，该互补型金属氧化物半导体晶体管的栅长大于预设基准长度，预设基准长度为满足电路速度‑面积折衷的初始栅长。本申请通过增大PMO...
    2026-04-21
  • 半导体器件及其布局平面图的生成方法
    半导体器件及其布局平面图的生成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413130.2
    本申请的实施例公开了半导体器件及其布局平面图的生成方法。一种实施例半导体器件包括第一电路单元和在其与第二电路单元之间的单元边界处与第一电路单元邻接的第二电路单元。第一电路单元包括第一金属化层的第一金属化线区中的第一一个或多个导电线，并包括第...
    2026-04-21
  • 旨在被粘接到基板上的具有局部图案化的周边区域的电子芯片
    旨在被粘接到基板上的具有局部图案化的周边区域的电子芯片_意法半导体国际公司_202511436647.3
    本公开涉及旨在被粘接到基板上的具有局部图案化的周边区域的电子芯片。一种电子芯片包括第一主表面、第二主表面和侧表面，所述第一主表面旨在被粘接到基板。第二主表面包括中央区域和局部图案化的周边区域。局部图案化的周边区域从中央区域起依次形成具有第一...
    2026-04-21
  • 阵列基板及其制作方法、显示面板
    阵列基板及其制作方法、显示面板_深圳市华星光电半导体显示技术有限公司_202512060693.4
    本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，属于显示技术领域，其目的是至少缓解相关技术中阵列基板制作成本较高的技术问题。阵列基板包括衬底以及位于衬底上的第一晶体管、第二晶体管和第一绝缘层。第一晶体管包括第一漏极、第一有源层和第一源极；第...
    2026-04-21
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
    阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202511924821.9
    本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，属于显示技术领域，阵列基板通过将第一有源结构也设置成包括氧化物半导体，通过在第一有源结构靠近衬底的一侧设置第一底栅以及在第二有源结构靠近衬底的一侧设置第二底栅，并通过将第一底栅和第二...
    2026-04-21
  • 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
    显示面板、显示面板的制作方法及显示装置_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202511884688.9
    本申请提供了一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置，该显示面板包括衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层，通过使缓冲层和所述栅极绝缘层中的至少一者具有由两层相同材料叠设而成的叠层结构，叠层结构中靠近有源层的膜层相较于远离有源层的膜层中...
    2026-04-21
  • 阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板
    阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202512035926.5
    本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板，包括：层叠设置于所述衬底一侧的第一有源层、多层导电层和第二有源层，所述第一有源层与所述衬底相邻，所述第一有源层、所述多层导电层和所述第二有源层构成有至少一个像素电路，所述像素电路包括...
    2026-04-21
  • 阵列基板、显示面板及显示装置
    阵列基板、显示面板及显示装置_广州华星光电印刷显示技术有限公司_202511960925.5
    本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板的有源层包括沟道区和位于沟道区相对两侧的源极连接区和漏极连接区，源极与源极连接区连接，漏极与漏极连接区连接，其中，有源层设置有至少一通孔，通孔在衬底上的正投影至少部分位于沟道区在衬底上...
    2026-04-21
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_上海中航光电子有限公司_202511905797.4
    本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，包括第一基板和第二基板，第一基板与第二基板相对设置；显示面板包括显示区和位于显示区至少一侧的第一非显示区，第一非显示区包括栅极驱动电路，栅极驱动电路设置在第一基板中；第一基板包括第一衬底与屏蔽层，屏蔽...
    2026-04-21
  • 绝缘衬上硅射频开关器件及射频模组
    绝缘衬上硅射频开关器件及射频模组_深圳飞骧科技股份有限公司_202610278730.0
    本发明提供了一种绝缘衬上硅射频开关器件及射频模组，所述绝缘衬上硅射频开关器件由堆叠单元依次串联实现，一个堆叠单元包括两个多指单元，多指单元为T型的叉指结构，多指单元由有源层、多晶硅层、第一金属层和第二金属层自底向上叠层形成，其中叉指结构形成...
    2026-04-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511888940.3
    本申请的实施例公开了一种半导体结构及其形成方法。方法包括：提供结构，该结构包括底部源极/漏极部件、布置于底部源极/漏极部件上方的底部层间介电(ILD)层、布置于底部ILD层和底部源极/漏极部件上方的顶部源极/漏极部件、以及布置于顶部源极/漏...
    2026-04-21
  • 一种碳化硅CMOS器件及其版图绘制方法
    一种碳化硅CMOS器件及其版图绘制方法_中国科学院半导体研究所_202511822626.5
    本申请提供一种碳化硅CMOS器件及其版图绘制方法，涉及微电子器件设计与制造技术领域。该碳化硅CMOS器件包括：依次连接的衬底、N型缓冲层和P型外延层；分别位于P型外延层表面的多个N型阱区；分别位于P型外延层中的多个N型重掺杂隔离区；多个N型...
    2026-04-21
首页 上一页 15 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证