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最新专利技术
  • 一种柔性分布式布拉格反射镜的制备方法
    一种柔性分布式布拉格反射镜的制备方法_中国科学院微电子研究所_202411547983.0
    本发明公开一种柔性分布式布拉格反射镜的制备方法，涉及薄膜制备技术领域，以解决现有技术中分布式布拉格反射镜反射率性能不佳的问题。方法包括：在反应腔内放置衬底，衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯；采用原子层沉积法，以三甲基铝和水作为前驱体，在衬底上形成...
    2026-05-08
  • 源瓶装置、半导体工艺系统和工艺方法
    源瓶装置、半导体工艺系统和工艺方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411515240.5
    本申请公开了一种源瓶装置、半导体工艺系统和工艺方法，该源瓶装置的输入/输出管路设置有伸缩套管和加热器。伸缩套管包括：第一管体，其至少部分管体位于瓶体外，能够通过加热器进行加热；第二管体，与第一管体轴向连通，第二管体的至少部分管体可伸入第一管...
    2026-05-08
  • 一种低温高致密性掩膜及其制备方法
    一种低温高致密性掩膜及其制备方法_启元实验室_202512032129.1
    本申请公开一种低温高致密性掩膜及其制备方法，制备方法包括：采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术在衬底表面制备第一氧化硅薄膜；采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术在第一氧化硅薄膜表面制备第二氧化硅薄膜；在第二氧化硅薄膜上进行涂覆光刻胶、曝光、...
    2026-05-08
  • 一种光学微腔的制备方法
    一种光学微腔的制备方法_中国科学院微电子研究所_202411548245.8
    本发明公开一种光学微腔的制备方法，涉及半导体器件技术领域，以解决现有技术中无法在有机晶体上制备光学微腔的问题。方法包括：提供衬底；在所述衬底上沉积形成第一目标层数的叠层薄膜层；在所述第一目标层数的叠层薄膜层远离所述衬底一侧的表面形成有机晶体...
    2026-05-08
  • 类金刚石碳膜的处理方法
    类金刚石碳膜的处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411516387.6
    本发明的类金刚石碳膜的处理方法包括：在基材上沉积类金刚石碳膜；将所述类金刚石碳膜暴露在电离气体中；在所述类金刚石碳膜的表面形成硼化物涂层；以及对所述硼化物涂层进行热处理。该方法简单高效，能够显著提高类金刚石碳膜的电导率，同时不会影响类金刚石...
    2026-05-08
  • 一种碳化硅/金刚石多层复合膜及其制备方法
    一种碳化硅/金刚石多层复合膜及其制备方法_江苏超芯星半导体有限公司_202610071219.3
    本发明提供了一种碳化硅/金刚石多层复合膜及其制备方法，多层复合膜中多晶碳化硅基体为底层，具有高强度、高刚度、高导热及抗氧化性；梯度SiC‑C过渡层，成分由纯SiC渐变至富C‑SiC，再至类金刚石碳，用于缓释热应力、增强结合力；纳米晶金刚石为...
    2026-05-08
  • 一种提高柱塞泵柱塞耐磨性能的表面处理方法
    一种提高柱塞泵柱塞耐磨性能的表面处理方法_宝鸡市金心泵业制造有限责任公司_202610418611.0
    本发明公开了一种提高柱塞泵柱塞耐磨性能的表面处理方法，涉及金属表面处理领域，该方法依次进行基体前处理与活化预热、真空脉冲离子渗氮、金属蒸汽真空弧离子注入、梯度过渡层沉积、硅掺杂类金刚石涂层构建及真空应力平滑与冷却步骤，通过多工艺协同构建深层...
    2026-05-08
  • 一种等离子体转动式大面积多晶MPCVD金刚石生长方法
    一种等离子体转动式大面积多晶MPCVD金刚石生长方法_宁波晶钻科技股份有限公司_202610168051.8
    本申请公开了一种等离子体转动式大面积多晶MPCVD金刚石生长方法，涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域，该方法包括S1、通过微波馈入器设置反应器中金刚石生长的环境参数，采样反应器中等离子体状态数据，若所述等离子体稳定启辉则执行S2；S2、结...
    2026-05-08
  • 一种高性能硅碳复合物负极材料制备装置与方法
    一种高性能硅碳复合物负极材料制备装置与方法_上海交通大学_202411517719.2
    本发明涉及一种高性能硅碳复合物负极材料制备装置与方法，该制备装置包括：布风室；位于所述布风室上方并具有呈圆台形的反应腔室的反应段；以及依次位于所述反应段上方的放大段与除尘器。与现有技术相比，本发明可以实现碳基底粉体均匀流化并能有效避免粉体夹...
    2026-05-08
  • 一种塑料表面镀膜方法
    一种塑料表面镀膜方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411516392.7
    本发明公开了一种塑料表面镀膜方法，包括：将聚氨酯类单体加热至预设温度，使所述聚氨酯类单体变为气态；在塑料基材的表面上沉积DLC膜，并将气态的聚氨酯类单体与所述DLC膜相掺杂，以在所述塑料基材的表面上形成保护膜。采用本发明的技术方案通过在塑料...
    2026-05-08
  • 一种具有可变形基底的DLC镀膜方法
    一种具有可变形基底的DLC镀膜方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411515915.6
    本发明公开了一种具有可变形基底的DLC镀膜方法，包括：将可变形基底置于真空室中，并进行清洗处理；采用离子束沉积技术，在清洗后的可变形基底的表面沉积DLC膜；对所述DLC膜的表面进行等离子氟化处理或氧化处理。采用本发明的技术方案能够将DLC膜...
    2026-05-08
  • 金属有机化学气相沉积反应室及其监测装置和方法
    金属有机化学气相沉积反应室及其监测装置和方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511859182.2
    本公开提供了一种金属有机化学气相沉积反应室及其监测装置和方法，属于半导体技术领域。所述监测装置包括监测移动平台和监测模块，所述监测模块与所述监测移动平台相连，所述监测移动平台驱动所述监测模块移动，所述监测模块在移动时对反应室内的晶圆表面进行...
    2026-05-08
  • 类金刚石碳膜的形成方法
    类金刚石碳膜的形成方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411519274.1
    本发明的类金刚石碳膜的形成方法包括：使用正极电子束对基材的表面进行打磨处理以去除表面的氧化物和污染物；在所述基材的表面沉积类金刚石碳膜，在沉积过程中持续调节反应气体的流量和沉积速率；以及对所述类金刚石碳膜进行退火处理。该方法简单高效，能够有...
    2026-05-08
  • 一种基于离子注入与梯度涂层的齿轮强化设备
    一种基于离子注入与梯度涂层的齿轮强化设备_中南大学_202610086417.7
    本发明提供了一种基于离子注入与梯度涂层的齿轮强化设备，属于齿轮生产设备技术领域，包括设备主体，所述设备主体限定有工艺腔室；工件平台，偏压系统，真空系统，等离子体生成装置，磁控溅射系统，通过将离子注入与磁控溅射镀膜功能集成于同一真空工艺腔室，...
    2026-05-08
  • 柔性薄膜制造过程中的张力控制方法和真空镀膜系统
    柔性薄膜制造过程中的张力控制方法和真空镀膜系统_深圳洪瑞微电子科技有限公司_202512012339.4
    本申请涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及一种柔性薄膜制造过程中的张力控制方法和真空镀膜系统，包括：在每个所述控制区内，通过布置于该控制区的张力辊实时检测基材的张力状态，根据该张力状态计算得到张力测量值；根据每个控制区各自对应的目标张力设定值与所...
    2026-05-08
  • 提升PVD镀膜均匀度的方法
    提升PVD镀膜均匀度的方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411537349.9
    本公开涉及一种提升PVD镀膜均匀度的方法，该方法包括：将晶圆的表面划分为至少两个不同的独立区域，在每个独立区域的表面设置独立的靶材和对应的独立的直流电源，其中，每个独立区域对应的靶材和直流电源电连接；通过控制系统对每个独立区域的沉积速率进行...
    2026-05-08
  • 一种五金装饰镀膜机仿金铜炉体用导电方法及结构
    一种五金装饰镀膜机仿金铜炉体用导电方法及结构_东莞市元素真空科技有限公司_202610169173.9
    本发明公开了一种五金装饰镀膜机仿金铜炉体用导电方法及结构，属于镀膜设备技术领域。该方法包括获取炉体参数、计算绝缘导轨安装角、构建电场‑温度场‑膜厚耦合模型、计算理论电流与预热电流、评估电场均匀性、监测支路健康度并进行自适应补偿，以及分阶段控...
    2026-05-08
  • 一种基于可调节基片架的通用型半导体真空镀膜装置
    一种基于可调节基片架的通用型半导体真空镀膜装置_武汉麦韦光学科技有限公司_202610129782.1
    本发明公开了一种基于可调节基片架的通用型半导体真空镀膜装置，属于真空镀膜设备技术领域，通过启动电机，电机带动转辊转动，转辊外部的两个倾斜导向槽同步转动，上方交替托料组件和下方交替托料组件相对移动，转辊带动转盘绕支撑轴承同步转动一百八十度，转...
    2026-05-08
  • 基于磁控溅射的铜掺杂DLC薄膜制备方法
    基于磁控溅射的铜掺杂DLC薄膜制备方法_合肥铠膜新材料科技有限公司_202610434948.0
    本发明涉及基于磁控溅射的铜掺杂DLC薄膜制备方法，属于类金刚石薄膜制备技术领域，通过设计铜碳比为1：3的专用拼接靶，结合镀膜前样品相对靶材摆放位置的精准调整与DLC薄膜制备阶段乙炔通入流量的梯度控制，形成多维度协同的铜掺杂含量调控机制，可在...
    2026-05-08
  • 一种高均匀性的磁控溅射装置
    一种高均匀性的磁控溅射装置_广西机电职业技术学院_202610396402.0
    本发明涉及一种高均匀性的磁控溅射装置，包括真空腔、基片、绝缘单元和等阻设计的磁铁层、水层、靶片、接电点层、温控层与抽气单元，所述抽气单元设置在真空腔的顶部，所述磁铁层、接电点层、水层和靶片组成磁控溅射靶并通过绝缘单元连接在真空腔上，所述基片...
    2026-05-08
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