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最新专利技术
  • 一种在可见光波长具有低反射率的太阳电池及其制备工艺
    一种在可见光波长具有低反射率的太阳电池及其制备工艺_中电科蓝天科技股份有限公司_202511855092.6
    本发明公开了一种在可见光波长具有低反射率的太阳电池及其制备工艺，制备工艺中：(1)电池减反射膜为采用蒸镀工艺制备的3层结构，由电池表面开始，分别为35.5 nm的TiOx膜、44 nm 的HfO2膜和52 nm Al2O3膜；(2)在电池上...
    2026-04-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411433334.8
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括顶硅层，所述顶硅层被分隔为第一区域和第二区域，所述第一区域的顶硅层中形成有第一器件，所述第二区域的顶硅层中形成有第一开口；介质层，覆盖所述SOI衬底并填满所...
    2026-04-26
  • 一种太阳能电池背插板全自动安装装置
    一种太阳能电池背插板全自动安装装置_苏州欧索机械设备有限公司_202311771881.2
    本发明公开了一种太阳能电池背插板全自动安装装置，涉及太阳能电池板技术领域，包括机架；上料机构，设于所述机架上料端；夹取插装机构，夹取工件并将通电工装插接于电池背插上；检测机构，设于机架上，用于检测转运过程中的工装是否正位；其中，所述夹取插装...
    2026-04-26
  • 太阳能电池串传输装置及传输方法
    太阳能电池串传输装置及传输方法_卓汇新能源(苏州)有限公司_202310938338.0
    本发明公开了一种太阳能电池串传输装置及传输方法。传输装置包括载具、传输轨道及驱动机构，其中，载具可用于承载电池串，传输轨道沿第一方向延伸，载具能够沿第一方向相对运动地与传输轨道连接；驱动机构包括驱动模块，驱动模块包括驱动件，驱动模块能够沿第...
    2026-04-26
  • 光共享晶体模块、检测器及其高度解码方法、发射成像设备
    光共享晶体模块、检测器及其高度解码方法、发射成像设备_湾影科技(深圳)有限公司_202610320379.7
    本发明公开了一种光共享晶体模块、检测器及其高度解码方法、发射成像设备。光共享晶体模块包括：闪烁晶体阵列，所述闪烁晶体阵列的大小为2N×2N；其中，N为自然数；在所述闪烁晶体阵列中，除了第1行第1列、第1行第2N列、第2N行第1列、第2N行第...
    2026-04-26
  • 一种优化深沟槽刻蚀深度均一性的方法
    一种优化深沟槽刻蚀深度均一性的方法_格科微电子(上海)有限公司_202411421773.7
    本发明公开了一种优化深沟槽刻蚀深度均一性的方法，具体通过在设置有感光区的衬底表面的深沟槽的交叉区域预形成一具有曲面结构的层，然后对具有曲面结构层的交叉区域和非交叉区域同时刻蚀，进而抵消交叉区域和非交叉区域因开口尺寸不同导致的沟槽深度上的差异...
    2026-04-26
  • 一种前照式图像传感器结构及其形成方法
    一种前照式图像传感器结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411405440.5
    本申请提供一种前照式图像传感器结构及其形成方法，所述前照式图像传感器结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的第一面和第二面；所述半导体衬底的第一面形成有若干晶体管结构以及电连接所述若干晶体管结构的第一金属互连结构；所述半导体衬底的第二...
    2026-04-26
  • 超晶格红外焦平面探测器组件及其制备方法、红外探测器
    超晶格红外焦平面探测器组件及其制备方法、红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202610337523.8
    本申请提供了超晶格红外焦平面探测器组件及其制备方法、红外探测器，属于红外探测器领域；解决了目前采用点胶工艺导致芯片表面缺陷处产生填充空洞影响器件综合性能的问题；该组件包括倒焊互连的焦平面芯片端和读出电路端，焦平面芯片端阵列排布有像元，焦平面...
    2026-04-26
  • 半导体结构的制造方法、半导体结构和图像传感器
    半导体结构的制造方法、半导体结构和图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610289492.3
    本申请提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构和图像传感器，该半导体结构的制造方法包括：提供基底；其中，基底包括衬底和凸出衬底表面的牺牲结构；形成覆盖牺牲结构的表面和衬底的表面的隔离材料层；去除覆盖牺牲结构远离衬底的表面和覆盖部分衬底表面...
    2026-04-26
  • 像素单元及其制备方法、光学传感器及光学探测器
    像素单元及其制备方法、光学传感器及光学探测器_珠海楠欣半导体科技有限公司_202610066616.1
    本申请提供了一种像素单元及其制备方法、光学传感器及光学探测器，涉及半导体技术领域。像素单元包括：衬底；位于衬底上且与衬底相接触的隔离结构和光电转换区；隔离结构环绕在所述光电转换区的外周，用于将光电转换区产生的载流子限制在像素单元内部；以及电...
    2026-04-26
  • 钴铽合金修饰氮化镓纳米线异质结紫外探测器及制备方法
    钴铽合金修饰氮化镓纳米线异质结紫外探测器及制备方法_南京邮电大学_202610043912.X
    本发明公开钴铽合金修饰氮化镓纳米线异质结紫外探测器及制备方法，属于紫外光探测技术领域；探测器包括位于衬底上的氮化镓纳米线阵列，氮化镓纳米线阵列远离衬底的一端通过磁控溅射法负载有钴铽合金，并形成异质结。通过采用磁控溅射法实现钴铽合金纳米颗粒在...
    2026-04-26
  • 一种抗强日光的APD型叠层激光探测器及制造方法
    一种抗强日光的APD型叠层激光探测器及制造方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202610067614.4
    本发明涉及一种抗强日光的APD型叠层激光探测器及制造方法，属于光电探测器芯片领域。该探测器包括两个堆叠的子探测器，子探测器Ⅰ置于上方，子探测器Ⅱ置于下方；子探测器Ⅱ之上设置滤光膜Ⅰ；滤光膜Ⅰ之上设置键合层，连接子探测器Ⅰ和子探测器Ⅱ；电极Ⅱ...
    2026-04-26
  • 一种中波雪崩光电二极管及中波红外探测器
    一种中波雪崩光电二极管及中波红外探测器_北京邮电大学_202511995434.4
    本发明提供一种中波雪崩光电二极管及中波红外探测器，采用分离吸收与倍增结构，该方案通过选用带隙可调的InAs/GaSb二类超晶格作为吸收层、高电离系数的AlInAsSb作为倍增层，并精确优化各层厚度与掺杂浓度，旨在将高电场集中限制于倍增层以促...
    2026-04-26
  • 基于光栅超透镜的增强型紫外雪崩光电二极管及制备方法
    基于光栅超透镜的增强型紫外雪崩光电二极管及制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511900187.5
    本发明公开了一种基于光栅超透镜的增强型紫外雪崩光电二极管及制备方法，包括：N型SiC衬底，以及依次位于N型SiC衬底上表面的N型漂移层、P型区域、P+接触层；光栅超透镜结构，位于P+接触层上，以通过光栅超透镜结构将入射的紫外平行光聚焦于P型...
    2026-04-26
  • 一种抗强光的PIN型叠层激光探测器及制造方法
    一种抗强光的PIN型叠层激光探测器及制造方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202610067623.3
    本发明涉及一种抗强光的PIN型叠层激光探测器及制造方法，属于光电探测器芯片领域。该探测器包括两个堆叠的子探测器；其中，子探测器Ⅰ置于上方，包括P+接触区Ⅰ、i吸收区Ⅰ、N+接触区Ⅰ、增透膜、电极Ⅰ、介质层Ⅰ、电极Ⅱ；子探测器Ⅱ置于下方，包括...
    2026-04-26
  • 基于Si上外延Ge的台面型PIN光电探测器及制备方法
    基于Si上外延Ge的台面型PIN光电探测器及制备方法_知芯半导体(义乌)有限公司_202512048657.6
    本发明公开了一种基于Si上外延Ge的台面型PIN光电探测器及制备方法，涉及半导体光电器件技术领域，该探测器包括N型硅Si衬底、依次外延于其上的本征Ge层与P型重掺杂Ge层构成的台面结构、覆盖台面的钝化层以及分别与P型重掺杂Ge层和N型Si衬...
    2026-04-26
  • 带有屏蔽环的Ge on Si PIN光电探测器及制备方法
    带有屏蔽环的Ge on Si PIN光电探测器及制备方法_知芯半导体(义乌)有限公司_202512048437.3
    本发明公开了一种带有屏蔽环的Ge on Si PIN光电探测器及制备方法，涉及半导体光电器件技术领域，该探测器在N型Si衬底表层、环绕Ge台面有源区的外围，设有通过离子注入硼元素形成的P型屏蔽环。本发明通过在衬底中引入特定位置的屏蔽环，在反...
    2026-04-26
  • 一种基于Si上外延Ge的PIN光电探测器及制备方法
    一种基于Si上外延Ge的PIN光电探测器及制备方法_知芯半导体(义乌)有限公司_202511887050.0
    本发明公开了一种基于Si上外延Ge的PIN光电探测器及制备方法，涉及半导体光电器件技术领域，该探测器包括：N型Si衬底；位于N型Si衬底上表面的本征Ge外延层；位于本征Ge外延层内且靠近其上表面的P型Ge区；以及分别与P型Ge区和N型Si衬...
    2026-04-26
  • 一种基于N型锗衬底的PIN结探测器及制备方法
    一种基于N型锗衬底的PIN结探测器及制备方法_知芯半导体(义乌)有限公司_202511887045.X
    本发明公开了一种基于N型锗衬底的PIN结探测器及制备方法，涉及微电子技术领域。探测器包括：N型Ge衬底；位于N型Ge衬底上表面的本征Ge外延层；位于本征Ge外延层内且靠近其上表面的P型Ge区；以及分别位于P型Ge区上表面和N型Ge衬底下表面...
    2026-04-26
  • 一种基于N型锗衬底的PN结探测器及制备方法
    一种基于N型锗衬底的PN结探测器及制备方法_知芯半导体(义乌)有限公司_202511887051.5
    本发明公开了一种基于N型锗衬底的PN结探测器及制备方法，涉及微电子技术领域，该PN结探测器包括N型Ge衬底、形成于衬底内的P型Ge区、位于P型Ge区表面的P+欧姆接触区、位于衬底底面的N+欧姆接触区以及对应的金属电极。该探测器采用纵向PN结...
    2026-04-26
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