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最新专利技术
  • 用于提升EBAPS阴极灵敏度的结构及其EBAPS器件
    用于提升EBAPS阴极灵敏度的结构及其EBAPS器件_北方夜视技术股份有限公司_202511980108.6
    本申请公开了一种用于提升EBAPS阴极灵敏度的结构及其EBAPS器件，包括：阴极透镜、倒金字塔微纳阵列结构、填充衍射材料层、复合金属导电膜、复合金属封接膜、光电阴极；阴极透镜一侧面上设置倒金字塔微纳阵列结构；倒金字塔微纳阵列结构上设置填充衍...
    2026-05-12
  • 一种高氢制程的反应腔室及等离子体处理设备
    一种高氢制程的反应腔室及等离子体处理设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202610417258.4
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种高氢制程的反应腔室及等离子体处理设备，包括石英管、感应线圈、法拉第屏蔽笼和点火件；石英管设于处理室的顶部；法拉第屏蔽笼环设于石英管和感应线圈之间，法拉第屏蔽笼上开设有若干个贯穿其侧壁且沿轴向延伸的...
    2026-05-12
  • 一种反应腔室及晶圆处理设备
    一种反应腔室及晶圆处理设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202610417229.8
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种反应腔室及晶圆处理设备，包括石英管、陶瓷顶板、感应线圈、法拉第屏蔽笼和射频馈入电极；石英管设于处理室的顶部；陶瓷顶板设于石英管的开口部以封堵石英管；法拉第屏蔽笼环设于石英管和感应线圈之间，法拉第屏...
    2026-05-12
  • 基板处理装置及真空腔室内的电力传输方法
    基板处理装置及真空腔室内的电力传输方法_细美事有限公司_202511571982.4
    本发明提供了一种基板处理装置及真空腔室内的电力传输方法，该装置包括：至少一个传送腔室；以及传送机械手，其是在传送腔室内可线性移动的并传送基板，其中，传送机械手包括接收电力的电力接收单元，传送腔室包括：腔室基座；以及设置在腔室基座上并以无线方...
    2026-05-12
  • 一种移动环和等离子体处理装置
    一种移动环和等离子体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411535310.3
    本发明公开了一种移动环和等离子体处理装置，移动环用于等离子体处理装置中且可升降设置，移动环包括绝缘的第一环形部和导电层；第一环形部包括与反应腔内反应区域相对的第一内表面和背向反应区域的第一外表面；导电层孤立的覆盖于第一内表面上和/或设置于第...
    2026-05-12
  • 半导体处理装置及其上电极组件
    半导体处理装置及其上电极组件_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411526683.4
    一种半导体处理装置及其上电极组件，上电极组件包括安装基板和设置在安装基板下方的气体喷淋头。所述安装基板包括安装主体，所述安装主体的中心区域的厚度小于安装主体的边缘区域的厚度，能够减小受热后安装主体从中心区域到边缘区域在竖直方向的热膨胀尺寸差...
    2026-05-12
  • 升降环组件及等离子处理装置
    升降环组件及等离子处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411526563.4
    本发明公开了一种升降环组件及等离子体处理装置，所述升降环组件包括：升降环，可升降地设置在所述等离子体处理装置的反应腔内；调节模块，设置在所述反应腔的外部，用于调节所述升降环的电位，该调节模块的一端与所述升降环连接，另一端接地，本发明可调节升...
    2026-05-12
  • 半导体工艺腔室及半导体工艺设备
    半导体工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411515494.7
    本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体、介质窗以及冷却装置，介质窗设置于腔室本体的上方，冷却装置包括冷却腔室，冷却腔室设置于介质窗的上方，冷却腔室包括第一冷却腔和第二冷却腔，第一冷却腔沿...
    2026-05-12
  • 一种多方位离子注入控制方法、介质及系统
    一种多方位离子注入控制方法、介质及系统_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511932670.1
    本发明公开了一种多方位离子注入控制方法、介质及系统，方法包括步骤：S1.获取多个方位的注入参数；所述注入参数包括每个方位的注入剂量和注入角度；S2.基于当前束流强度，依次计算每个方位的注入参数，并存储各方位对应的注入参数计算结果；所述计算结...
    2026-05-12
  • 用于大束流离子注入机的磁铁及束流垂直角度控制方法
    用于大束流离子注入机的磁铁及束流垂直角度控制方法_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511908743.3
    本发明公开了一种用于大束流离子注入机的磁铁，包括磁轭和设置在磁轭上的四个线包；各线包均包括第一线圈和第二线圈；四个线包中所有第一线圈串联后连接至第一电源端子组，所有第二线圈串联后连接至第二电源端子组。本发明还公开了一种束流垂直角度控制方法，...
    2026-05-12
  • 一种适用于高能离子注入机的束流能量监测装置
    一种适用于高能离子注入机的束流能量监测装置_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511968899.0
    本发明公开了一种适用于高能离子注入机的束流能量监测装置，包括腔体、贯穿设置在腔体顶部的束流遮挡部件，以及贯穿设置在腔体内的分析光栏、高分辨率分析光栏和高分辨率能量检测法拉第；所述腔体侧部设有检测通道，所述束流遮挡部件用于控制检测通道的通断；...
    2026-05-12
  • 用于射频离子注入机的快法拉第杯探测器
    用于射频离子注入机的快法拉第杯探测器_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511945564.7
    本发明公开了一种用于射频离子注入机的快法拉第杯探测器，包括设置在离子注入机内的快法拉第杯和外部的驱动组件，快法拉第杯与驱动组件传动连接；快法拉第杯包括外壳以及设置在外壳内的前挡板、绝缘板和微带线组件，前挡板和绝缘板的中心设有束流孔洞，绝缘板...
    2026-05-12
  • 一种扫描电子显微镜物镜系统以及探测方法
    一种扫描电子显微镜物镜系统以及探测方法_北京中科智显科技有限公司_202610100740.5
    本发明提供了一种扫描电子显微镜物镜系统以及探测方法，涉及扫描电子显微镜技术领域。磁透镜装置用于聚焦入射电子束；偏转装置、消像散器、维恩分析器组以及探测装置均位于磁透镜装置内部的容纳空间内；偏转装置、消像散器和维恩分析器组沿入射电子束的光轴排...
    2026-05-12
  • 一种固体金属离子源
    一种固体金属离子源_湖南烁科中科信半导体科技有限公司_202511908675.0
    本发明公开了一种固体金属离子源，包括离子源弧室，所述离子源弧室内设有阴极帽、反射极、金属源样件套和衬套，所述阴极帽和反射极相对布置于离子源弧室内的两侧，所述阴极帽内设有灯丝，所述金属源样件套套设于阴极帽与衬套之间，所述金属源样件套的外壁与衬...
    2026-05-12
  • 一种X射线球管结构
    一种X射线球管结构_无锡市宇寿医疗器械有限公司_202610418814.X
    本发明涉及X射线球管技术领域，尤其是一种X射线球管结构。其包括管套和管芯，所述管套内设置管芯，管套内腔注满绝缘油，使得所述管芯浸没在绝缘油中；所述管芯包括管芯壳，所述管芯壳的阳极端密封连接靶盘，靶盘的散热端面中心连接阳极支撑轴一端，所述阳极...
    2026-05-12
  • 基于碳纳米管冷阴极的微型X射线源高压模块集成结构
    基于碳纳米管冷阴极的微型X射线源高压模块集成结构_中科盈德极石(杭州)科技有限公司_202610131711.5
    本发明涉及高压模块集成结构技术领域，具体地涉及基于碳纳米管冷阴极的微型X射线源高压模块集成结构，包括电压调节结构、外壳和对接端柱，外壳内安装有电压调节结构，且外壳上安装有对接端柱，对接端柱与电压调节结构电性连接；电压调节结构，用于调压处理，...
    2026-05-12
  • 一种碳纳米管冷阴极-热电联用的自供能微型X射线模块
    一种碳纳米管冷阴极-热电联用的自供能微型X射线模块_中科盈德极石(杭州)科技有限公司_202610130364.4
    本发明提供了一种碳纳米管冷阴极‑热电联用的自供能微型X射线模块，涉及X射线发生技术领域，包括X射线管单元、热电转换单元、能量管理单元及高频高压电源电路，X射线管单元上设置热电转换单元，热电转换单元连接能量管理单元，能量管理单元连接高频高压单...
    2026-05-12
  • 一种内凹式永磁结构
    一种内凹式永磁结构_西北核技术研究所_202610126199.5
    本发明公开了一种内凹式永磁结构，属于真空电子技术领域，解决零场区永磁体阳极表面损伤、产生等离子体的技术问题，其永磁结构为圆环形，包括轴向向左磁化磁块、轴向向右磁化磁块、径向向圆心磁化磁块。径向向圆心磁化磁块为带台阶的圆环，台阶位于内环右侧。...
    2026-05-12
  • 基于碳纳米管冷阴极的微型真空三极管
    基于碳纳米管冷阴极的微型真空三极管_中科盈德极石(杭州)科技有限公司_202610167279.5
    本发明涉及真空三极管技术领域，具体为基于碳纳米管冷阴极的微型真空三极管，包括密封塞、阴极、密封底座、插接引脚、栅极、阳极、真空罩和排气管，排气管连接设置在真空罩的顶端中部，密封塞密封连接在排气管内部，阴极和阳极设置在真空罩的内部两侧，栅极设...
    2026-05-12
  • 一种下部电极组件的制备方法
    一种下部电极组件的制备方法_安徽高芯众科半导体有限公司_202512053357.7
    本申请涉及一种下部电极组件的制备方法，涉及电极组件制造领域，包括以下步骤：将电极棒同轴装配于陶瓷套管内部，形成电极组件，所述电极棒外周与陶瓷套管内壁之间存在环形装配间隙；对电极组件中电极棒露出的端部进行喷砂处理，形成环形导入间隙，得到预处理...
    2026-05-12
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