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  • 本发明公开一种光伏组件。该光伏组件可包括:盖板、封装胶膜、电池阵列及背板;电池阵列包括:电池串、设置于电池串的端部电池片背面的汇流结构和设置于端部电池片背面与汇流结构之间的绝缘透光件,汇流结构包括:导电边框和位于导电边框内且间隔设置的多条导...
  • 本发明公开了一种芯片互联封装结构及计算芯片,其中芯片互联封装结构包括多个晶圆,多个晶圆堆叠设置,每个晶圆包括光电转换电路、光波导以及信号触点,光电转换电路经光波导连接信号触点,光电转换电路被配置为将电信号转换为光信号,相邻的所述晶圆上的信号...
  • 本发明公开了一种掺锂的晶体硅光伏电池、硅片、晶锭及其掺杂方法,属于光伏电池领域。通过将适量的杂质锂与杂质硼组合掺杂形成p型第一锂硅,锂元素的电负性只有0.98,在未遭遇太空高能辐照时,掺杂锂饱和了部分硼原子的空穴,在遭遇太空高能辐照时,一方...
  • 本发明公开了一种用于太阳电池的双层接触层、太阳电池及其制备方法,所述双层接触层包括:第一接触层是由Si或者Te作为掺杂源,与GaAs材料掺杂交替循环生长形成的多层结构接触层,第一接触层中每层GaAs材料层的厚度为0.5nm~1.5nm;第二...
  • 本发明公开了一种适用于叠瓦封装的柔性砷化镓太阳电池芯片及其应用,包括矩形的柔性砷化镓太阳电池芯片本体,靠近太阳电池芯片本体矩形的一条边的上电极,在上电极对侧的位置,太阳电池芯片本体向矩形外侧延伸出外侧延伸区域,外侧延伸区域的数量与上电极一一...
  • 本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种光伏电池、电池串、电池串的制备方法及光伏组件。该光伏电池包括基底、PN结结构和无PN结结构区域。其中,PN结结构和无PN结结构区域均形成于基底的同一侧表面;无PN结结构区域的延伸方向垂直于光伏电池的电流主...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池、光伏组件及光伏系统,包括:硅基底;硅基底具有相对的正面和背面,背面设有沿第二方向叉指交替排列的第一极性掺杂层和第二极性掺杂层,第一极性掺杂层和第二极性掺杂层之间设有间隔区;第一极性掺杂层...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池、其制备方法以及电池组件。太阳能电池包括:衬底,衬底包括第一区域和第二区域;第一钝化层位于第一掺杂区远离衬底的一侧,第二钝化层位于衬底远离第一掺杂区的一侧;第三钝化层位于第二掺杂区远离衬底的一侧,...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种背接触太阳能电池和光伏组件。其中,背接触太阳能电池包括:基底,基底的背面一侧包括交替排布的第一区和第二区;第一掺杂层,位于第一区内;第一栅线,位于第一掺杂层背离基底的一侧,且与第一掺杂层电连接;第二掺杂层,...
  • 本申请提供了一种背接触电池片、印刷钢版和光伏组件,涉及光伏技术领域。背接触电池片包括:电池本体,沿其厚度方向,电池本体包括相对的第一面和第二面;若干集电电极,设置在电池本体的第一面,且沿第一方向延伸;若干集电电极包括:第一集电电极和第二集电...
  • 本发明公开了一种电池片、光伏组件及网版,电池片包括电池片本体和绝缘结构,电池片本体的第一表面具有细栅电极,绝缘结构设于细栅电极上;电池片本体包括多个连接部列,电池片本体具有连接部列所在的第一区域和位于相邻两个第一区域之间的第二区域,绝缘结构...
  • 本发明公开了一种太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域,以通过尺寸较大的第一隔离凸起防止纵向堆叠的相邻太阳能电池出现膜层划伤的问题。所述太阳能电池包括:电池本体、多个第一隔离凸起和多个第二隔离凸起。电池本体的第一面包括多个集电电极和多个汇流...
  • 本申请涉及光伏领域,提供一种光伏组件,光伏组件包括:电池片,电池片包括沿第一方向排布的焊接区以及收集区;电池片的表面具有多个沿第二方向排布的栅线,每一栅线包括位于焊接区的至少两个焊接栅线以及位于收集区的收集栅线,其中,焊接栅线沿第二方向排布...
  • 本发明涉及背接触电池领域,具体而言,涉及一种双面背接触电池及其制备方法和应用。该双面背接触电池包括:n型单晶硅基体;设置于n型单晶硅基体正面的光学功能层,所述光学功能层包括:减反射层与钝化层;以及设置于所述n型单晶硅基体背面的复合功能层,所...
  • 本发明涉及光伏组件技术领域,具体为一种高反射率单向透光膜及其制备方法和应用,包括依次设置的粘胶层、金属镀层、基材层和纳米颗粒散射层;按重量份计,所述纳米颗粒散射层的制备原料包括:羟基丙烯酸树脂50‑70份,纳米散射颗粒8‑15份,分散剂0....
  • 本申请涉及光伏领域,提供一种背接触电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件,至少可以提高背接触电池的性能。背接触电池包括基底、第一掺杂部、第二掺杂部、钝化层、第一电极和第二电极。基底具有第一区和第二区以及位于第一区和第二区之间的第三区;第一掺杂...
  • 本发明公开了一种具有陷光结构的碳化硅紫外光电探测器及其制备方法,该具有陷光结构的碳化硅紫外光电探测器,从而下到上依次包括欧姆接触电极、n+型碳化硅衬底、n型碳化硅外延吸收层、陷光结构和网状肖特基接触电极;该陷光结构的表面具有多个凹坑,所述凹...
  • 本发明涉及一种紫外探测器及其制作方法,所述紫外探测器的碳化硅衬底表面为锥形微纳织构,所述锥形微纳织构具有锥形凹槽,且所述锥形凹槽的顶部直径为100nm~500nm,所述锥形凹槽的深度为100nm~200nm,所述锥形凹槽的锥角为55°~65...
  • 本发明提供一种背接触太阳能电池及其制备方法。背接触太阳能电池包括硅基底,硅基底的正面设有正绒面结构,正绒面结构包括若干个第一凸起,以及镶嵌在若干个第一凸起上的若干个第二凸起;第一凸起的平均底面尺寸大于第二凸起的平均底面尺寸;部分第一凸起呈阶...
  • 本公开的实施例提供了一种背接触电池及其制备方法、光伏组件,为太阳能电池领域,电池包括:硅基体(1),背面有第一区(A)、第二区(B)和间隔区(C),相邻第一区(A)和第二区(B)通过间隔区(C)隔开,第一区(A)的至少部分表面为绒面且包括多...
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