Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 基于滚动剪切力的铁镓碲二维材料薄层制备方法及其应用
    基于滚动剪切力的铁镓碲二维材料薄层制备方法及其应用_华南师范大学_202610078986.7
    本发明公开了基于滚动剪切力的铁镓碲二维材料薄层制备方法及其应用，该方法包括：将铁镓碲块体晶体固定至粘性胶带的粘性面，获取固定后的铁镓碲块体晶体；基于竞争性粘附作用原理，对固定后的铁镓碲块体晶体进行反复对折与剥离操作，得到粘附有铁镓碲二维材料...
    2026-05-10
  • 基于斯格明子的自旋纳米振荡器及多值存储方法
    基于斯格明子的自旋纳米振荡器及多值存储方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202610081096.1
    本发明提供一种基于斯格明子的自旋纳米振荡器及多值存储方法，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、重金属层、自由层、绝缘层、固定层和顶电极；自由层为承载斯格明子的纳米盘；底电极和顶电极用于输出和检测振荡频率信号；重金属层用于输出磁阻信号，其中，...
    2026-05-10
  • 一种基于铁磁金属/二维铁磁半金属异质结的自旋电子器件
    一种基于铁磁金属/二维铁磁半金属异质结的自旋电子器件_浙江大学_202610433199.X
    本发明公开了一种基于铁磁金属/二维铁磁半金属异质结的自旋电子器件，包括铁磁金属电极和单层二维铁磁半金属材料层，铁磁金属为镍(Ni)或钴(Co)，二维铁磁半金属为卤化亚铁FeX2，X=Cl、Br、I，二者通过边缘接触或顶部接触形成异质结均可实...
    2026-05-10
  • 一种制造互连凸点的方法及其应用
    一种制造互连凸点的方法及其应用_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411513018.1
    本申请公开了一种制造互连凸点的方法及其应用，属于量子计算领域。制造互连凸点的方法包括：获得通过图形化掩膜覆盖的剥离层和凸点层的基体；研磨衬底使所述剥离层被去除，以暴露掩膜；以及剥离所述掩膜，形成独立地存在于衬底的凸点层。通过以上方式形成的互...
    2026-05-10
  • 高温超导约瑟夫森结的后制备化学热处理方法
    高温超导约瑟夫森结的后制备化学热处理方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511967072.8
    本发明提供一种高温超导约瑟夫森结的后制备化学热处理方法，通过在预设气氛下对高温超导约瑟夫森结进行退火处理，促进氧晶格空位的迁移与复合，优化了势垒层的微观结构，并一定程度上修复了微纳加工中的晶格损伤，从而显著提高了高温超导约瑟夫森结的临界电流...
    2026-05-10
  • 一种提升硫系双向阈值选择器性能的方法
    一种提升硫系双向阈值选择器性能的方法_华东师范大学_202610066289.X
    本发明涉及硫系双向阈值开关器件技术领域，公开了一种提升硫系双向阈值选择器性能的方法，包括以下步骤：S1，依次制备底部电极、初始非晶硫系化合物材料层薄膜及顶部电极，形成堆叠结构，得到初始硫系双向阈值选择器；S2，结晶处理，将S1得到的初始硫系...
    2026-05-10
  • 一种原位生长SnS2低功耗高开关比阻变存储器的制备方法
    一种原位生长SnS2低功耗高开关比阻变存储器的制备方法_西安工业大学_202610168134.7
    本发明涉及一种原位生长SnS2低功耗高开关比阻变存储器的制备方法。制备方法包括如下步骤：在晶圆级SiO2/Si衬底表面先后加工出Cr层和Au层，得到Cr/Au底电极；通过PrCVD法完成SnS2阻变层的制备，得到原位生长的PMMA/SnS2...
    2026-05-10
  • 一种可控晶向SnS2阻变存储器及其制备方法
    一种可控晶向SnS2阻变存储器及其制备方法_西安工业大学_202610168141.7
    本发明属于电子零件制作技术领域，具体涉及一种可控晶向SnS2阻变存储器及其制备方法。制备方法包括如下步骤：采用真空蒸镀法在SiO2/Si衬底表面蒸镀300 nm厚度的Au底电极；采用封管硫化法制备SnS2阻变层：采用硬掩模技术，利用真空热蒸...
    2026-05-10
  • 一种沟槽型忆阻器件的工艺集成方法
    一种沟槽型忆阻器件的工艺集成方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610184547.4
    本发明公开一种沟槽型忆阻器件的工艺集成方法，提供硅衬底，在其表面制备惰性电极；在惰性电极的表面沉积一层氮化硅；对氮化硅进行光刻和刻蚀形成沟槽型SiN结构，并进行过刻蚀停止到惰性电极；在氮化硅表面和沟槽型SiN结构中制备电解质材料；制备沟槽型...
    2026-05-10
  • 一种金属卤化物薄膜忆阻器及其制备方法和应用
    一种金属卤化物薄膜忆阻器及其制备方法和应用_南京邮电大学_202610092417.8
    本发明属于半导体技术和神经形态硬件技术领域，公开了一种金属卤化物薄膜忆阻器及其制备方法和应用，本发明提供的金属卤化物薄膜忆阻器从下至上依次包括底电极、无机阻变层、顶电极；所述无机阻变层为金属卤化物薄膜，所述金属卤化物薄膜为碘化亚铜薄膜；所述...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511831908.1
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法。制备方法包括：将多个沉积单元并排布置在低压化学气相沉积设备的反应腔中，每个沉积单元包括多个基片，多个基片中的一部分为晶圆，另一部分为陪片，晶圆用于制作晶体管，相邻的沉积单元中相邻两个基片之间的距离大于...
    2026-05-10
  • 一种锗硅外延硅帽层及堆叠结构的制备方法
    一种锗硅外延硅帽层及堆叠结构的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511964896.X
    本发明提供了一种锗硅外延硅帽层及堆叠结构的制备方法，包括以下步骤：S1.提供衬底，衬底上形成有凹槽，凹槽内生长有锗硅层；S2.以SiH2Cl2为硅源，通过脉冲原子层沉积工艺在锗硅层上形成第一硅层，第一硅层厚度不大于5nm；S3.以SiH4为...
    2026-05-10
  • 一种等离子体增强化学气相沉积的方法
    一种等离子体增强化学气相沉积的方法_SPTS科技有限公司_202510832225.1
    本发明提供一种等离子体增强型化学气相沉积的方法，其包含以下步骤：将晶片在反应器腔室内支撑在晶片支撑件上；使用高频RF电源从乙炔气、氢气和氩气产生等离子体；以及将无定形氢化碳膜沉积在所述晶片上；其中在所述沉积期间，反应器腔室压力在1‑6托范围...
    2026-05-10
  • 一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺
    一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺_江苏东晨电子科技有限公司_202511940038.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺，其包括依次淀积第一掺氧多晶硅层、多晶硅层、第二掺氧多晶硅层、二氧化硅层及氮化硅层；本发明通过五层复合钝化结构优化电场分布，有效抑制边缘电场集中，消除“双线”击...
    2026-05-10
  • 一种介质膜柱状图形的制作方法
    一种介质膜柱状图形的制作方法_杭州美迪凯光电科技股份有限公司_202610149495.7
    本发明公开了一种介质膜柱状图形的制作方法，涉及半导体制造工艺技术领域。本发明采用光敏胶作为牺牲层来制作第一种介质膜的柱状图形，同时结合原子层沉积的高填充能力和化学机械抛光的全局平坦化特性，实现了两种介质膜高精度的交替错落的柱状图形的加工，在...
    2026-05-10
  • 形成半导体装置的方法
    形成半导体装置的方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411720434.9
    本公开内容提供一种形成半导体装置的方法，其包括以下步骤：将半导体基底放置于处理槽中；于处理槽中注入处理液至处理槽的第一水平高度处，使得半导体基底完全浸泡在处理液中；半导体基底以静置在处理液中的方式进行氧化处理，以于半导体基底上形成氧化层；在...
    2026-05-10
  • 增强材料结构的处置
    增强材料结构的处置_应用材料公司_202512032231.1
    一种形成半导体结构的方法包括以下步骤：预清洁衬底的表面；在所述衬底的预清洁后的表面上形成界面层；在所述界面层上沉积高κ介电层；执行等离子体氮化工艺以在所沉积的高κ介电层中插入氮原子；和执行氮化后退火工艺以钝化等离子体氮化后的高κ介电层中的化...
    2026-05-10
  • 一种离子注入角度校准方法及系统
    一种离子注入角度校准方法及系统_重庆芯联微电子有限公司_202511996293.8
    本发明公开了一种离子注入角度校准方法及系统，包括以下步骤：S1：通过五点法对参考机台进行校准，得到标准二次函数曲线，获取标准系数a0；S2：在待校准机台选取三个测试角度对晶圆进行离子注入，测量对应的热波值，拟合得到初始二次函数曲线；S3：在...
    2026-05-10
  • 场氧结构及其形成方法
    场氧结构及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511929828.X
    本发明公开了一种场氧结构及其形成方法，属于半导体技术领域，该场氧结构的形成方法，用于制备LDMOS器件，包括：提供衬底，所述衬底中形成有第一导电类型漂移区；在所述衬底的表面涂覆光阻，图案化所述光阻，在所述第一导电类型漂移区上形成开口；通过所...
    2026-05-10
  • 一种用于半导体局部改性的辐照处理系统
    一种用于半导体局部改性的辐照处理系统_成都中核高通同位素股份有限公司_202610445532.9
    本申请涉及一种用于半导体局部改性的辐照处理系统，属于半导体加工技术领域。用于半导体局部改性的辐照处理系统包括承载台、遮挡机构、定位检测组件和控制模块，承载台用于承载并固定半导体晶圆；遮挡机构包括遮挡板及驱动组件，遮挡板上设有辐射口；晶圆朝向...
    2026-05-10
首页 上一页 18 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证