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最新专利技术
  • 堆叠基板结构及其制造方法
    堆叠基板结构及其制造方法_财团法人工业技术研究院_202510009576.2
    本发明公开一种堆叠基板结构及其制造方法。堆叠基板结构包括第一结构及第二结构。第一结构具有第一接合表面。第一结构包括第一线路结构。第一线路结构包括多个第一导电层以及第一膨胀调变层。多个第一导电层在垂直方向上堆叠。第一膨胀调变层设置于相邻的多个...
    2026-05-09
  • 具有顶侧存储器模块的IC封装
    具有顶侧存储器模块的IC封装_马维尔以色列(M.I.S.L.)有限公司_202610075486.8
    一种印刷电路板(PCB)系统包括第一印刷电路板(PCB)、集成电路(IC)封装和存储器模块。IC封装包括：i)封装衬底，ii)电耦合到封装衬底的顶表面的主IC芯片，iii)设置在封装衬底的底表面上并电耦合到第一PCB的第一接触结构，以及iv...
    2026-05-09
  • 芯片封装结构及制造方法
    芯片封装结构及制造方法_成都万应微电子有限公司_202610166250.5
    本申请提供了一种芯片封装结构及制造方法，该结构包括有机基板、无机基板、芯片、第二导电件、第一导电件以及填充体；有机基板与无机基板相对设置，且分别具有中部与端部；芯片、第一导电件以及第二导电件均位于有机基板与无机基板之间；芯片分别位于有机基板...
    2026-05-09
  • 具有键合结构的半导体器件及其形成方法
    具有键合结构的半导体器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202411541375.9
    具有键合结构的半导体器件及其形成方法。本公开内容涉及用于管理半导体器件中的键合结构的方法、装置、系统和技术。一种示例半导体器件包括沿第一方向堆叠的第一半导体结构、键合结构和第二半导体结构。所述第一半导体结构通过所述键合结构键合至所述第二半导...
    2026-05-09
  • 功率模块
    功率模块_现代自动车株式会社_202510720181.3
    本发明公开了一种功率模块。功率模块包括基板、安装在基板上并具有信号焊盘的芯片以及电连接到芯片的引线部。引线部包括与基板间隔开设置的信号引线以及连接信号引线和信号焊盘的连接引线。
    2026-05-09
  • 封装体、堆叠封装结构以及封装方法
    封装体、堆叠封装结构以及封装方法_长电科技(江阴)有限公司_202610205334.5
    一种封装体、堆叠封装结构以及封装方法，封装体包括：第一元器件，位于基板的装配表面上且与第一连接端子电连接；框架，位于第一元器件侧部的装配表面上，框架包括导电焊盘以及与导电焊盘具有对应关系的引脚，导电焊盘和相对应的引脚一体成型，导电焊盘位于引...
    2026-05-09
  • 芯片堆叠封装及其制作方法、电子设备
    芯片堆叠封装及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202411523694.7
    本申请提供一种芯片堆叠封装及其制作方法、电子设备，涉及封装技术领域，该封装结构中通过采用预制互连模组来实现上、下两个走线结构(如两个重布线层)之间的连接。该堆叠封装包括：堆叠设置的第一芯片和第二芯片、第一走线结构、第二走线结构、预制互连模组...
    2026-05-09
  • 一种封装结构以及抑制基板翘曲的方法
    一种封装结构以及抑制基板翘曲的方法_渠梁电子有限公司_202610458226.9
    本发明公开了一种封装结构以及抑制基板翘曲的方法，包括基板，所述基板的表面设置有阻焊层；芯片，所述芯片覆盖在部分的阻焊层的表面，并通过贯阻焊层的焊接结构与所述基板电连接；聚酰亚胺膜层，所述聚酰亚胺膜层设置在所述阻焊层的表面并位于所述芯片的外围...
    2026-05-09
  • 键合设备以及由所述键合设备实施的键合方法
    键合设备以及由所述键合设备实施的键合方法_星科金朋管理私人有限公司_202411521399.8
    本申请提供一种键合设备和一种键合方法。所述键合设备包括：衬底载体；激光源，其用于朝向所述衬底载体发射激光束；加压工具，其可移动地放置在所述激光源与所述衬底载体之间，并且被配置成用于拾取具有目标键合区域的半导体裸片并且将所述半导体裸片压抵在所...
    2026-05-09
  • 一种激光巨量植球方法及装置
    一种激光巨量植球方法及装置_武汉帝尔激光科技股份有限公司_202510098152.8
    本发明提供一种激光巨量植球方法及装置，所述方法包括：提供一通孔玻璃，通孔玻璃具有多个贯穿上表面和下表面的通孔，通孔上部为上大下小的锥形孔，每个通孔承载一个锡球，多个通孔成图案化排布；激光从通孔玻璃的上方朝向其上表面照射，将通孔中的锡球熔化，...
    2026-05-09
  • 晶粒的接合垫及具有该晶粒的电子装置
    晶粒的接合垫及具有该晶粒的电子装置_瑞昱半导体股份有限公司_202511023806.7
    本发明披露了一种晶粒的接合垫及具有该晶粒的电子装置。电子装置包括一载板、一第一晶粒及一第二晶粒。第一晶粒设置于该载板上，并且包括一第一接合垫及一第二接合垫。第二晶粒设置于该载板上，并且包括一第三接合垫及一第四接合垫。该第一接合垫通过一第一接...
    2026-05-09
  • 三维集成芯片电源管理系统、电子设备及方法
    三维集成芯片电源管理系统、电子设备及方法_清华大学_202610036031.5
    本申请涉及集成电路技术领域，特别涉及一种三维集成芯片电源管理系统、电子设备及方法，其中，包括：芯片堆叠体；侧壁环形供电母线，侧壁环形供电母线环绕在芯片堆叠体的侧壁区域，构成闭合的环形导体；设置于侧壁环形供电母线的多个抽头分配单元，多个抽头分...
    2026-05-09
  • 一种芯片封装焊接方法及在线真空烧结炉
    一种芯片封装焊接方法及在线真空烧结炉_中科同帜半导体(江苏)有限公司_202610139362.1
    本发明涉及芯片封装技术领域，提供一种芯片封装焊接方法，芯片工件及治具入预热区，先抽真空再预热；转入焊接区后开启红外加热至第一焊接温度，以第一传送速度行进，实时监测真空度与温度，真空度不低于阈值，若真空持续下降超阈值或温度波动超阈值，暂停红外...
    2026-05-09
  • 柔性传感器的微凸点制备工艺、光刻模板位置检测装置及检测方法
    柔性传感器的微凸点制备工艺、光刻模板位置检测装置及检测方法_西安博研微纳信息科技有限公司_202610145522.3
    本发明属于柔性传感器制造技术领域，涉及柔性传感器的微凸点制备工艺、用于该工艺的光刻模板位置检测装置及检测方法。制备工艺为，在硅片基底表面对应胶柱的位置成型凹槽，在柔性传感器的硅片基底表面旋涂光刻胶，凹槽内填充光刻胶；采用光刻模板对固化后的光...
    2026-05-09
  • 一种集成电路凸块巨量转移方法
    一种集成电路凸块巨量转移方法_日月新半导体(苏州)有限公司_202610176368.6
    本发明公开了一种集成电路凸块巨量转移方法，本发明属于集成电路制造领域，包括步骤一：基板；步骤二：在所述基板表面印刷焊接剂；步骤三：在所述焊接剂上贴装铜柱并进行回流焊操作；步骤四：对铜柱的底部填充胶；步骤五：将倒装芯片键合至基板上方并进行回流...
    2026-05-09
  • 助焊剂槽、芯片封装方法及芯片
    助焊剂槽、芯片封装方法及芯片_此芯科技集团有限公司_202610443585.7
    本发明涉及芯片加工技术领域，公开一种助焊剂槽、芯片封装方法及芯片。方法，包括：提供芯片，芯片表面设置有多个焊接柱；在进行气动鼓泡前，获取芯片不同区域的曲翘状态及翘曲度，并根据芯片的翘曲状态确定预设区域，根据翘曲度确认鼓泡装置的作业参数；翘曲...
    2026-05-09
  • 一种芯片键合校准方法及设备
    一种芯片键合校准方法及设备_深圳市鸿芯微组科技有限公司_202610452493.5
    本发明涉及半导体加工领域，公开了一种芯片键合校准方法及设备，包括提供校准设备，包括第一镜头、第二镜头和翻转机构，第一镜头和第二镜头下方分别放置有基板和芯片，翻转机构用于将芯片翻转至基板；通过第一镜头和第二镜头获取基板和芯片的全局基准坐标，基...
    2026-05-09
  • 调平机构及半导体设备
    调平机构及半导体设备_智慧星空(上海)工程技术有限公司_202610457827.8
    本申请公开了一种调平机构及半导体设备。该调平机构包括：第一连接件，包括第一横板、第二横板及腹板，第一横板上开设有通孔；第二连接件，设置在第一连接件的开口侧，包括第一安装面、第二安装面及连接臂，第二安装面与待调平件连接；主动调平单元，其中的调...
    2026-05-09
  • 铝衬垫制备方法及半导体
    铝衬垫制备方法及半导体_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610460164.5
    本申请涉及一种铝衬垫制备方法及半导体，包括：提供衬底；在所述衬底上生长第一厚度的铝金属层；其中，所述第一厚度大于所述衬底的沟槽高度；使所述铝金属层所在平面与腐蚀液的表面相对，将所述铝金属层部分放入所述腐蚀液内预设时间后取出；还原所述铝金属层...
    2026-05-09
  • 层叠接合材料、半导体封装体和功率模块
    层叠接合材料、半导体封装体和功率模块_千住金属工业株式会社_202512026458.5
    本发明提供层叠接合材料、半导体封装体和功率模块。层叠接合材料(10)具有基材(11)、层叠于基材(11)的第一面的第一焊料部(12a)和层叠于基材(11)的第二面的第二焊料部(12b)，基材(11)的线膨胀系数为5.5～15.5ppm/K，...
    2026-05-09
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