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最新专利技术
  • 磁存储单元的写入/读取方法、外围装置及磁性存储阵列
    磁存储单元的写入/读取方法、外围装置及磁性存储阵列_中电海康集团有限公司_202610047995.X
    磁存储单元的写入/读取方法、外围装置及磁性存储阵列。本发明提供一种磁存储单元的写入方法，包括：获取当前写入数据的目标地址与磁性存储单元类型的对应关系，并依据对应关系确定目标写入结果；其中，存储单元类型包括第一类型和第二类型，对应位置的第一类...
    2026-05-10
  • 基于计数器的DDR低功耗的高效控制方法
    基于计数器的DDR低功耗的高效控制方法_中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院_202411592977.7
    本发明提供一种基于计数器的DDR低功耗的高效控制方法，方法应用于基于计数器的DDR低功耗的高效控制系统中的低功耗控制模块；方法包括：低功耗控制模块根据是否进入低功耗状态的第一控制信号、DDR接口电路的读写状态和计数器使能信号确定第二控制信号...
    2026-05-10
  • 可发光伺服器专用的暂存器主存储器模块
    可发光伺服器专用的暂存器主存储器模块_全何科技股份有限公司_202411674543.1
    一种可发光伺服器专用的暂存器主存储器模块，包括一印刷电路板、多个动态随机存取存储器、一暂存时脉驱动器以及至少一发光二极管。该等动态随机存取存储器设置于印刷电路板上。暂存时脉驱动器设置于印刷电路板上。至少一发光二极管设置于印刷电路板上。由此，...
    2026-05-10
  • 一种流水线电路和存储器
    一种流水线电路和存储器_北京超弦存储器研究院_202411595381.2
    本公开涉及集成电路领域，公开了一种流水线电路和存储器。流水线电路包括：流水线模块和延时控制模块。流水线模块，被配置为在读取或写入过程中，对数据和/或命令地址信号进行流水线处理。延时控制模块，被配置为控制读取延时或写入延时。
    2026-05-10
  • 包括存储器电路的电子设备
    包括存储器电路的电子设备_意法半导体国际公司_202511601580.4
    本公开涉及包括多个存储器单元的存储器设备，多个存储器单元被布置成具有字线和位线的阵列。每个单元包括由相变材料制成的存储器元件和通过其第一导电节点连接的两个晶体管，这两个晶体管本身连接到该元件的第一端子。位线的元件通过其第二端子连接。字线的两...
    2026-05-10
  • 面向多值存储的2T0C DRAM读写方法和系统
    面向多值存储的2T0C DRAM读写方法和系统_中国科学院微电子研究所_202610084829.7
    本发明公开面向多值存储的2T0C DRAM读写方法和系统，涉及多值存储技术领域，方法包括：采用多值电流源，向2T0C DRAM存储阵列中所有需写入同一待写入数据的目标存储单元输送与待写入数据匹配的预设写入电流；目标存储单元中的写入晶体管和读...
    2026-05-10
  • 存储器装置
    存储器装置_三星电子株式会社_202510831955.X
    一种存储器装置包括：第一存储器单元阵列，所述第一存储器单元阵列包括多条位线；第二存储器单元阵列，所述第二存储器单元阵列包括与所述多条位线相对应的多条互补位线，并且在第一方向上与所述第一存储器单元阵列相邻布置；以及第一位线读出放大器阵列，所述...
    2026-05-10
  • 存储器装置及存储器系统
    存储器装置及存储器系统_旺宏电子股份有限公司_202510347684.0
    本发明提供一种存储器装置及存储器系统。存储器装置包含存储器字串。存储器字串包含第一及第二字串部分。第一字串部分储存储存过滤位元，并比较输入过滤位元与储存过滤位元。第二字串部分储存储存计算位元，并比较输入计算位元与储存计算位元，其中当输入过滤...
    2026-05-10
  • 一种面向低温真三值逻辑存内计算的高密度4T1C eDRAM宏结构
    一种面向低温真三值逻辑存内计算的高密度4T1C eDRAM宏结构_上海科技大学_202610025410.4
    本发明涉及一种面向低温真三值逻辑存内计算的高密度4T1C eDRAM宏结构，属于存储器与计算架构集成技术领域，其包括：参考电压生成模块，提供三值判决所需的两个关键参考电平；行译码器，选中目标存储单元；低温三值写驱动模块，将三值电压传输至选中...
    2026-05-10
  • 静态存储器及其制造方法
    静态存储器及其制造方法_上海光通信有限公司_202411580648.0
    本申请提供一种静态存储器及其制造方法，包括第一反相器、第一控制晶体管和第二控制晶体管，第一反相器的输入端作为存储节点；第一控制晶体管和第二控制晶体管位于第一有源区且沿第二方向排布，第一反相器位于第三有源区，第一有源区和第三有源区沿第一方向排...
    2026-05-10
  • 静态存储器及其制造方法
    静态存储器及其制造方法_上海光通信有限公司_202411580660.1
    本申请提供一种静态存储器及其制造方法，包括第一反相器、第一控制晶体管和第二控制晶体管，第一反相器的输入端作为存储节点；第一控制晶体管的第一极连接第一端口位线，第一控制晶体管的第二极连接存储节点，第二控制晶体管的第一极连接第二端口位线，第二控...
    2026-05-10
  • 一种DNA编码方法、解码方法、装置、设备及介质
    一种DNA编码方法、解码方法、装置、设备及介质_深圳华大生命科学研究院_202411560835.2
    本公开提供一种DNA编码方法，包括：基于筛选条件和德布鲁因图原理，对初始序列集中的多个初始子序列进行预处理，得到待选有向图，待选有向图中的每一节点包含多个碱基，初始序列集由ACGT碱基通过排列组合得到；对待选有向图中相邻节点之间的电流信号进...
    2026-05-10
  • 用于PCM存储器的补偿电流
    用于PCM存储器的补偿电流_意法半导体国际公司_202511633447.7
    本公开涉及用于PCM存储器的补偿电流。本公开涉及一种包括相变存储器单元的行和列的存储器块。第一MOS晶体管将电源电压耦合到接收参考电流的输入端，并且其栅极连接到该输入端。对于每一列，第二晶体管将电源电压耦合到被耦合到该列的对应输出端。导电轨...
    2026-05-10
  • 存储装置、存储装置的操作方法和包括存储装置的计算系统
    存储装置、存储装置的操作方法和包括存储装置的计算系统_三星电子株式会社_202510929794.8
    提供了一种存储装置、存储装置的操作方法和包括存储装置的计算系统。所述存储装置包括：非易失性存储器装置，被配置为存储数据；存储接口，连接到主机装置；以及存储控制器，被配置为：通过存储接口从主机装置接收命令并响应于所述命令而控制非易失性存储器装...
    2026-05-10
  • 存储器、对存储器进行编程的方法及存储器系统
    存储器、对存储器进行编程的方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411587100.9
    本公开实施方式提供了一种存储器、对存储器进行编程的方法以及存储器系统，存储器包括存储单元阵列和外围电路，其中存储单元阵列包括存储单元。外围电路配置为：对存储单元执行第一编程操作，将存储单元编程至中间态，其中编程至中间态的存储单元具有初始阈值...
    2026-05-10
  • 执行写入训练的非易失性存储器装置
    执行写入训练的非易失性存储器装置_三星电子株式会社_202511101600.1
    提供了一种执行写入训练的非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括多个存储器裸片，该多个存储器裸片通过第一通道连接到控制器并且被配置为基于从控制器接收的训练数据来执行写入训练。多个存储器裸片包括各自包含非易失性存储器单元的第一存储器裸片和...
    2026-05-10
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_华邦电子股份有限公司_202511585185.1
    本揭示提出一种存储器装置及其操作方法。操作方法包括以下步骤：接收写入器模式指令，以操作存储器装置通过系统控制逻辑进行数据载入与编程并列操作；在数据载入与编程并列操作的数据载入期间，通过系统控制逻辑接收并写入多个字数据至存储器缓冲器；以及在数...
    2026-05-10
  • 存储器装置的操作方法
    存储器装置的操作方法_旺宏电子股份有限公司_202411784243.9
    本公开提供了一种存储器装置的操作方法。要进行操作的一存储器装置包括一第0字线至一第M字线，连接至该存储器装置的一区块的多个存储单元。该操作方法包括在N1个编程‑擦除周期内编程从第0字线到第M字线的该区块，以及在N2个编程‑擦除周期内编程从第...
    2026-05-10
  • 最优读电压的确定方法、数据读取方法、存储设备及介质
    最优读电压的确定方法、数据读取方法、存储设备及介质_慧忆微电子(上海)有限公司_202411600612.4
    本申请公开一种最优读电压的确定方法、数据读取方法、存储设备及介质，最优读电压的确定方法应用于存储设备，包括：获取电压分布曲线，电压分布曲线对应的函数为二次函数；响应于电压分布曲线的开口朝下，获取电压分布曲线上的波峰位置；在波峰位置的横坐标上...
    2026-05-10
  • 存储设备的最优读电压确定方法、电子设备及存储介质
    存储设备的最优读电压确定方法、电子设备及存储介质_慧忆微电子(上海)有限公司_202411600654.8
    本申请公开了一种存储设备的最优读电压确定方法、电子设备及存储介质。所述存储设备的最优读电压确定方法包括：获取到存储设备在不同电压区间内的单元分布数量；响应于多个单元分布数量的目标极值位于预设位置，基于多个单元分布数量的之间的变化规律确定锚点...
    2026-05-10
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