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最新专利技术
  • 集成电路及制造其的方法
    集成电路及制造其的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511920728.0
    本发明提供一种集成电路及制造其的方法。在半导体衬底的装置区中形成包含一个或多个鳍式场效晶体管(finFET)的鳍区以及形成邻近鳍区的高压(HV)平面区，每个装置区的finFET包括一个或多个鳍片，所述鳍片形成为具有距离鳍状基板区的第一高度处...
    2026-04-21
  • 栅极氧化层及其形成方法
    栅极氧化层及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511732286.7
    本发明提供一种栅极氧化层及其形成方法，形成的第一栅极氧化层覆盖第一栅极氧化层定义区、第二栅极氧化层定义区和第三栅极氧化层定义区的衬底；去除第二栅极氧化层定义区上的第一栅极氧化层，保留第一栅极氧化层定义区和第三栅极氧化层定义区上的第一栅极氧化...
    2026-04-21
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202510753512.3
    一种半导体封装，包括：衬底；平台管芯，设置在衬底上；存储器管芯，设置在平台管芯上；以及处理器管芯，设置在平台管芯上，并且被设置为与存储器管芯相邻，其中，平台管芯包括被配置为控制存储器管芯和处理器管芯之间的数据通信的存储器控制器。
    2026-04-21
  • 三电平中点箝位桥臂开关单元集成结构
    三电平中点箝位桥臂开关单元集成结构_特变电工西安电气科技有限公司_202512059288.0
    本申请提供一种三电平中点箝位桥臂开关单元集成结构，涉及多电平桥臂电路技术领域。该电路包括：底部覆铜陶瓷基板、顶部覆铜陶瓷基板和印刷电路板；所述底部覆铜陶瓷基板承载一半的三电平桥臂电路，所述顶部覆铜陶瓷基板承载另一半的三电平桥臂电路；所述印刷...
    2026-04-21
  • 一种防止光阻翘曲的栅极制造方法
    一种防止光阻翘曲的栅极制造方法_福建省福联集成电路有限公司_202511991866.8
    本发明涉及一种防止光阻翘曲的栅极制造方法，所述制造方法包括在source跟drain金属上均涂布第一光阻层，采用套刻工艺定义帽层蚀刻宽度，采用湿法蚀刻对衬底蚀刻出沟道；将第一光阻层去掉，涂布第二光阻层并显影；步骤S3、将第二光阻层图形化，形...
    2026-04-21
  • 一种减少SiC材料激光退火析碳量的方法和SiC材料
    一种减少SiC材料激光退火析碳量的方法和SiC材料_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510221132.5
    本发明提供一种减少SiC材料激光退火析碳量的方法和SiC材料，所述方法包括：步骤(1)：在SiC衬底背面形成硅镍合金层；步骤(2)：在形成的硅镍合金层表面进行激光退火处理，以使硅镍合金层与SiC衬底形成欧姆接触；采用本发明的方法不仅能够有效...
    2026-04-21
  • 沟槽型碳化硅栅氧化层的制备工艺、具有栅氧化层的沟槽型碳化硅晶圆和金属氧化物半导体场效应晶体管
    沟槽型碳化硅栅氧化层的制备工艺、具有栅氧化层的沟槽型碳化硅晶圆和金属氧化物半导体场效应晶体管_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411521682.0
    本发明提供沟槽型碳化硅栅氧化层的制备工艺、具有栅氧化层的沟槽型碳化硅晶圆和金属氧化物半导体场效应晶体管。首先在沟槽刻蚀完成后，沉积生长一层较薄的氧化层，接着用进行多晶硅沉积，将多晶硅填满整个沟槽，然后采用多晶硅回刻工艺只保留沟槽底部多晶硅，...
    2026-04-21
  • 一种具有AlN刻蚀停止层的GaN基双沟道MIS栅混合阳极二极管及其制备方法
    一种具有AlN刻蚀停止层的GaN基双沟道MIS栅混合阳极二极管及其制备方法_江苏芯港半导体有限公司_202610035694.5
    本发明公开了一种具有AlN刻蚀停止层的GaN基双沟道MIS栅混合阳极二极管及其制备方法，主要解决现有技术GaN精确刻蚀难度过大的问题。方案包括：1)在衬底层上生长异质结层、SiN钝化层；2)在外延层结构上设置用于形成阴极接触的凹槽，并制备阴...
    2026-04-21
  • 基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料、利用Hypotaxy生长法的所述摩尔纹材料的制备方法及包括所述摩尔纹材料的电子器件
    基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料、利用Hypotaxy生长法的所述摩尔纹材料的制备方法及包括所述摩尔纹材料的电子器件_首尔大学校产学协力团_202511419751.1
    公开一种基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料、利用Hypotaxy生长法的基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料的制备方法及包括所述基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料的电子器件。所述基于范德华堆叠结构的摩尔纹材料包括多层薄膜结构体，其具有各层在垂直方向上独立...
    2026-04-21
  • 一种金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制造方法
    一种金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制造方法_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511935876.X
    本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管包括：衬底；形成于半导体衬底表面的栅极结构；所述栅极结构两侧的衬底形成有凹槽，所述凹槽内填充嵌入式外延层，源区和漏区形成在所述栅极结构两侧的所述嵌入式外延层中；所述嵌入式外延层从凹槽表面至远离凹槽表...
    2026-04-21
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_北京智慧能源研究院_202511854509.7
    本申请涉及一种半导体器件的制备方法。该方法通过对包括二氧化硅层和硼磷硅酸盐玻璃层的图案化氧化层进行回流处理，可以将接触孔位置的拐角变得平滑，消除金属层淀积的几何障碍，为金属层的均匀淀积奠定基础。同时，采用反溅射和初级金属层的循环处理，促进金...
    2026-04-21
  • 氧化物薄膜晶体管及其制备方法
    氧化物薄膜晶体管及其制备方法_滁州惠科光电科技有限公司_202512035113.6
    本申请提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。复合有源层，至少包括层叠设置于所述衬底上，且接触设置的第一层和第二层；源漏极层，设置于所述衬底上，且与所述复合有源层电连接；其中，所述第一层与第二层之间具有晶格常数差异；所述第二层为金属氧化物半...
    2026-04-21
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512015787.X
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件在衬底上的埋层内设置第一栅极结构，将第二栅极结构设置在第一栅极结构的顶面以及沟道结构的侧壁和顶面，第二栅极结构与第一栅极结构可以连接并共同包围沟道结构的表面，从而形成四...
    2026-04-21
  • 薄膜晶体管及其制备方法和显示面板
    薄膜晶体管及其制备方法和显示面板_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202511949016.1
    本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示面板，该薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，其中，有源层的材料包括金属氧化物纳米颗粒，其尺寸接近纳米尺寸，可以表现出量子限域效应，使得电子能级从连续变为离散，从而导致其光学带隙和电学性质发生尺...
    2026-04-21
  • 一种多介质层SGT MOSFET器件及制备方法
    一种多介质层SGT MOSFET器件及制备方法_无锡中微爱芯电子有限公司_202610269834.5
    本发明属于半导体器件技术领域，特别涉及一种多介质层SGT MOSFET器件及制备方法。包括：元胞沟槽和终端沟槽，所述元胞沟槽的前后端与所述终端沟槽相连；屏蔽栅多晶硅和多介质层结构；所述元胞沟槽和所述终端沟槽内设有所述屏蔽栅多晶硅，且所述屏蔽...
    2026-04-21
  • 一种超结柱间距可调节的高可靠性超结结构
    一种超结柱间距可调节的高可靠性超结结构_西安电子科技大学_202511868480.8
    本发明公开了一种超结柱间距可调节的高可靠性超结结构，包括：外延层、第一超结柱组合结构、两个第二超结柱组合结构。第一超结柱组合结构包括M个沿中心轴线对称的第二掺杂类型的第一超结柱，M个第一超结柱相互平行的设置在外延层内，沿第一方向每个第一超结...
    2026-04-21
  • 一种动态电离抑制型的高可靠性超结器件及其制备方法
    一种动态电离抑制型的高可靠性超结器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511868479.5
    本发明公开了一种动态电离抑制型的高可靠性超结器件及其制备方法，超结器件包括从下至上层叠设置的衬底层、第一外延层、超结耐压结构、第三外延层和第四外延层，超结耐压结构包括从下至上依次层叠设置的第一掺杂类型的第1层第二外延层至第一掺杂类型的第K层...
    2026-04-21
  • 半导体装置
    半导体装置_新唐科技股份有限公司_202510750297.1
    本发明提供一种半导体装置。半导体装置包括基板、埋置层、外延层、深阱、高压阱及栅极导电层。基板具有第一导电型态。埋置层具有第一导电型态，且设置在基板上。外延层具有不同于第一导电型态的第二导电型态，且设置在埋置层上。深阱具有第二导电型态且设置于...
    2026-04-21
  • 半导体组件及其制造方法
    半导体组件及其制造方法_新唐科技股份有限公司_202510649080.1
    本发明提出一种半导体组件及其制造方法。所述半导体组件包含衬底，具有第一导电型；阱区，具有第二导电型，以及位于所述衬底中；基体，具有所述第一导电型，以及位于所述阱区中；源极区，位于所述基体中；漏极区，位于所述阱区中；隔离结构，位于所述阱区上；...
    2026-04-21
  • 基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构
    基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构_三星电子株式会社_202610001122.5
    提供了一种单元架构。可以提供一种单元架构，其包括竖直场效应晶体管，竖直场效应晶体管具有：用作竖直沟道的至少两个鳍；栅极，其包括围绕第一鳍的第一栅极部分、围绕第二鳍的第二栅极部分、以及提供其间的连接的第三栅极部分；以及顶部源极/漏极，其包括第...
    2026-04-21
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