Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种石墨烯光电探测器与石墨烯射频放大器的单片集成制造方法
    一种石墨烯光电探测器与石墨烯射频放大器的单片集成制造方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511816144.9
    本发明公开了一种石墨烯光电探测器与石墨烯射频放大器的单片集成制造方法，包括如下步骤：在衬底表面转移石墨烯层；将石墨烯层加工成石墨烯光电探测器的沟道与石墨烯放大器的沟道；制备石墨烯光电探测器的源电极、漏电极，以及石墨烯射频放大器的源电极、漏电...
    2026-04-21
  • 一种基于Te纳米片与WS2的异质结光电探测器及其制备方法
    一种基于Te纳米片与WS2的异质结光电探测器及其制备方法_天府绛溪实验室_202511775988.3
    本发明公开了一种基于Te纳米片与2的异质结光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测器技术领域，包括：在衬底上制备金属电极；通过水热法合成Te纳米片，并采用第一聚二甲基硅氧烷PDMS介导的干法转移工艺，将所述Te纳米片定位并转移至所述金属电...
    2026-04-21
  • 一种砷化镓太阳电池上电极及其制备方法
    一种砷化镓太阳电池上电极及其制备方法_中电科蓝天科技股份有限公司_202511770988.4
    本发明公开一种砷化镓太阳电池上电极及其制备方法，结合磁控溅射、激光加工与电镀工艺制备无 Au 电极，制备时先在锗衬底生长正向单结或多结外延层，清洗后磁控溅射 Ti‑Ni‑Ag 或 Ti‑Pd‑Ag 种子层；再用飞秒或皮秒激光按栅线图去除非电...
    2026-04-21
  • 一种基于PIN结和掺杂Ga2O3基光电探测器的制备方法
    一种基于PIN结和掺杂Ga2O3基光电探测器的制备方法_复旦大学_202511731096.3
    本发明公开了一种基于PIN结和掺杂Ga2O3基光电探测器的制备方法；该制备方法包括：首先，将蓝宝石上外延Mg掺杂GaN的衬底片进行高温激活，形成良好的P型导电层；然后，在GaN表面形成阳极电极，并且快速热退火处理形成良好欧姆接触；接着采用原...
    2026-04-21
  • 基于STO-Ga2O3异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法
    基于STO-Ga2O3异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202511726782.1
    本发明公开了一种基于STO‑Ga2O3异质结的日盲紫外光电探测器的制备方法，包括如下步骤：1)采用磁控溅射法在钛酸锶衬底上沉积氧化镓薄膜；2)在惰性气氛中对沉积后的氧化镓薄膜进行后退火处理；3)在退火后的氧化镓薄膜表面制备金属叉指电极，得到...
    2026-04-21
  • 一种TOPCon太阳能电池及其制备方法
    一种TOPCon太阳能电池及其制备方法_三一硅能(株洲)有限公司_202511662053.4
    本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种TOPCon太阳能电池及其制备方法，包括如下步骤：(1)采用第一导电浆料在半成品电池片的背面进行丝网印刷，经烧结处理，制备得到第一背面栅线电极；所述第一导电浆料包括银粉、第一银铜镍合金粉、玻璃粉和有机...
    2026-04-21
  • 一种光伏电池组件及其制备方法
    一种光伏电池组件及其制备方法_眉山琏升光伏科技有限公司_202511641019.9
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种光伏电池组件及其制备方法，包括以下步骤，电池片制备：用尺寸为半片的硅片作为原料，对制绒后的硅片正反面进行选择性图案化刻蚀形成两个凹槽，正面凹槽的宽度小于背面凹槽的宽度，然后依次镀非晶硅/微晶硅薄膜和...
    2026-04-21
  • 短波红外透过增强型背照CCD图像传感器及其制作方法
    短波红外透过增强型背照CCD图像传感器及其制作方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202610024989.2
    本发明公开了一种短波红外透过增强型背照CCD图像传感器及其制作方法，包括正照CCD芯片和载体片，所述正照CCD芯片通过键合材料集成在载体片上，所述正照CCD芯片的背面设置有接触金属电极；所述载体片采用经过减薄抛光处理的高阻单晶材料片。本发明...
    2026-04-21
  • 用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法
    用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610295345.7
    本申请涉及一种用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法，像素单元包括：提供衬底，衬底的顶面包括沿第一方向交替排列的牺牲层和第一沟槽；于第一沟槽靠近牺牲层一侧形成隔离结构后，去除牺牲层形成第二沟槽；隔离结构内包括第一介电层；于第二沟槽、剩余...
    2026-04-21
  • 图像传感器及其制作方法
    图像传感器及其制作方法_豪威科技(上海)有限公司_202610034530.0
    本发明提供一种图像传感器及其制作方法，采用从晶圆背面形成双深度沟槽隔离技术，即满深度沟槽隔离结合部分深度沟槽隔离。本发明在从晶圆背面沟槽蚀刻前, 先沉积一层硬掩膜层且仅增加一张光罩，通过该光罩对硬掩膜层图形化，实现该硬掩膜层在满深度沟槽隔离...
    2026-04-21
  • 碲镉汞红外芯片及其底部填充方法
    碲镉汞红外芯片及其底部填充方法_浙江珏芯微电子有限公司_202610010929.5
    本发明公开了一种碲镉汞红外芯片及其底部填充方法，属于制冷红外探测器技术领域，该碲镉汞红外芯片的底部填充方法，包括提供红外芯片，读出电路板和光电材料层之间具有一填胶空间，红外芯片的面阵规模不小于1280×1024；将红外芯片设置有读出电路板的...
    2026-04-21
  • 一种制备像素化闪烁体薄膜的方法
    一种制备像素化闪烁体薄膜的方法_大连理工大学_202610007062.8
    本发明属于辐射探测成像技术领域，公开一种制备像素化闪烁体薄膜的方法。该方法通过原位生长方式在基底上直接制备闪烁体薄膜，随后采用皮秒激光对所述闪烁体薄膜进行选择性刻蚀，在薄膜内部原位形成用于像素隔离的空气层，从而构建像素化闪烁体结构。所形成的...
    2026-04-21
  • 可见光和短波红外混合传感器
    可见光和短波红外混合传感器_半导体元件工业有限责任公司_202510142492.6
    本公开涉及可见光和短波红外(SWIR)混合传感器，以及用于构建此类传感器的方法。该方法包括在硅衬底中形成第一深沟槽隔离部(DTI)、第二DTI和第三DTI。该硅衬底的定位在该第二DTI与该第三DTI之间的部分形成用于探测可见光的硅光电探测器...
    2026-04-21
  • 阶梯变化的导电高透微纳网格光电玻璃窗口及其加工方法
    阶梯变化的导电高透微纳网格光电玻璃窗口及其加工方法_中国建筑材料科学研究总院有限公司_202511844106.4
    本发明是关于阶梯变化的导电高透微纳网格光电玻璃窗口及其加工方法，该加工方法包括：光电玻璃窗口结构设计：光电玻璃窗口透过率≥85%、方阻＜100Ω/□，基于此设计网络结构；掩膜版的制备：将设计的网格结构制备成掩膜版；表面处理：在光电玻璃窗口上...
    2026-04-21
  • 一种雪崩探测器及其制备方法
    一种雪崩探测器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511746048.1
    本发明属于探测器领域，具体涉及一种雪崩探测器及其制备方法。解决现有低增益雪崩探测器存在性能调控维度单一，制造工艺窗口窄及容差率低等问题。一种雪崩探测器，包括自下而上依次层叠设置的：衬底；第一半导体层，形成于所述衬底之上或作为所述衬底的一部分...
    2026-04-21
  • 一种抗辐照感光晶体管及电子设备
    一种抗辐照感光晶体管及电子设备_湖南工商大学_202610090884.7
    本发明公开了一种抗辐照感光晶体管及电子设备，涉及晶体管技术领域，包括：衬底、沟道层、栅介质层、电极结构及二维半导体材料层；沟道层位于衬底上，采用高禁带宽度半导体材料，包含非感光功能区和日盲感光区，二者通过原位掺杂梯度过渡形成RESURF结构...
    2026-04-21
  • 一种红外双极性线偏振光电探测器及制备方法
    一种红外双极性线偏振光电探测器及制备方法_天府绛溪实验室_202511792200.X
    本申请公开了一种红外双极性线偏振光电探测器及制备方法，其红外双极性线偏振光电探测器，通过将双极性材料石墨烯作为沟道材料，在其上面依次堆垛二维N型半导体材料二硫化钼MoS2和各向异性窄带隙二维材料黑磷BP，利用底栅调控石墨烯的极性，实现了能够...
    2026-04-21
  • 低噪声近红外单光子雪崩探测器及其制备方法
    低噪声近红外单光子雪崩探测器及其制备方法_中山德华芯片技术有限公司_202511828056.0
    本发明公开了一种低噪声近红外单光子雪崩探测器及其制备方法，包括n型InP衬底以及在n型InP衬底的正表面由下至上依次生长的InP缓冲层、GaAs0.51Sb0.49吸收层、InaGa1‑aAsbSb1‑b能带渐变层、内含铟量子点阵列的复合电...
    2026-04-21
  • 一种日盲紫外探测器及其制作方法
    一种日盲紫外探测器及其制作方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511966215.3
    本发明涉及一种日盲紫外探测器及其制作方法。所述日盲紫外探测器依次包括背电极、P型碳化硅衬底、第一隧穿氧化层、i型宽禁带材料层、第二隧穿氧化层、N型氧化镓层和面电极。P型碳化硅衬底、i型宽禁带材料层和N型氧化镓层构成pin异质结，能够将电子和...
    2026-04-21
  • 光电探测器及其制备方法
    光电探测器及其制备方法_武汉光谷信息光电子创新中心有限公司_202511868629.2
    本申请提供了一种光电探测器及其制备方法；其中，光电探测器包括：沿第一方向依次层叠设置的衬底、埋氧层、硅波导层、外延层和锗波导层；外延层包括沿第二方向依次排布的第一区域、第二区域和第三区域，锗波导层覆盖在部分所述第一区域、所述第二区域和部分第...
    2026-04-21
首页 上一页 18 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证