Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 快速退火设备及方法
    快速退火设备及方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511644491.8
    本公开提供了一种快速退火设备及方法。快速退火设备包括：炉体、载盘结构、吹扫装置；载盘结构包括多个支撑部和载盘，多个支撑部的一端与炉体的顶面连接，多个支撑部的另一端与载盘的底面连接；吹扫装置位于炉体的一侧，用于向载盘结构及炉体吹扫气体。
    2026-04-19
  • 光伏湿法设备洁净度的监控方法
    光伏湿法设备洁净度的监控方法_三一硅能(株洲)有限公司_202511643510.5
    本发明涉及光伏电池制造技术领域，具体涉及一种光伏湿法设备洁净度的监控方法。该监控方法包括以下步骤：监控方法，包括以下步骤：提供制绒硅片；当目标湿法机台为制绒机台时，制绒硅片本身即为监控测试样片；当目标湿法机台不为制绒机台时，制绒机台为洁净状...
    2026-04-19
  • 利用卡盘分区调节机制实现增强均匀性控制的原子层刻蚀
    利用卡盘分区调节机制实现增强均匀性控制的原子层刻蚀_上海原子启智半导体设备有限公司_202511391162.7
    本发明涉及一种利用卡盘分区调节机制实现增强均匀性控制的原子层刻蚀。该ALE工艺包含多个循环，每个循环均包括表面改性步骤和溅射步骤。所述系统采用具有独立控制区域的卡盘，在溅射步骤中可对这些区域进行选择性激活。系统控制器会在不同ALE循环中配置...
    2026-04-19
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置_株式会社国际电气_202511036809.4
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置。课题是提供能够对形成于衬底的凹部的表面中的所希望的区域进行选择性处理的技术。(a)准备具有被第1末端封端的第1区域、和被所述第1末端封端的第2区域的衬底的工序，第1区域构...
    2026-04-19
  • 一种晶圆清洗装置及清洗方法
    一种晶圆清洗装置及清洗方法_武汉芯丰精密科技有限公司_202512039059.2
    本申请涉及一种晶圆清洗装置及清洗方法，涉及半导体设备技术领域，一种晶圆清洗装置包括控制结构、承载结构、一对辊刷及一对施力结构，多组承载结构具有承托晶圆的边沿部分的晶圆承载面，多组承载结构转动以带动晶圆自转，一对辊刷对向设置于晶圆承载面的上下...
    2026-04-19
  • 一种集成电路板用二极管酸洗装置
    一种集成电路板用二极管酸洗装置_深圳星光华光电科技有限公司_202511989570.2
    本发明涉及二极管酸洗技术领域，具体是一种集成电路板用二极管酸洗装置，包括底座，所述底座固定连接有控制面板，所述底座上安装有酸洗池，还包括：与底座相连接的换液结构；与底座相连接的翻转浸液结构，所述翻转浸液结构包括与底座相连接的翻转升降机构，所...
    2026-04-19
  • 封装工件清洗方法、清洗水气路系统、存储介质及清洗设备
    封装工件清洗方法、清洗水气路系统、存储介质及清洗设备_沈阳和研科技股份有限公司_202511945828.9
    本发明的实施例提供了封装工件清洗方法、清洗水气路系统、存储介质及清洗设备，涉及半导体工艺领域。该封装工件清洗方法包括安装封装工件；启动水泵；水泵将水流泵入喷嘴，观察喷嘴的喷射方向是否朝向封装工件表面的切割道；若是，则通过变频驱动单元调节水泵...
    2026-04-19
  • 半导体芯片的划片工艺
    半导体芯片的划片工艺_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202610011571.8
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体芯片的划片工艺，包括：将硅片的与陶瓷片粘接并固化，于硅片与陶瓷片之间形成粘接层；采用划片刀对硅片的表面进行切割，于硅片的表面形成布线道及划片道；采用划片刀对划片道的两侧进行切割，于硅片厚度方向...
    2026-04-19
  • 一种晶圆复合划片工艺
    一种晶圆复合划片工艺_博康(嘉兴)半导体科技有限公司_202512004050.8
    本发明提出一种晶圆复合划片工艺，包括以下步骤：S1.利用脉冲激光束聚焦使得晶圆切割道内部形成改质层；S2.利用刀刃进行划片并将S1步骤所产生的切割道镭痕进行划片，在不切透改质层的情况下，形成最新表面切割道；S3.沿着最新表面切割道依次进行裂...
    2026-04-19
  • 晶圆处理方法及晶圆
    晶圆处理方法及晶圆_苏州微士创芯科技有限公司_202511941749.0
    本申请涉及一种晶圆处理方法及晶圆，晶圆处理方法包括：提供晶圆，晶圆包括衬底和位于衬底上的氧化层；氧化层的远离衬底的表面为凹面；在晶圆旋转的条件下，向凹面的边缘区域喷洒腐蚀液，向凹面的中间区域喷洒清洗剂，对氧化层进行腐蚀处理，使得氧化层的远离...
    2026-04-19
  • 一种接触孔的刻蚀方法与绝缘栅双极型晶体管
    一种接触孔的刻蚀方法与绝缘栅双极型晶体管_无锡邑文微电子科技股份有限公司_202512026938.1
    本发明提供了一种接触孔的刻蚀方法与绝缘栅双极型晶体管。所述方法包括：采用第一刻蚀气体对介电层进行第一刻蚀，至多晶硅层裸露；第一刻蚀气体包括碳氟气体、O2和Ar；采用第二刻蚀气体对多晶硅层进行第二刻蚀；第二刻蚀气体包括CF4、O2、HBr和C...
    2026-04-19
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品_株式会社国际电气_202511036939.8
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品。课题在于提供一种能够高效地进行衬底表面的氧化膜的蚀刻的技术。(a)准备衬底的工序，所述衬底在表面具有氧化膜、和以比原本所需的厚度T1厚出厚度T2的方式形成的含氮膜；(b)通过对所...
    2026-04-19
  • 一种用于硬脆半导体晶圆的复合表面精加工方法
    一种用于硬脆半导体晶圆的复合表面精加工方法_北京航空航天大学_202511896536.0
    本发明公开了一种用于硬脆半导体晶圆的复合表面精加工方法，属于半导体制造技术领域。该方法用于对经过精磨后的晶圆进行处理，包括以下顺序步骤：(1)利用反应性等离子体对精磨后的晶圆表面进行预处理，形成一层物理结构疏松、化学性质改变的微米级预改性层...
    2026-04-19
  • 一种高效无损伤降低SiC晶圆减薄后翘曲的方法
    一种高效无损伤降低SiC晶圆减薄后翘曲的方法_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202511825375.6
    本发明公开一种高效无损伤降低SiC晶圆减薄后翘曲的方法，包括：对待加工晶圆减薄处理，得到第一晶圆片；对第一晶圆片的背面进行激光处理，得到第二晶圆片；对第二晶圆片进行清洗，得到第三晶圆片；对第三晶圆片的背面形成背面金属。本发明利用激光脉冲局部...
    2026-04-19
  • 一种聚合物掺杂的柔性氧化物薄膜及其制备方法与应用
    一种聚合物掺杂的柔性氧化物薄膜及其制备方法与应用_华南理工大学_202511853040.5
    本发明公开了一种聚合物掺杂的柔性氧化物薄膜及其制备方法与应用。本发明将聚合物和无机金属盐溶于溶剂中得到前驱体溶液，再旋涂于衬底上，干燥后经紫外退火处理，得到有机‑无机复合介电层薄膜。以紫外退火方式促进聚合物支链上不饱和官能团或活性官能团与金...
    2026-04-19
  • 一种高介电常数柔性介电层及其基于有机/无机自对准低温制备方法与应用
    一种高介电常数柔性介电层及其基于有机/无机自对准低温制备方法与应用_华南理工大学_202511853039.2
    本发明公开了一种高介电常数柔性介电层及其基于有机/无机自对准低温制备方法与应用。本发明将有机前驱体溶液旋涂于等离子体处理的衬底上，热退火，得到有机物介电层，再在有机物介电层上旋涂无机前驱体溶液，热退火，得到无机金属氧化物介电层，最后在无机金...
    2026-04-19
  • 一种功率器件及其制备方法
    一种功率器件及其制备方法_无锡邑文微电子科技股份有限公司_202512032817.8
    本发明提供了一种功率器件及其制备方法。所述制备方法包括：(1)将衬底置于自电离等离子体反应腔室中预热；(2)在预热后的衬底表面进行第一沉积，制备Ti薄膜；(3)在Ti薄膜表面进行第二沉积，制备TiN薄膜；(4)将反应腔室抽真空，降温；(5)...
    2026-04-19
  • 一种生成稳定金属-硅化物的方法
    一种生成稳定金属-硅化物的方法_长春长光正圆微电子技术有限公司_202512017616.0
    本发明属于半导体器件制造技术领域，为了微观生成更稳定的金属化合物提供一种生成稳定金属‑硅化物的方法，将沉积金属层后的衬底置于快速热退火设备中，执行快速热退火，该过程至少包括预热阶段：控制设备中负责主加热的多个前部灯组，以额定功率的低功率值进...
    2026-04-19
  • 一种晶体管基极金属的制作方法
    一种晶体管基极金属的制作方法_福建省福联集成电路有限公司_202511919617.8
    本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种晶体管基极金属的制作方法，在发射极层的外延片表面沉积一层介质层；在介质层表面涂布两层光阻，曝光显影后，刻蚀去除暴露的介质层；在暴露的发射极层上刻蚀出截面呈倒梯形的通道；在通道上蒸镀Y字形的基极金属，所述...
    2026-04-19
  • 一种双极性晶体管基极金属的制作方法
    一种双极性晶体管基极金属的制作方法_福建省福联集成电路有限公司_202511919424.2
    本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种双极性晶体管基极金属的制作方法，在发射极层以及发射极台阶的表面沉积一层的介质层；在介质层表面涂布光阻，使用一张光罩进行曝光显影，刻蚀暴露的介质层；去除光阻，在介质层表面沉积一层Oxide层；刻蚀Oxid...
    2026-04-19
首页 上一页 18 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证