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最新专利技术
  • 半导体装置结构及其制造方法
    半导体装置结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511875888.8
    本揭露的实施例提供一种半导体装置结构及其制造方法。此结构包括一个或多个半导体层设置于基板部分上；源极/漏极区设置为相邻于基板部分和一个或多个半导体层之间；以及第一应力层设置于源极/漏极区下方，其中气隙形成于第一应力层与源极/漏极区之间。
    2026-04-21
  • 一种水平纳米空气沟道半导体器件及制备方法
    一种水平纳米空气沟道半导体器件及制备方法_电子科技大学_202610033583.0
    本发明公开了一种水平纳米空气沟道半导体器件及制备方法，该器件包括衬底，衬底包括第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层；还包括：第一电极，形成于第一衬底层上方，作为器件的源极；第一介质层，形成于第一衬底层上方未被第一电极覆盖处，作为器件的电子传输...
    2026-04-21
  • 半导体结构、制备方法及互补金属氧化物半导体器件
    半导体结构、制备方法及互补金属氧化物半导体器件_无锡沧海云帆电子科技有限公司_202512059452.8
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构、制备方法及互补金属氧化物半导体器件，半导体结构包括：自下而上层叠设置的第一衬底、第一介质层、器件层和第二介质层，第一介质层覆盖栅极接触层，器件层包括多个浅沟槽隔离结构和位于浅沟槽隔离结构之间的...
    2026-04-21
  • 一种金刚石器件及其制备方法
    一种金刚石器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511898931.2
    本发明提供一种金刚石器件及其制备方法，涉及金刚石器件技术领域。该器件包括金刚石衬底；金刚石衬底上设有导电沟道；导电沟道的一侧设有源极，另一侧设有漏极；导电沟道的正下方、金刚石衬底的内部埋设有石墨栅极；在垂直于源漏连线方向的截面，金刚石衬底全...
    2026-04-21
  • 一种超结MOSFET器件及其制备方法
    一种超结MOSFET器件及其制备方法_上海功成半导体科技有限公司_202511777283.5
    本发明提供一种超结MOSFET器件及其制备方法，超结MOSFET器件包括衬底层、第一外延层、多个第一P型柱、第二外延层、多个第二P型柱、沟槽栅、体区、源区、绝缘层、源极金属层和多个接触部，其中，第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度；...
    2026-04-21
  • 一种具有有源钳位吸收电路的GaN HEMT结构
    一种具有有源钳位吸收电路的GaN HEMT结构_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610282029.6
    本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种具有有源钳位吸收电路的GaN HEMT结构，所述GaN HEMT结构包括有基层衬底、基层缓冲层、基层GaN层、基层AlGaN层，所述GaN HEMT结构还包括：基层源极、漏极金属、基层栅极、基层介质层、...
    2026-04-21
  • 具有特殊高阻层的GaN HEMT外延结构及其制备方法
    具有特殊高阻层的GaN HEMT外延结构及其制备方法_广西云芯半导体科技有限公司_202610026717.6
    本发明公开了一种具有特殊高阻层的GaN HEMT外延结构，外延结构在过渡层和势垒层之间设置有特殊高阻层，特殊高阻层包括依次交替层叠布置的至少一高阻层与至少一δ掺杂层，δ掺杂层的碳掺杂浓度高于高阻层的碳掺杂浓度，δ掺杂层能够优化电场分布，以有...
    2026-04-21
  • 一种具有氧化镓背势垒结构的GaN基HEMT射频器件
    一种具有氧化镓背势垒结构的GaN基HEMT射频器件_南京邮电大学_202610020175.1
    本发明公开了一种具有氧化镓背势垒结构的GaN基HEMT射频器件，属于半导体射频功率器件制造技术领域。所述射频器件的外延结构包括衬底，所述衬底上依次生长有β‑Ga2O3缓冲层和GaN沟道层；远离β‑Ga2O3缓冲层的GaN沟道层表面两端分别沉...
    2026-04-21
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_上海新微半导体有限公司_202511945337.4
    本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，包括：基底包括衬底和依次层叠于衬底上的沟道层和势垒层；帽层位于部分势垒层上；钝化层位于帽层、势垒层上；栅电极贯穿位于帽层上方的钝化层，直至与帽层接触；源电极位于帽层的一侧，源电极贯穿钝化层与势...
    2026-04-21
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_上海新微半导体有限公司_202511945327.0
    本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，包括：衬底；缓冲层位于衬底上，用于促进P型阻挡层、沟道层的晶体生长，优化晶体形态，P型阻挡层位于缓冲层上，沟道层位于P型阻挡层上，势垒层位于沟道层上，其中，沟道层中具备二维电子气，P型阻挡层于...
    2026-04-21
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511159736.8
    一种半导体器件可以包括：沟道层；阻挡层，位于沟道层上并且包括具有与沟道层不同的能带隙的材料；位于阻挡层上的栅电极；位于阻挡层和栅电极之间的栅极半导体层；保护层，位于阻挡层上并且覆盖栅电极；以及源电极和漏电极，位于栅电极的相反侧上并且电连接到...
    2026-04-21
  • 金属氧化物薄膜晶体管制备方法及金属氧化物薄膜晶体管
    金属氧化物薄膜晶体管制备方法及金属氧化物薄膜晶体管_苏州大学_202610293761.3
    本发明属于半导体器件技术领域，涉及金属氧化物薄膜晶体管制备方法及金属氧化物薄膜晶体管，提供绝缘衬底，在绝缘衬底表面形成金属氧化物半导体薄膜后，先在大于350℃的非氧化气氛下退火处理，然后在大于等于350℃的氧化气氛下退火处理，从而制备得到退...
    2026-04-21
  • 一种集成肖特基的SiC MOSFET器件及其制作方法
    一种集成肖特基的SiC MOSFET器件及其制作方法_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202610281919.5
    本发明公开一种集成肖特基的SiC MOSFET器件及其制作方法，在制备好包含第二导电类型阱区、第一导电类型源区及重掺杂区以及位于相邻阱区之间的轻掺杂JFET区的SiC外延结构后，经过栅介质与栅电极的形成与图形化，并制作隔离介质侧墙，随后一次...
    2026-04-21
  • 沟槽型碳化硅MOSFET器件及制备方法
    沟槽型碳化硅MOSFET器件及制备方法_上海积塔半导体有限公司_202610031195.9
    本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及制备方法，制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一外延层、第二外延层和第三外延层，第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度，在外延层内形成阱区和源区；刻蚀形成虚拟沟槽，虚...
    2026-04-21
  • LDMOS器件及其制备方法
    LDMOS器件及其制备方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511991254.9
    本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种LDMOS器件及其制备方法，该制备方法包括：在半导体衬底中形成掺杂类型不同的漂移区和阱区，漂移区和阱区横向分布在半导体衬底内；在漂移区的表面形成场氧层，场氧层具有开口；采用离子注入工艺在漂移区形成漏区和...
    2026-04-21
  • 沟槽栅器件的制造方法
    沟槽栅器件的制造方法_南通尚阳通集成电路有限公司_202511976708.5
    本发明公开了一种沟槽栅器件的制造方法，包括：形成沟槽栅。形成屏蔽氧化层并采用干法刻蚀工艺控制屏蔽氧化层的厚度以使屏蔽氧化层的厚度均匀。进行体注入形成体区，屏蔽氧化层的厚度均匀结构使体区的底部表面位置平坦。去除屏蔽氧化层，栅极沟槽的顶角处会产...
    2026-04-21
  • p-GaN HEMT器件及其制备方法
    p-GaN HEMT器件及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511955869.6
    本发明提供一种p‑GaN HEMT器件及其制备方法，通过在p‑GaN帽层与栅极金属层之间引入特定能带结构的插入层，实现了对电子和空穴输运的非对称调控。具体而言，该插入层的导带底能量高于p‑GaN帽层的导带底能量，且其价带顶能量高于p‑GaN...
    2026-04-21
  • 一种PMOS晶体管的形成方法
    一种PMOS晶体管的形成方法_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511935854.3
    本发明提供一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬体表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底形成有用于沉积源区/漏区的凹槽；在所述凹槽内沉积硅锗，从所述凹槽表面至远离凹槽表面的方向依次沉积过渡层、籽晶层、主体...
    2026-04-21
  • 金刚石场效应晶体管制备方法和金刚石场效应晶体管
    金刚石场效应晶体管制备方法和金刚石场效应晶体管_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511886049.6
    本申请提供了一种金刚石场效应晶体管制备方法和金刚石场效应晶体管，属于半导体技术领域，在金刚石衬底顶面沉淀牺牲层，并图形化牺牲层；在金刚石衬底顶面沉积金刚石外延层；使金刚石外延层完全覆盖牺牲层，使牺牲层的两端对应暴露至金刚石外延层的第一端面和...
    2026-04-21
  • 一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_上海功成半导体科技有限公司_202511721942.3
    本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，通过于相邻沟槽之间的层间介质层中形成长条连续型的非对称接触孔，其中，接触孔与第一沟槽的第一距离小于接触孔与第二沟槽的第二距离，使得距离第一沟槽近的接触孔的一侧的离子浓度较高，因而阈值电压...
    2026-04-21
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