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最新专利技术
  • 用于EUV光源的抗堵塞液滴发生器
    用于EUV光源的抗堵塞液滴发生器_ASML荷兰有限公司_202480065283.X
    一种用于EUV光源的液滴发生器包括：结构内的流体腔，流体腔具有开放的或者能够接收流体的第一流体腔端和第二流体腔端；流体腔内的颗粒过滤器，将流体腔划分为颗粒过滤器的上游表面和第一流体腔端之间的上游体积、由过滤器占用的过滤器体积和在过滤器的下游...
    2026-05-11
  • 布线电路基板的制造方法
    布线电路基板的制造方法_日东电工株式会社_202480065104.2
    一种布线电路基板的制造方法，其包括：第一工序，将在布线电路的形成工序中使用后的布线电路形成用处理液的废液供于电化学处理和渗析处理中的至少任一种回收处理，得到包含处理液成分的回收处理液；第二工序，使用所述回收处理液来准备再利用布线电路形成用处...
    2026-05-11
  • 玻璃基底金属化方法、包括其的用于制造玻璃基底的方法以及金属化玻璃基底
    玻璃基底金属化方法、包括其的用于制造玻璃基底的方法以及金属化玻璃基底_株式会社LG化学_202580001976.7
    本公开内容旨在提供玻璃基底金属化方法，所述玻璃基底金属化方法包括使用特定组合物的玻璃基底金属化加速过程，并因此可以仅通过湿法在具有高纵横比的玻璃基底上均匀地形成金属层。
    2026-05-11
  • 电子设备及壳体组件
    电子设备及壳体组件_华为技术有限公司_202480058449.5
    本申请涉及终端技术领域，本申请公开了一种电子设备和壳体组件，电子设备包括壳体和可动装饰模组。可动装饰模组至少部分地露出于壳体的外壁面，并至少部分地可相对于壳体运动。可动装饰模组相对于壳体运动时，能够产生控制电子设备运行的电信号。也即，可动装...
    2026-05-11
  • 具有传感器的冷却剂分配通道的直接液冷系统
    具有传感器的冷却剂分配通道的直接液冷系统_利塔尔两合公司_202480062392.6
    本申请涉及一种用于IT基础设施的直接液冷系统(DLC)，IT基础设施包括至少一个待冷却组件(2)，其中，直接液冷系统包括冷却剂分配单元(CDU)和冷却剂分配通道(7)，冷却剂分配通道由冷却剂分配单元(CDU)供给冷却液体，其特征在于，该冷却...
    2026-05-11
  • 一种存储阵列及其制作方法、存储器以及电子设备
    一种存储阵列及其制作方法、存储器以及电子设备_华为技术有限公司_202380102820.9
    本申请实施例提供一种存储阵列及其制作方法、存储器以及电子设备，涉及半导体存储技术领域，用于在不影响存储器容量的情况下，减小存储器的尺寸。存储阵列包括衬底、晶体管链、电容阵列以及电连接结构。晶体管链包括串联的多个晶体管。电容阵列中，一个柱状电...
    2026-05-11
  • 存储装置及其制造方法
    存储装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202480003321.9
    提供了一种存储装置、存储系统以及制造方法。所公开的存储装置包括：垂直晶体管的阵列，所述垂直晶体管的阵列布置在横向平面中，每个垂直晶体管包括：沟道结构，所述沟道结构相对于所述横向平面垂直延伸；以及漏极结构，所述漏极结构包括：与所述沟道结构的第...
    2026-05-11
  • 含有钌(Ru)的电极的阻变随机存取存储器(RRAM)器件
    含有钌(Ru)的电极的阻变随机存取存储器(RRAM)器件_特忆智能科技_202480065327.9
    本公开提供了阻变随机存取存储器(RRAM)器件及其制备方法。RRAM器件可以包括第一电极、包括钌(Ru)的第二电极以及制备在第一电极与第二电极之间的开关氧化物层。所述第一电极包括钯、氮化钛和氮化钽中的至少一种。所述开关氧化物层至少包括一种过...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长江存储控股股份有限公司_202480003296.4
    半导体结构包括第一半导体芯片和沿着第一方向与第一半导体芯片堆叠的第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括包含沿着第一方向延伸的第一接触结构的第一存储结构和被设置在第一衬底上的第一外围结构，所述第一外围结构与所述第一存储结构接触并且包括沿着所述...
    2026-05-11
  • 存储器装置及其制作方法
    存储器装置及其制作方法_长江存储控股股份有限公司_202480003301.1
    一种存储器装置，包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一接触结构和第二接触结构。所述第一半导体芯片包括第一半导体结构和穿透所述第一半导体结构的第一电介质层。所述第二半导体芯片沿第一方向与所述第一半导体芯片堆叠，并且所述第二半导体芯片包括第二...
    2026-05-11
  • 具有模块化架构的加速单元
    具有模块化架构的加速单元_超威半导体公司_202480064502.2
    一种处理系统(100)包括一个或多个加速器单元(AU)(114)，每个AU具有模块化架构。为此，每个AU包括连接电路(116)和设置在连接电路上的一个或多个存储器堆叠(122)。此外，每个AU包括一个或多个中介层管芯(118)，每个中介层管...
    2026-05-11
  • 半导体装置的制造方法以及等离子处理方法
    半导体装置的制造方法以及等离子处理方法_株式会社日立高新技术_202480053741.8
    本发明提供一种等离子处理方法，在具有层叠有线状或者片状的沟道的构造的GAA型FET中，在根据晶体管的种类来区别制作功函数金属的工序中，即使是在上述沟道上形成栅极绝缘膜和功函数金属之后在层叠的沟道(3)间存在间隙的情况，也能够不使用填埋间隙的...
    2026-05-11
  • 晶体管器件
    晶体管器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202480062373.3
    公开了一种晶体管器件。
    2026-05-11
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480063898.9
    该半导体装置设置有：半导体基板；光透射层，该光透射层布置在半导体基板的第一表面侧并且透射预定波长的光；再布线层，至少部分地形成在半导体基板的平面方向上的外侧；模制部，在与第一表面相反的第二表面侧将至少半导体基板和光透射层一体化；贯通孔，形成...
    2026-05-11
  • 包括柱状凸块的图像传感器封装件
    包括柱状凸块的图像传感器封装件_金成浩_202480064531.9
    本发明涉及包括柱状凸块的图像传感器封装件，其包括：图像传感器，具有受光部，且接近所述受光部设置有接触垫部；基板，包括多个窗口、连接垫、第一接触部、第二接触部及焊球，所述多个窗口隔着规定间隔贯通，所述连接垫用于对集成于除所述窗口之外的一面的集...
    2026-05-11
  • 封装和用于制造封装的方法
    封装和用于制造封装的方法_索尼半导体解决方案公司_202480063897.4
    能够在使安装面积的增加最小化的同时实现封装芯片。一种封装包括：面朝下安装的传感器芯片；面朝下安装在与传感器芯片不同位置处的半导体芯片；以使得传感器芯片的背表面侧露出的方式将传感器芯片和半导体芯片共同密封的密封材料；以及在其上安装有传感器芯片...
    2026-05-11
  • 太阳能电池制造装置和太阳能电池制造方法
    太阳能电池制造装置和太阳能电池制造方法_韩华思路信株式会社_202480064817.7
    根据本发明的实施方式的太阳能电池制造装置包括：基部单元，该基部单元传送并支承安置有太阳能电池的载台；以及固化单元，该固化单元布置在基部单元的上部上，并且形成为具有中空部分，该中空部分具有开放的下部，以覆盖基部单元的上部的一部分。基部单元包括...
    2026-05-11
  • 太阳能电池制造装置和太阳能电池制造方法
    太阳能电池制造装置和太阳能电池制造方法_韩华思路信株式会社_202480065358.4
    根据本发明的实施方式的太阳能电池制造装置包括 : 第一基部单元，在该第一基部单元上设置并传送安装有太阳能电池的载台；第二基部单元，该第二基部单元布置在第一基部单元的下侧，并且传送从第一基部单元供应的载台；第一载台升降单元，该第一载台升降单元...
    2026-05-11
  • 显示器像素用半导体发光元件的组装用基板及包含其的显示装置
    显示器像素用半导体发光元件的组装用基板及包含其的显示装置_LG电子株式会社_202380102986.0
    根据实施例的显示器像素用半导体发光元件的组装用基板可以包括：基板；多个组装配线，它们配置在上述基板上；隔板，其配置在上述多个组装配线上，并且具备组装孔；以及隔板通道，其与上述组装孔相邻配置。
    2026-05-11
  • 高电压LED发射器
    高电压LED发射器_亮锐有限责任公司_202480049353.2
    描述了一种用于车辆应用的在大于约6V下驱动的高功率LED阵列以及制造该LED阵列的方法。镜设置在n‑半导体层和p‑半导体层上。电介质间隔物设置在p‑半导体和镜之间。硬掩模沉积在电介质间隔物上，并且具有带有到镜的导体的开口。电介质层沉积在硬掩...
    2026-05-11
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