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最新专利技术
  • 处理方法、半导体装置的制造方法、处理装置以及程序
    处理方法、半导体装置的制造方法、处理装置以及程序_株式会社国际电气_202480065586.1
    具有如下工序：(a)使在表面具有第一材料和含有与构成所述第一材料的元素相同的元素的第二材料的基板暴露于改性剂，从而对所述第一材料的表面进行改性，以使构成所述改性剂的分子的分子结构的至少一部分X吸附于所述第一材料的表面而形成第一抑制剂层；以及...
    2026-05-14
  • 基板处理装置、基板处理方法及基板处理程序
    基板处理装置、基板处理方法及基板处理程序_株式会社斯库林集团_202480065111.2
    通过向形成有被膜的基板供给处理液而处理被膜的基板处理装置具备：旋转驱动部，其保持基板W且使基板旋转；喷出部，其喷出处理液；处理液供给部，其向喷出部供给处理液；喷出驱动部，其使喷出部移动至由旋转驱动部保持的基板上的在基板的径向上不同的复数个位...
    2026-05-14
  • 硅晶片的研磨方法
    硅晶片的研磨方法_胜高股份有限公司_202480064844.4
    提供PID个数较少的硅晶片以及能够制造该硅晶片的硅晶片的研磨方法。根据本发明的硅晶片的研磨方法具备：F/T值计算工序(S11)，在硅晶片的研磨工序中，测量将旋转平台旋转驱动的马达的负载电流值F和研磨垫的表面温度T，计算F/T值；PID评价工...
    2026-05-14
  • CMP研磨用添加剂和包含该添加剂的CMP研磨用组合物
    CMP研磨用添加剂和包含该添加剂的CMP研磨用组合物_日油株式会社_202480065546.7
    本发明可以提供一种可通过CMP研磨用添加剂而在不使用经表面修饰的金属氧化物等粒子作为磨粒的情况下抑制磨粒的凝聚、提高研磨速度的技术，所述CMP研磨用添加剂包含如下聚羧酸系共聚物，该聚羧酸系共聚物的重均分子量为14000以下并且包含如下化合物...
    2026-05-14
  • 基板处理方法
    基板处理方法_周星工程股份有限公司_202480065222.3
    本公开涉及一种基板处理方法，更具体地，涉及一种用于在基板上生长薄膜的基板处理方法。根据示例性实施例的基板处理方法包括在反应空间中准备基板的准备步骤、将基板暴露于第一等离子体的清理步骤、在基板上形成薄膜的薄膜形成步骤以及将形成有薄膜的基板暴露...
    2026-05-14
  • 基板处理装置、气体供给抑制构造、基板处理方法及半导体装置的制造方法
    基板处理装置、气体供给抑制构造、基板处理方法及半导体装置的制造方法_株式会社国际电气_202480064754.5
    具有：处理室，其处理基板；基板支撑部，其设置于上述处理室，能够支撑第一基板或外径比上述第一基板小的第二基板；气体供给部，其设置于与上述基板支撑部对置的位置，具有内径比上述第二基板的外径大的环状的第一区域、以及设置于上述第一区域的内周侧的第二...
    2026-05-14
  • 芯片拾取装置
    芯片拾取装置_松下知识产权经营株式会社_202480064915.0
    芯片拾取装置具备：拾取头，其具有保持件；以及芯片顶起装置，其从粘合片的下表面将芯片顶起而辅助保持件对芯片进行保持。芯片顶起装置包括：筒状体，其具有内部空间；盖，其具有与粘合片抵接的上表面、在上表面开口的贯通孔、以及向上表面导入负压的空气流路...
    2026-05-14
  • 基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法及程序
    基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法及程序_株式会社国际电气_202480065134.3
    本发明具有：处理室，其处理基板；基板支撑部，其具备能够在所述处理室内支撑基板的基板支撑面；第一气体供给部，其能够经由第一气体供给孔向所述处理室供给处理气体；第二气体供给部，其能够经由第二气体供给孔向所述基板支撑部的侧方供给非处理气体；第一壁...
    2026-05-14
  • 非PFAS流体在液态和超临界流体状态下流经衬底处理系统部件的循环
    非PFAS流体在液态和超临界流体状态下流经衬底处理系统部件的循环_朗姆研究公司_202480065202.6
    用以处理衬底的衬底处理系统包含部件、冷却回路和至少一个控制器。该部件包含一个或更多冷却剂通道。冷却回路被配置成使非PFAS流体循环通过一个或更多冷却剂通道以冷却第一部件。非PFAS流体满足以下至少一者：i)不存在多氟烷基物质且不存在全氟烷基...
    2026-05-14
  • 从半导体晶圆回收有机污染物的系统和方法
    从半导体晶圆回收有机污染物的系统和方法_基础科学公司_202480065246.9
    本发明描述了线内/在管线中生成有机溶剂扫描溶液和校准标准物以用于半导体晶圆分析的系统和方法。方法实施例包括但不限于：经由泵系统从第一有机化学源抽吸第一有机溶剂；经由所述泵系统从第二有机化学源抽吸第二有机溶剂；将所述第一有机溶剂和所述第二有机...
    2026-05-14
  • 用于处理晶圆的装置
    用于处理晶圆的装置_朗姆研究公司_202480065968.4
    晶圆处理装置包括：用于支撑晶圆的支撑件；经由第一流动路径与液体源连接的第一分配喷嘴；经由第二流动路径与液体源连接的第二分配喷嘴；在第一流动路径中的第一阀；以及在第二流动路径中的第二阀；其中，第一分配喷嘴和第二分配喷嘴配置为定位在由支撑件所支...
    2026-05-14
  • 载台装置、光刻装置和物品制造方法
    载台装置、光刻装置和物品制造方法_佳能株式会社_202480065376.2
    一种载台装置包括：载台；致动器，其驱动所述载台，具有与所述载台一起移动的动子和对动子产生推力的定子；陀螺力矩产生单元，其连接至所述动子；以及控制单元，其控制陀螺力矩产生单元，使得通过使用致动器驱动载台而作用于动子上的力矩的至少一部分被陀螺力...
    2026-05-14
  • 对准器和基板处理系统
    对准器和基板处理系统_昕芙旎雅有限公司_202480066415.0
    提供了一种能够基于框架部或基板来校正带框架的位置的技术。控制器(150)可以通过第一位置校正处理或第二位置校正处理来执行位置校正，该第一位置校正处理是基于由相机(120)拍摄的框架部(F)的拍摄图像来校正安装在载台(100)上的带框架(TF...
    2026-05-14
  • 成形方法、成形设备和物品制造方法
    成形方法、成形设备和物品制造方法_佳能株式会社_202480064224.0
    当对基板的外边缘部的部分照射区域执行压印处理时，压印材料可能保持附着至模具，并且本发明解决的问题是减少在后续照射区域中导致图案缺陷的这种现象的发生。本发明是一种用于基板(2)的多个区域中的每一个的压印处理的成形方法，其中：所述多个区域包括不...
    2026-05-14
  • 陶瓷绝缘基板
    陶瓷绝缘基板_株式会社KCC_202480065300.X
    根据本发明的陶瓷绝缘基板包括：陶瓷基材；第一金属层，其设置于上述陶瓷基材的上面；第二金属层，其设置于上述陶瓷基材的下面，上述第二金属层部分地配置于上述陶瓷基材的下面；以及第三金属层，其设置于上述第二金属层的下侧，上述第二金属层排列成使得上述...
    2026-05-14
  • 功率转换装置
    功率转换装置_三菱电机株式会社_202380103203.0
    本公开的目的是提供一种能够实现散热片面内的热传导均匀化的技术。功率转换装置包括半导体装置、冷却器、设置在半导体装置与冷却器之间的散热片，以及覆盖半导体装置的上部以及侧部的箱体。半导体装置包括：半导体元件、绝缘侧、分别设置在绝缘侧的上表面以及...
    2026-05-14
  • 功率半导体设备及其接合方法
    功率半导体设备及其接合方法_达尔科技股份有限公司_202480005003.6
    一种设备包含：背侧支撑层，其具有第一厚度；粘合剂层，其在所述背侧支撑层之上；金属层，其在所述粘合剂层之上，其中所述金属层用作背侧连接器；半导体衬底层，其在所述金属层之上，其中所述半导体衬底有源层具有第二厚度；及多个前侧连接器，其中所述半导体...
    2026-05-14
  • 半导体装置的制造方法、半导体装置、基板处理装置以及程序
    半导体装置的制造方法、半导体装置、基板处理装置以及程序_株式会社国际电气_202480065190.7
    本发明提供一种在基板与半导体芯片间埋入底层填充材料时，可抑制孔隙的产生的技术。所述技术具有如下工序：通过分别形成在基板的与半导体芯片的接合面侧的第一面和所述半导体芯片的与所述基板的接合面侧的第二面上的微凸块接合的所述基板和所述半导体芯片的至...
    2026-05-14
  • 采用金属氧化物用于直接金属键合的方法与结构
    采用金属氧化物用于直接金属键合的方法与结构_艾德亚半导体接合科技有限公司_202480065542.9
    半导体元件在混合键合表面处的导电特征之上被提供，具有微结构金属氧化物层。微结构金属氧化物层包括细小的金属氧化物粒，诸如纳米粒。该粒可以通过氧化导电特征中包括的金属，或通过在导电特征之上提供金属氧化物而在导电特征之上被形成。当被直接键合到另一...
    2026-05-14
  • 半导体装置、信号传递装置、电子设备和车辆
    半导体装置、信号传递装置、电子设备和车辆_罗姆股份有限公司_202480066359.0
    一种半导体装置(410)包括输入端子(411a)、阈值电压生成电路(411d)和至少一个比较电路(411e)。阈值电压生成电路(411d)被配置为生成包含取决于电源电压(VCC1)的波动分量的至少一个阈值电压(Vthx1至VthxN)。比较...
    2026-05-14
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