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最新专利技术
  • 成形方法、成形设备和物品制造方法
    成形方法、成形设备和物品制造方法_佳能株式会社_202480064224.0
    当对基板的外边缘部的部分照射区域执行压印处理时，压印材料可能保持附着至模具，并且本发明解决的问题是减少在后续照射区域中导致图案缺陷的这种现象的发生。本发明是一种用于基板(2)的多个区域中的每一个的压印处理的成形方法，其中：所述多个区域包括不...
    2026-05-14
  • 陶瓷绝缘基板
    陶瓷绝缘基板_株式会社KCC_202480065300.X
    根据本发明的陶瓷绝缘基板包括：陶瓷基材；第一金属层，其设置于上述陶瓷基材的上面；第二金属层，其设置于上述陶瓷基材的下面，上述第二金属层部分地配置于上述陶瓷基材的下面；以及第三金属层，其设置于上述第二金属层的下侧，上述第二金属层排列成使得上述...
    2026-05-14
  • 功率转换装置
    功率转换装置_三菱电机株式会社_202380103203.0
    本公开的目的是提供一种能够实现散热片面内的热传导均匀化的技术。功率转换装置包括半导体装置、冷却器、设置在半导体装置与冷却器之间的散热片，以及覆盖半导体装置的上部以及侧部的箱体。半导体装置包括：半导体元件、绝缘侧、分别设置在绝缘侧的上表面以及...
    2026-05-14
  • 功率半导体设备及其接合方法
    功率半导体设备及其接合方法_达尔科技股份有限公司_202480005003.6
    一种设备包含：背侧支撑层，其具有第一厚度；粘合剂层，其在所述背侧支撑层之上；金属层，其在所述粘合剂层之上，其中所述金属层用作背侧连接器；半导体衬底层，其在所述金属层之上，其中所述半导体衬底有源层具有第二厚度；及多个前侧连接器，其中所述半导体...
    2026-05-14
  • 半导体装置的制造方法、半导体装置、基板处理装置以及程序
    半导体装置的制造方法、半导体装置、基板处理装置以及程序_株式会社国际电气_202480065190.7
    本发明提供一种在基板与半导体芯片间埋入底层填充材料时，可抑制孔隙的产生的技术。所述技术具有如下工序：通过分别形成在基板的与半导体芯片的接合面侧的第一面和所述半导体芯片的与所述基板的接合面侧的第二面上的微凸块接合的所述基板和所述半导体芯片的至...
    2026-05-14
  • 采用金属氧化物用于直接金属键合的方法与结构
    采用金属氧化物用于直接金属键合的方法与结构_艾德亚半导体接合科技有限公司_202480065542.9
    半导体元件在混合键合表面处的导电特征之上被提供，具有微结构金属氧化物层。微结构金属氧化物层包括细小的金属氧化物粒，诸如纳米粒。该粒可以通过氧化导电特征中包括的金属，或通过在导电特征之上提供金属氧化物而在导电特征之上被形成。当被直接键合到另一...
    2026-05-14
  • 半导体装置、信号传递装置、电子设备和车辆
    半导体装置、信号传递装置、电子设备和车辆_罗姆股份有限公司_202480066359.0
    一种半导体装置(410)包括输入端子(411a)、阈值电压生成电路(411d)和至少一个比较电路(411e)。阈值电压生成电路(411d)被配置为生成包含取决于电源电压(VCC1)的波动分量的至少一个阈值电压(Vthx1至VthxN)。比较...
    2026-05-14
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