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  • 本申请涉及光伏组件技术领域,具体涉及太阳能电池及制备方法、叠层电池、光伏组件。本申请的太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:提供电池中间体;于电池中间体表面涂覆导电材料;将导电材料烧结固化,形成预成型栅线;对预成型栅线进行激光处理,制备太阳能...
  • 本申请涉及一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件,其中,所述太阳能电池的制造方法包括:提供基底,于所述基底的一侧表面形成第一减反层;于所述第一减反层远离所述基底的一侧形成细栅层,所述细栅层包括多条相互间隔的细栅,且所述细栅沿第一方向延伸;于所...
  • 本申请提供了基于柔性衬底的短波铟镓砷红外探测器及其制备方法,属于短波红外探测器技术领域;解决了传统的InP基铟镓砷短波红外探测器刚性太强,无法实现在屈曲、异型环境中使用的问题;该方法包括以下步骤:在衬底上生长与之具有高选择性的N型的牺牲层;...
  • 本发明涉及太阳能电池制造技术领域,具体公开了一种XBC电池激光图形化多图层变频方法。针对现有XBC电池激光图形化工艺中,因电池片扩散掺杂后不同区域掺杂膜层(BSG/PSG层)存在4‑10nm厚度差异,单图层固定激光参数导致边缘残留、中间热损...
  • 本发明提供一种电池串、光伏组件制备方法及制备装置,其中电池串制备方法,包括如下步骤:采用电池片组件制备机构制备第一电池片组件及第二电池片组件,将各第一电池片组件及第二电池片组件间隔平铺放置于循环输送带上,循环输送带具有至少两个输入端,各电池...
  • 本发明涉及半导体光电子材料技术领域,具体涉及一种基于原位自还原表面等离子体共振效应的异质结光电材料、制备方法及应用,其技术点是:在基底上沉积MoS2量子点,采用低温溶剂热法制备选择性暴露(100)晶面的Cs2AgBiI6纳米片得到Cs2Ag...
  • 本申请公开了太阳能电池及其制备方法。该方法包括:提供硅基底,并对硅基底顺序进行第一步制绒和第二步制绒,以在硅基底的至少一侧表面形成绒面,第一步制绒的处理时长小于第二步制绒的处理时长,且第一步制绒中采用的制绒液的浓度大于第二步制绒中采用的制绒...
  • 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和在制备光伏组件中的用途,涉及太阳能电池技术领域。所述背接触太阳能电池通过在TCO层上形成一层光敏掩膜层,并对该掩膜层进行至少两个独立的图形化操作,依次定义用于湿法刻蚀的绝缘窗口和用于电镀成栅的图...
  • 本发明涉及光伏组件制备技术领域,公开了一种多分片、多主栅、负间距零隐裂组件的制备方法,包括以下步骤:S1、电池片预处理:将整片晶体硅电池片划片后得到多分片电池片,对划片后的电池片进行清洗、烘干;S2、UV胶印刷:在所述多分片电池片的重叠区域...
  • 本发明涉及光伏技术领域,具体而言,涉及太阳电池的分片方法、太阳电池和光伏组件,该分片方法包括在待切割的电池片需要切割的位置处涂覆光固胶,并固化,以形成阻挡层;在阻挡层处对电池片进行切割;对切割后的电池片进行钝化处理,以在切割后的电池片的边缘...
  • 本申请公开了一种改善电极焊接拉力的方法,涉及光伏技术领域。改善电极焊接拉力的方法包括:在电池片的侧面沉积边缘钝化层;将电池片的正面和/或背面的设定区域贴附于含有酸性物质的水凝胶,以刻蚀去除绕镀于电极上的钝化层材料,其中,钝化层材料包括沉积边...
  • 本发明公开了一种光伏焊带焊接前的处理方法、焊接方法和太阳电池组件,本发明提供的光伏焊带焊接前的处理方法,包括:采用预热工艺对涂覆水基助焊剂的光伏焊带进行预热处理。涂覆水基助焊剂的光伏焊带在焊接前通过预热处理,能有效降低水基助焊剂在焊带表面的...
  • 本发明公开了一种异质结太阳电池及其光子烧结方法,属于光伏技术领域。该方法包括:对导电银浆进行光子烧结,银浆中的含银量为8~25%且银浆中导电物质的总含量不低于90%;光子烧结过程中通入水汽。通过通入水汽,水汽在光子烧结过程中,可剥离出H元素...
  • 本发明公开了一种MoS2基的二维半导体光电材料制备方法及其应用,属于光电材料制备领域,所述制备方法包括:a采用化学气相沉积法,在惰性气体保护下,以MoO3和硫为前驱体,在预设基底上反应生长,得到单层MoS2;将Mo2Ga2C前驱体粉末通过含...
  • 本发明提供一种太阳能光伏背板亲‑憎水双面同步处理装置及方法,装置包括传送机构、亲水处理模块和憎水处理模块,传送机构用于传送光伏背板,亲水处理模块分布在传送机构的一侧,用于对光伏背板的一面进行亲水处理;憎水处理模块分布在传送机构的另一侧,用于...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提出了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池、组件及光伏系统,该方法包括:提供硅基底;对硅基底进行钝化前处理,以形成待钝化硅基底;在第一反应腔室内通入前驱物,使待钝化硅基底形成氧化铝膜;前驱物包括TMA、水蒸气...
  • 本发明公开了一种增强Ⅲ‑Ⅴ族聚光太阳电池超细栅线牢固度的上电极制备方法及应用,针对现有Ⅲ‑Ⅴ族聚光太阳电池超细栅线制备过程中掉栅的问题,提供了一种增强其牢固度的方法,包括器件工艺方法和电极结构的变化。通过调整器件工艺方法,即先腐蚀Cap层再...
  • 本发明公开了一种石墨烯光电探测器与石墨烯射频放大器的单片集成制造方法,包括如下步骤:在衬底表面转移石墨烯层;将石墨烯层加工成石墨烯光电探测器的沟道与石墨烯放大器的沟道;制备石墨烯光电探测器的源电极、漏电极,以及石墨烯射频放大器的源电极、漏电...
  • 本发明公开了一种基于Te纳米片与2的异质结光电探测器及其制备方法,属于半导体光电探测器技术领域,包括:在衬底上制备金属电极;通过水热法合成Te纳米片,并采用第一聚二甲基硅氧烷PDMS介导的干法转移工艺,将所述Te纳米片定位并转移至所述金属电...
  • 本发明公开一种砷化镓太阳电池上电极及其制备方法,结合磁控溅射、激光加工与电镀工艺制备无 Au 电极,制备时先在锗衬底生长正向单结或多结外延层,清洗后磁控溅射 Ti‑Ni‑Ag 或 Ti‑Pd‑Ag 种子层;再用飞秒或皮秒激光按栅线图去除非电...
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