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  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054774.3
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-20
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054773.9
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-20
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054772.4
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-20
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054424.7
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-20
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032669.X
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-20
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032667.0
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-20
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032657.7
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-20
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032158.8
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-20
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032156.9
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-20
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032142.7
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-20
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032124.9
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-20
  • 一种LED芯片及其制作方法
    一种LED芯片及其制作方法_聚灿光电科技股份有限公司_202610279521.8
    本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括蓝宝石衬底；设置在所述蓝宝石衬底上的键合介质层；设置在所述键合介质层上的半导体外延叠层，所述半导体外延叠层由下至上依次包括P型GaP层、多量子阱发光层、AlInGaP层和N型GaAs层...
    2026-04-20
  • 发光器件及其制备方法、显示装置
    发光器件及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411388465.9
    提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，发光器件包括多个第一发光单元，第一发光单元包括第一量子阱层和第二量子阱层，第二量子阱层位于第一量子阱层靠近发光器件的出光侧的一侧；其中，第一量子阱层用于发出第一颜色的光，第二量子阱层用于基于第一颜色的...
    2026-04-20
  • 发光器件及其制备方法
    发光器件及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610035313.3
    本发明公开了一种发光器件及其制备方法，所述发光器件包括N型硅衬底、位于N型硅衬底上的黑磷层、及电极，所述电极包括与所述N型硅衬底电性连接的第一电极及与所述黑磷层电性连接的第二电极，所述黑磷层与所述N型硅衬底形成异质结。本发明以N型硅衬底作为...
    2026-04-20
  • 一种用于提升AlGaN基深紫外发光二极管性能的优化设计方法
    一种用于提升AlGaN基深紫外发光二极管性能的优化设计方法_郑州大学_202610022072.9
    本发明涉及隧道结技术领域，具体为一种用于提升AlGaN基深紫外发光二极管性能的优化设计方法，包括以下步骤：选取空穴传输层与p‑GaN界面为隧道结界面，记录材料组分布受主分布及厚度参数，获取隧道结厚度范围，计算空穴隧穿注入能力评估电子泄漏，依...
    2026-04-20
  • 一种垂直结构LED芯片及其制备方法
    一种垂直结构LED芯片及其制备方法_西安交通大学_202512054966.4
    本发明一种垂直结构LED芯片及其制备方法，属于半导体照明技术领域。该制备方法包括：在外延衬底上生长N型半导体层；在N型半导体层的顶层区域通过刻蚀工艺制备第一纳米多孔光子晶体结构；在该结构上继续外延生长多量子阱层和P型半导体层；在P型半导体层...
    2026-04-20
  • 发光二极管芯片的制作方法
    发光二极管芯片的制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511643243.1
    本公开提供了一种发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：将晶圆置于第一清洗液中浸泡处理，所述第一清洗液为用于去除有机残留物的溶剂型剥离液；对经过所述第一清洗液处理后的所述晶圆进行水洗；将经过水洗后的所述晶圆置于第三清...
    2026-04-20
  • 背接触电池及其制备方法、光伏组件
    背接触电池及其制备方法、光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610031849.8
    本公开的实施例提供了一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，为太阳能电池领域，电池包括：硅基体(1)，背面有第一区(A)、第二区(B)和间隔区(C)，相邻第一区(A)和第二区(B)通过间隔区(C)隔开，第一区(A)的至少部分表面为绒面且包括多...
    2026-04-20
  • 一种背接触太阳能电池及其制备方法
    一种背接触太阳能电池及其制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202511943820.9
    本发明提供一种背接触太阳能电池及其制备方法。背接触太阳能电池包括硅基底，硅基底的正面设有正绒面结构，正绒面结构包括若干个第一凸起，以及镶嵌在若干个第一凸起上的若干个第二凸起；第一凸起的平均底面尺寸大于第二凸起的平均底面尺寸；部分第一凸起呈阶...
    2026-04-20
  • 一种紫外探测器及其制作方法
    一种紫外探测器及其制作方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511815396.X
    本发明涉及一种紫外探测器及其制作方法，所述紫外探测器的碳化硅衬底表面为锥形微纳织构，所述锥形微纳织构具有锥形凹槽，且所述锥形凹槽的顶部直径为100nm~500nm，所述锥形凹槽的深度为100nm~200nm，所述锥形凹槽的锥角为55°~65...
    2026-04-20
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