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最新专利技术
  • 一种提高柱塞泵柱塞耐磨性能的表面处理方法
    一种提高柱塞泵柱塞耐磨性能的表面处理方法_宝鸡市金心泵业制造有限责任公司_202610418611.0
    本发明公开了一种提高柱塞泵柱塞耐磨性能的表面处理方法，涉及金属表面处理领域，该方法依次进行基体前处理与活化预热、真空脉冲离子渗氮、金属蒸汽真空弧离子注入、梯度过渡层沉积、硅掺杂类金刚石涂层构建及真空应力平滑与冷却步骤，通过多工艺协同构建深层...
    2026-05-07
  • 一种碳化硅/金刚石多层复合膜及其制备方法
    一种碳化硅/金刚石多层复合膜及其制备方法_江苏超芯星半导体有限公司_202610071219.3
    本发明提供了一种碳化硅/金刚石多层复合膜及其制备方法，多层复合膜中多晶碳化硅基体为底层，具有高强度、高刚度、高导热及抗氧化性；梯度SiC‑C过渡层，成分由纯SiC渐变至富C‑SiC，再至类金刚石碳，用于缓释热应力、增强结合力；纳米晶金刚石为...
    2026-05-07
  • 类金刚石碳膜的处理方法
    类金刚石碳膜的处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411516387.6
    本发明的类金刚石碳膜的处理方法包括：在基材上沉积类金刚石碳膜；将所述类金刚石碳膜暴露在电离气体中；在所述类金刚石碳膜的表面形成硼化物涂层；以及对所述硼化物涂层进行热处理。该方法简单高效，能够显著提高类金刚石碳膜的电导率，同时不会影响类金刚石...
    2026-05-07
  • 一种光学微腔的制备方法
    一种光学微腔的制备方法_中国科学院微电子研究所_202411548245.8
    本发明公开一种光学微腔的制备方法，涉及半导体器件技术领域，以解决现有技术中无法在有机晶体上制备光学微腔的问题。方法包括：提供衬底；在所述衬底上沉积形成第一目标层数的叠层薄膜层；在所述第一目标层数的叠层薄膜层远离所述衬底一侧的表面形成有机晶体...
    2026-05-07
  • 一种低温高致密性掩膜及其制备方法
    一种低温高致密性掩膜及其制备方法_启元实验室_202512032129.1
    本申请公开一种低温高致密性掩膜及其制备方法，制备方法包括：采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术在衬底表面制备第一氧化硅薄膜；采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术在第一氧化硅薄膜表面制备第二氧化硅薄膜；在第二氧化硅薄膜上进行涂覆光刻胶、曝光、...
    2026-05-07
  • 源瓶装置、半导体工艺系统和工艺方法
    源瓶装置、半导体工艺系统和工艺方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411515240.5
    本申请公开了一种源瓶装置、半导体工艺系统和工艺方法，该源瓶装置的输入/输出管路设置有伸缩套管和加热器。伸缩套管包括：第一管体，其至少部分管体位于瓶体外，能够通过加热器进行加热；第二管体，与第一管体轴向连通，第二管体的至少部分管体可伸入第一管...
    2026-05-07
  • 一种柔性分布式布拉格反射镜的制备方法
    一种柔性分布式布拉格反射镜的制备方法_中国科学院微电子研究所_202411547983.0
    本发明公开一种柔性分布式布拉格反射镜的制备方法，涉及薄膜制备技术领域，以解决现有技术中分布式布拉格反射镜反射率性能不佳的问题。方法包括：在反应腔内放置衬底，衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯；采用原子层沉积法，以三甲基铝和水作为前驱体，在衬底上形成...
    2026-05-07
  • 低温原子层沉积薄膜的方法、设备、微显示器件
    低温原子层沉积薄膜的方法、设备、微显示器件_安徽熙泰智能科技有限公司_202610098108.1
    本发明公开了一种低温原子层沉积薄膜的方法、设备、微显示器件，通过活化表面、铪源吸附、配体促进、氧化成膜的循环步骤，在低温下沉积氧化铪薄膜。具体包括：利用氨等离子体活化基板表面；通入铪前驱体使其吸附；通入三氟乙酸与臭氧的混合气体，其中三氟乙酸...
    2026-05-07
  • 一种防污染的硅片承载装置
    一种防污染的硅片承载装置_南通玖方新材料股份有限公司_202511903353.7
    本发明公开了一种防污染的硅片承载装置，包括铝合金本体，铝合金本体的边缘开设有用于安装定位的腰形通孔，腰形通孔用于有效释放热应力，铝合金本体的正面设有硅片放置槽位，铝合金本体的背面设有安装卡槽，安装卡槽确保铝合金本体在受热时沿特定方向释放应力...
    2026-05-07
  • 石墨舟及其制备方法、电池片预成品的沉积方法
    石墨舟及其制备方法、电池片预成品的沉积方法_四川东磁新能源科技有限公司_202511955480.1
    本公开涉及一种石墨舟及其制备方法、电池片预成品的沉积方法。该石墨舟，包括饱和石墨舟和依次层叠于饱和石墨舟表面上的第一氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜以及氧化硅薄膜，其中，第一氮化硅薄膜的孔隙率为27%‑33%，第一氮化硅薄膜与氧化硅薄膜的总厚度与氮...
    2026-05-07
  • 一种基于阶段性键合调控与双路径自适应的低硅掺杂氢化非晶碳复合涂层及其制备与应用
    一种基于阶段性键合调控与双路径自适应的低硅掺杂氢化非晶碳复合涂层及其制备与应用_华晟昇纳米科技(成都)有限公司_202610147988.7
    本发明涉及一种基于阶段性键合调控与双路径自适应的低硅掺杂氢化非晶碳复合涂层及其制备与应用，属于表面工程技术领域。所述涂层通过低浓度硅掺杂实现微观结构的精准调控，其中硅原子遵循“先打断sp3网络，后促进sp2有序化”的阶段性键合演化规律，使涂...
    2026-05-07
  • 一种纳米片状金刚石膜的制备方法
    一种纳米片状金刚石膜的制备方法_重庆交通大学_202511963412.X
    本发明公开了一种纳米片状金刚石膜的制备方法，涉及金刚石制备技术领域。本发明所提出的方法，相较于原本的1050℃的温度，此方法掺杂得到的纳米片状金刚石具有更低温度要求(约920℃)，对于设备的耐温要求也更低，拓宽了衬底材料的选取范围；本发明提...
    2026-05-07
  • 一种微波等离子体化学气相沉积腔体
    一种微波等离子体化学气相沉积腔体_东北师范大学_202610148180.0
    本发明涉及化学气相沉积设备技术领域，具体为一种微波等离子体化学气相沉积腔体，包括沉积室和位于沉积室顶部密封设置的封闭顶盖，所述沉积室内部的两侧均设有导向杆，且两个导向杆之间活动设有三组可调式电磁线圈组件，三组可调式电磁线圈组件同轴心设置，且...
    2026-05-07
  • 一种金刚石MPCVD谐振腔体
    一种金刚石MPCVD谐振腔体_郑州大学_202610152868.6
    本发明涉及人造金刚石技术领域，具体涉及一种金刚石MPCVD谐振腔体，包括上壳体、下壳体、石英腔体。石英腔体柱形部下方设有压缘部，上壳体配合下壳体对压缘部夹持密封；柱形部上方与水冷天线相配合的连接口处设有夹持部，水冷天线包括压板以及锥形天线盘...
    2026-05-07
  • 一种高耐磨金刚石涂层切削工具及其制备方法
    一种高耐磨金刚石涂层切削工具及其制备方法_成都惠锋智造科技有限公司_202610435006.4
    本发明涉及气相沉积涂层技术领域，具体地说，涉及一种高耐磨金刚石涂层切削工具及其制备方法。该切削工具从内至外依次包括：基体、过渡层、金刚石复合涂层和抗氧化保护层，各层结构协同作用，实现高结合强度、高耐磨性和高高温稳定性的技术效果。本发明中，通...
    2026-05-07
  • 用于沉积含碳材料的方法和设备
    用于沉积含碳材料的方法和设备_ASMIP私人控股有限公司_202511546128.2
    公开了用含碳材料填充衬底上的间隙的方法。示例性方法包括将包括间隙的衬底提供到反应室中并执行多个沉积循环。每个沉积循环包括以气相将第一前体提供到反应室中并将反应性物质提供到反应室中，其中第一前体包括碳。
    2026-05-07
  • 沉积时间自动控制方法、装置、电子设备及存储介质
    沉积时间自动控制方法、装置、电子设备及存储介质_湖北星辰技术有限公司_202610076864.4
    本申请提供了一种沉积时间自动控制方法、装置、电子设备及存储介质；方法包括：向半导体工艺设备下发第一工艺批次的第一候选沉积参数序列，以供半导体工艺设备匹配调用；接收半导体工艺设备反馈的目标晶圆的实际执行参数，并获取目标晶圆的量测结果，并根据实...
    2026-05-07
  • 基于FCVD设备的控制方法、系统及电子设备
    基于FCVD设备的控制方法、系统及电子设备_苏州欣威晟电子科技有限公司_202610305719.9
    本申请提供了一种基于FCVD设备的控制方法、系统及电子设备。该控制方法包括：响应于FCVD设备处于液膜沉积阶段，获得晶圆表面的第一反射图像；基于第一反射图像确定晶圆表面的液膜厚度场；液膜厚度场表征液膜在晶圆表面的空间厚度分布；基于液膜厚度场...
    2026-05-07
  • 一种炉管式薄膜沉积设备石英组件的装卸装置及方法
    一种炉管式薄膜沉积设备石英组件的装卸装置及方法_杭州星原驰半导体有限公司_202610385965.X
    本发明公开一种炉管式薄膜沉积设备石英组件的装卸装置及方法，属于物料搬运与输送设备技术领域，包括治具移动平台；底座校准模块设置于治具移动平台上，用于提供水平基准与对中导向；石英管装卸移动模块可拆卸地安装于底座校准模块上，用于承载并运送石英组件...
    2026-05-07
  • 一种基于分步沉积的低应力PECVD薄膜制备方法
    一种基于分步沉积的低应力PECVD薄膜制备方法_嘉际环控(西安)科技有限公司_202610395869.3
    本申请公开了一种基于分步沉积的低应力PECVD薄膜制备方法。其包括：对放置在沉积腔内的待沉积基底以预定温度进行预加热；以第一沉积压力、第一反应气体流量比、第一射频功率和第一沉积速率，在待沉积基底上沉积第一预定厚度的薄膜；以第二沉积压力、第二...
    2026-05-07
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