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自行车,非机动车装置制造技术
  • 一种基于标准接口的社保卡PIN重置方法、系统及介质
    一种基于标准接口的社保卡PIN重置方法、系统及介质_浪潮金融信息技术有限公司_202111385331.8
    本发明公开了一种基于标准接口的社保卡PIN重置方法、系统及介质，所述方法包括以下步骤：配置加密模块、第一标准接口和分组加密算法；设置数据字符位；检测社保卡PIN重置需求，基于所述加密模块、所述第一标准接口、所述数据字符位和所述社保卡PIN重...
    2026-04-19
  • 涂料、涂层、与发光装置
    涂料、涂层、与发光装置_财团法人工业技术研究院_202311419254.2
    本发明涉及涂料、涂层、与发光装置，其中，涂料包括：改性粒子，包括：核心；以及具有环氧基的硅烷偶合剂或具有双键的硅烷偶合剂，接枝至核心的表面；以及反应性化合物，当具有环氧基的硅烷偶合剂接枝至核心的表面时，反应性化合物包括不含硅的多环氧化合物与...
    2026-04-19
  • 一种用于悬臂式叶轮的锁紧防松脱装置
    一种用于悬臂式叶轮的锁紧防松脱装置_北京前沿动力科技有限公司_202610115248.5
    本发明提供了一种用于悬臂式叶轮的锁紧防松脱装置，涉及离心式风机、泵等设备技术领域。装置采用“静‑动”双重防松机制：静态上，通过锁紧螺母端面的防转销钉插入叶轮盲孔实现刚性机械止动；动态上，通过套设在螺母外、带有非对称结构的防转垫圈，利用旋转流...
    2026-04-19
  • 基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法
    基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法_西安电子科技大学广州研究院_202510111002.6
    本发明公开了一种基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法，主要解决现有技术难以实现精准可控掺杂的问题。方案包括：绝缘衬底，二维材料沟道层，位于二维材料沟道层两端之上的源电极与漏电极，位于二维材料沟道层与源漏电极之上的栅介质层，位于栅介质...
    2026-04-19
  • 一种PEDOT : PSS组合物作为粘结剂在制备锂离子电池负极中的应用
    一种PEDOT : PSS组合物作为粘结剂在制备锂离子电池负极中的应用_宁波工程学院_202511772961.9
    本发明属于锂电池技术领域，涉及一种PEDOT : PSS组合物作为粘结剂在制备锂离子电池负极中的应用，所述PEDOT : PSS组合物包括PEDOT : PSS水分散液和表面活性剂，所述PEDOT : PSS组合物作为粘结剂用于负极浆料中。...
    2026-04-19
  • 图像处理装置
    图像处理装置_发那科株式会社_202380102410.4
    本公开的一个方式的图像处理装置具备：三维信息获取部，其从视觉传感器获取三维信息，该三维信息包含二维图像及二维位置的距离信息；图像识别部，其从所述二维图像中识别对象物的候选区域；重叠判定部，其判定所述候选区域是否重叠；以及距离判定部，其针对由...
    2026-04-19
  • 多租户资源隔离系统及方法
    多租户资源隔离系统及方法_中信银行股份有限公司_202511761620.1
    本申请涉及多租户系统架构技术领域，公开了一种多租户资源隔离系统及方法；包括：元模型驱动层，包括多种元模型和元模型动态解析引擎，元模型动态解析引擎用于根据租户选择的目标元模型生成SQL表结构和业务逻辑代码；租户配置层，用于租户在可视化沙箱环境...
    2026-04-19
  • 多模态文档的脱敏处理方法、装置、设备、存储介质及程序产品
    多模态文档的脱敏处理方法、装置、设备、存储介质及程序产品_中国工商银行股份有限公司_202512056961.5
    本申请提供一种多模态文档的脱敏处理方法、装置、设备、存储介质及程序产品，涉及大数据领域。该方法包括：获取多模态文档；对多模态文档进行多模态数据提取处理，以得到多模态文档中的多模态数据；对多模态数据进行分类处理，以得到多模态数据的模态类别；其...
    2026-04-19
  • 基于改进张正友标定法的图像尺寸标定方法与木材缺陷面积计算方法
    基于改进张正友标定法的图像尺寸标定方法与木材缺陷面积计算方法_山东省计算中心(国家超级计算济南中心)_202310737514.4
    本发明公开一种基于改进张正友标定法的图像尺寸标定方法与木材缺陷面积计算方法，在张正友标定法使用L‑M方法求解最大似然估计最小值时易陷入局部极值的问题上，利用遗传算法能够全局寻找最优值的优势来优化L‑M算法易陷入局部极小值的缺点，在遗传算法中...
    2026-04-19
  • 一种基于颜色直方图距离的跟踪目标丢失检测方法及系统
    一种基于颜色直方图距离的跟踪目标丢失检测方法及系统_中国人民解放军火箭军工程大学_202211624981.8
    本发明公开了一种基于颜色直方图距离的跟踪目标丢失检测方法，包括：获取待跟踪图像，其中，所述待跟踪图像包括目标区域和背景区域；基于所述跟踪图像的目标区域确定跟踪框缩放比例以调节跟踪框参数得到目标中心区域，使得所述目标中心区域中目标对象的像素数...
    2026-04-19
  • 在漏极区集成P-AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法
    在漏极区集成P-AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法_山东大学_202511982582.2
    本发明涉及在漏极区集成P‑AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法，属于半导体功率器件制造领域，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层左侧上方设置源极金属，AlGaN势垒层右侧上方设置石墨烯...
    2026-04-19
  • 一种基于最小体积约束的几何凸优化端元提取方法及系统
    一种基于最小体积约束的几何凸优化端元提取方法及系统_广东技术师范大学_202511843625.9
    本发明公开了一种基于最小体积约束的几何凸优化端元提取方法及系统，所述方法包括：对原始光谱矩阵进行降维和去相关处理，得到预处理后的数据；在预处理后的数据上构建凸包顶点集，并从中选择初始端元矩阵；对初始端元矩阵进行迭代优化，通过逐点更新端元顶点...
    2026-04-19
  • 一种通用型全自动贴膜模具仓储装置
    一种通用型全自动贴膜模具仓储装置_无锡中微掩模电子有限公司_202511814293.1
    本发明涉及一种掩模贴膜装置，尤其是一种通用型全自动贴膜模具仓储装置，包括：立柱；若干隔层板，设于所述立柱的一侧；若干支撑柱，设于所述隔层板上，用于插在贴膜模具底部的定位孔内；以及传感器，设于所述立柱的一侧，且与贴膜模具相对设置。本发明提供的...
    2026-04-19
  • 用于高压功率器件的终端保护结构及其制备方法
    用于高压功率器件的终端保护结构及其制备方法_华润微电子(重庆)有限公司_202111480983.X
    本发明提供一种终端保护结构及其制备方法，及一种高压功率器件。终端保护结构包括：第一导电类型的衬底、绝缘层、金属场板及保护层；衬底内形成有两个以上间隔设置的重掺杂的第二导电类型的终端环，绝缘层位于衬底表面，金属场板一端贯穿绝缘层直至与位于最外...
    2026-04-19
  • 一种利用钢渣尾渣吸收二氧化碳的方法及系统
    一种利用钢渣尾渣吸收二氧化碳的方法及系统_北京中航天业科技有限公司_202610007139.1
    本发明提供一种利用钢渣尾渣吸收二氧化碳的方法及系统，涉及炼钢固废处理领域。所述利用钢渣尾渣吸收二氧化碳的方法，包括有以下步骤：活化处理、一级连续碳酸化反应、二级连续碳酸化反应。本发明的利用钢渣尾渣吸收二氧化碳的方法及系统，能够在大规模的工业...
    2026-04-19
  • 负极极片和电池单体
    负极极片和电池单体_远景动力技术(江苏)有限公司_202610002566.0
    本申请的实施例提供了负极极片和电池单体，负极极片包括：集流体；以及负极活性物质层，位于集流体的至少一侧上，负极活性物质层包括位于集流体上的第一负极活性物质层和位于第一负极活性物质层的远离所述集流体的一侧的第二负极活性物质层，基于负极活性物质...
    2026-04-19
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411428354.6
    一种半导体元件的制造方法包括执行第一注入工艺，以形成第一掺杂区于磊晶层中。磊晶层与第一掺杂区具有第一导电型。制造方法还包括执行第二注入工艺，以形成第二掺杂区的第一部位于磊晶层中。第二掺杂区的第一部位具有不同于第一导电型的第二导电型且相邻于第...
    2026-04-19
  • 一种基于分区调控与实时反馈的气淬系统
    一种基于分区调控与实时反馈的气淬系统_浙江工业大学_202512020620.2
    本发明公开了一种基于分区调控与实时反馈的气淬系统，包括气淬炉，所述气淬炉的气淬炉炉壁上开设有若干进气孔洞，所述气淬炉的气淬炉炉壁上设有多维分区调控机构，所述多维分区调控机构能够对气淬炉上相应的进气孔洞的进气量进行分区调节，实现分区冷却；所述...
    2026-04-19
  • 一种防锈的水泵壳体
    一种防锈的水泵壳体_福建省海能机电科技有限公司_202521103813.3
    本实用新型涉及一种防锈的水泵壳体，特别涉及水泵技术领域。本实用新型包括泵体、拉伸衬盘、铸铁前盖，所述铸铁前盖背部中间处设有向后凸起的圆柱凸台，所述拉伸衬盘上与所述圆柱凸台相对应的位置上设有用于支撑所述圆柱凸台平面的衬盘平面，所述圆柱凸台底部...
    2026-04-19
  • 一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺
    一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610008141.0
    本发明公开了一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺，属于半导体器件技术领域，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P...
    2026-04-19
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