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最新专利技术
  • 倒装芯片球栅阵列封装结构及其制备方法
    倒装芯片球栅阵列封装结构及其制备方法_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511996339.6
    本发明实施例提供了一种倒装芯片球栅阵列封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，倒装芯片球栅阵列封装结构，包括基板、第一结构芯片、MEMS芯片、第一散热盖和第二散热盖，第二散热盖设置在第一散热盖上，通过第一散热盖和第二散热盖实现双层散热，...
    2026-04-20
  • 一种散热屏蔽器件封装结构及其工艺
    一种散热屏蔽器件封装结构及其工艺_合肥矽迈微电子科技有限公司_202512059043.8
    本发明公开了一种散热屏蔽器件封装结构及其工艺，包括以下步骤：基板上贴装膜块，膜块上堆叠金属块，整体包封并研磨暴露出金属块，蚀刻包封料形成凹槽，凹槽底部暴露基板表面；蚀刻后的包封面涂覆胶层，凹槽内亦涂覆胶层；电镀线路：在胶层表面沿胶层涂覆路径...
    2026-04-20
  • 一种金刚石基氮化物复合衬底、制备方法及半导体器件
    一种金刚石基氮化物复合衬底、制备方法及半导体器件_江苏第三代半导体研究院有限公司_202512032336.7
    本发明涉及一种金刚石基氮化物复合衬底、制备方法及半导体器件，该制备方法包括：依次采用不同晶粒尺寸的金刚石悬浮液对设置有周期性图形结构的氮化物外延层表面进行成核处理，生长金刚石成核层；其中，所述金刚石悬浮液的晶粒尺寸随着成核处理的时间梯度增大...
    2026-04-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510840959.4
    一种半导体装置包括：半导体基底；多个标准单元，在第一方向和第二方向上设置；多个信号互连件，设置在半导体基底的上表面上的上绝缘层中，并且与所述多个标准单元结合；以及多个电源互连件，设置在半导体基底的下表面上，并且与所述多个标准单元中的至少一个...
    2026-04-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510832661.9
    一种半导体装置包括：第一标准单元和第二标准单元，在与半导体基底的上表面平行的第一方向和第二方向中的至少一个上在不同位置处，第一方向和第二方向彼此相交；信号互连件，将第一标准单元和第二标准单元连接；以及监控互连件，在与半导体基底的上表面垂直的...
    2026-04-20
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610036901.9
    本申请提供一种半导体结构及其制作方法，所述方法包括：提供基底，在所述基底内形成沟槽；在所述沟槽的侧壁与底部依次形成第一阻挡层、成核促进层与第二阻挡层；去除所述沟槽底部的所述第二阻挡层，暴露出所述成核促进层；以及在所述沟槽内填充钨形成钨填充层...
    2026-04-20
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202610031137.6
    一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供基底，其包括第一介质层及贯穿其中的第一金属互连线，第一金属互连线的顶面凸出于第一介质层的顶面；在第一介质层上依次形成第一蚀刻停止层和牺牲层；形成覆盖牺牲层的第二介质层，并暴露第...
    2026-04-20
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_深圳市鹏新旭技术有限公司_202512004943.2
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，半导体器件的制备方法包括：提供衬底，衬底包括多个金属连接结构，多个金属连接结构包括多个目标金属连接结构及多个非目标金属连接结构；在衬底形成多个遮挡结构，遮挡结构对应覆盖非目标金属连...
    2026-04-20
  • 金属接触层的制备方法及金属接触层结构、半导体器件
    金属接触层的制备方法及金属接触层结构、半导体器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202511763512.8
    本申请实施例涉及半导体器件技术领域，公开一种金属接触层的制备方法及金属接触层结构、半导体器件。该制备方法包括：提供碳化硅衬底，于碳化硅衬底的背面至少依次沉积一次第一金属层和第二金属层；采用纳秒紫外脉冲激光退火工艺对沉积有第一金属层和第二金属...
    2026-04-20
  • 一种半导体生产用的晶圆减薄参数优化方法及系统
    一种半导体生产用的晶圆减薄参数优化方法及系统_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202610033331.8
    本发明公开了一种半导体生产用的晶圆减薄参数优化方法及系统，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：采集待减薄晶圆的晶圆特征，设置磨削效率权重与磨削损伤权重；利用磨削预测器进行迭代优化，获得最优磨削参数及最优效率参数与最优损伤层参数预测值；根据磨...
    2026-04-20
  • 一种硅上单晶薄膜产品的制备方法及薄膜产品
    一种硅上单晶薄膜产品的制备方法及薄膜产品_苏州微士创芯科技有限公司_202610031342.2
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种硅上单晶薄膜产品的制备方法及薄膜产品。所述方法包括如下步骤，高温氧化：将支撑晶圆送入高温立式炉中进行高温氧化；熔融键合：将器件晶圆与支撑晶圆熔融键合形成第一键合晶圆；预处理：将第一键合晶圆预处理得到第二...
    2026-04-20
  • 一种适用于超薄及大翘曲度晶圆的背面蚀刻方法
    一种适用于超薄及大翘曲度晶圆的背面蚀刻方法_重庆凌芯微电子有限公司_202610024962.3
    本发明公开了一种适用于超薄及大翘曲度晶圆的背面蚀刻方法，对晶圆进行研磨加工，根据目标蚀刻后晶圆厚度选择对应处理方式，若目标蚀刻后厚度为30μm～100μm，先在晶圆正面贴附保护膜，再将贴膜后的晶圆与玻璃片通过键合工艺固定，本发明通过高精度定...
    2026-04-20
  • 带空腔结构的半导体衬底的制备方法及衬底
    带空腔结构的半导体衬底的制备方法及衬底_苏州微士创芯科技有限公司_202512003644.7
    本申请实施例涉及一种带空腔结构的半导体衬底的制备方法及带空腔结构的半导体衬底，其中方法包括：提供支撑衬底和器件衬底，支撑衬底内形成有空腔结构；对器件衬底执行离子注入工艺，注入的离子为III‑V族元素；执行键合工艺，以形成包括支撑衬底和器件衬...
    2026-04-20
  • 复合衬底的制备方法及复合衬底
    复合衬底的制备方法及复合衬底_苏州微士创芯科技有限公司_202511948165.6
    本申请涉及一种复合衬底的制备方法及复合衬底，方法包括：提供待处理的晶圆键合结构，晶圆键合结构包括支撑衬底、器件衬底、位于支撑衬底和器件衬底之间的绝缘层，支撑衬底的第一表面侧具有空腔结构，第一表面朝向器件衬底的第二表面设置；从器件衬底的第三表...
    2026-04-20
  • 一种离子束图案化与激光辅助各向异性湿法蚀刻的半导体加工方法
    一种离子束图案化与激光辅助各向异性湿法蚀刻的半导体加工方法_北京航空航天大学_202511898127.4
    本发明公开了一种离子束图案化与激光辅助各向异性湿法蚀刻的半导体加工方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：(1)采用离子束注入技术，在碳化硅或金刚石等超硬晶圆的表面，沿着预设的路径形成一条非晶化的损伤线；(2)将晶圆浸入化学蚀刻液中；(3...
    2026-04-20
  • 一种基于多节点在线监控的半导体晶圆表面加工方法
    一种基于多节点在线监控的半导体晶圆表面加工方法_北京航空航天大学_202511897935.9
    本发明公开了一种基于多节点在线监控的半导体晶圆表面加工方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：(1)采用第一组参数的激光对半导体晶圆表面进行扫描，以形成一层预设的改性层；在此过程中，通过一套双波长反射率比对系统实时监控并确保改性达到预定程...
    2026-04-20
  • 一种基于多级激光加工的硬脆半导体晶圆Taiko成型方法
    一种基于多级激光加工的硬脆半导体晶圆Taiko成型方法_北京航空航天大学_202511897658.1
    本发明公开了一种基于多级激光加工的硬脆半导体晶圆Taiko成型方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：(1)采用多路并行的高斯光束飞秒激光对晶圆中心区域进行高效的逐层烧蚀减薄，作为粗加工步骤；(2)将激光切换为整形后的平顶光束，对中心薄化...
    2026-04-20
  • 一种基于无损双光谱协同监测的半导体晶圆激光加工方法
    一种基于无损双光谱协同监测的半导体晶圆激光加工方法_北京航空航天大学_202511897184.0
    本发明公开了一种无损双光谱协同监测激光加工方法，属于半导体制造技术领域。该方法将加工过程分为减薄和抛光两个阶段。在各阶段，均采用主激光束对碳化硅或金刚石晶圆进行扫描烧蚀，并同步执行原位清洗操作。一套集成的双光谱在线监控系统并行工作，该系统包...
    2026-04-20
  • 一种基于内外协同激光改性与电化学剥离的硬脆晶圆无损减薄方法
    一种基于内外协同激光改性与电化学剥离的硬脆晶圆无损减薄方法_北京航空航天大学_202511896844.3
    本发明公开了一种基于内外协同激光改性与电化学剥离的硬脆晶圆无损减薄方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：(1)采用第一束超快激光在晶圆内部预定深度扫描，形成一层连续的内部改性层，以定义最终剥离的厚度；(2)采用第二束激光对晶圆的背面进行...
    2026-04-20
  • 一种基于激光内部改性剥离的晶圆Taiko结构一体化成型方法
    一种基于激光内部改性剥离的晶圆Taiko结构一体化成型方法_北京航空航天大学_202511896709.9
    本发明公开了一种基于激光内部改性剥离的晶圆Taiko结构一体化成型方法，属于半导体制造技术领域，特别适用于碳化硅或金刚石等硬脆晶圆。该方法包括：(1)将超快激光束聚焦于晶圆内部；(2)设定激光参数，在晶圆内部扫描形成一层三维分布的改性层，当...
    2026-04-20
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