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最新专利技术
  • 显示设备
    显示设备_三星显示有限公司_202480058197.6
    公开了一种显示设备，所述显示设备包括：基底；半导体层，设置在基底上，并且具有第一区域、第二区域和沟道区；栅电极，设置在半导体层上，并且与沟道区叠置；以及像素电极，电连接到第一区域，第一区域从半导体层的沟道区起沿一个方向定位，其中，第二区域比...
    2026-04-16
  • 近红外线发光装置以及电子设备
    近红外线发光装置以及电子设备_松下知识产权经营株式会社_202480057464.8
    本发明的近红外线发光装置(1)具备：放出在波长380nm以上且小于700nm的波长范围内具有分光强度的最大值的一次光(11)的至少1个固体发光元件(10)、使一次光(11)扩散而放出扩散光(21)的光扩散体(20)、以及包含吸收扩散光(21...
    2026-04-16
  • 显示器像素用半导体发光元件及包括其的显示器装置
    显示器像素用半导体发光元件及包括其的显示器装置_LG电子株式会社_202380102124.8
    实施例的显示器像素用半导体发光元件包括：发光结构物，其具备第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层；第一电极，其配置于上述发光结构物的下方；第二电极，其配置在上述发光结构物上，在上述第二电极上包括向上述第一导电型半导体层的侧面延伸而配...
    2026-04-16
  • 在微OLED显示器制造中的管芯修复工艺
    在微OLED显示器制造中的管芯修复工艺_应用材料公司_202480057081.0
    本公开内容提供用于在微LED显示器制造期间修复管芯的装置和方法。所述装置包括背板。所述背板具有多个背板电极。每个背板电极包含第一材料。所述装置中包括具有多个微LED电极的多个微LED。每个微LED电极包含第二材料。每个微LED电极通过所述微...
    2026-04-16
  • 用于机动车辆信号发送装置的发光模块
    用于机动车辆信号发送装置的发光模块_法雷奥照明公司_202480057551.3
    本发明涉及一种用于机动车辆信号发送装置的发光模块(1)，该模块包括多个可选择性地控制的光源(2)；每个光源包括基本光发生器和光致发光元件，该光致发光元件覆盖基本光发生器并且能够吸收由此发生器发射的光线并且作为响应发射不同波长的光线，其特征在...
    2026-04-16
  • 电子部件
    电子部件_TDK株式会社_202480057344.8
    本发明的电子部件包含：基材，其具有主面；绝缘层，其配置于基材的主面，且具有台阶部；导电层，其在绝缘层上形成于台阶部；及阻挡层，其覆盖导电层；其中，导电层中与台阶部对应的面具有斜坡。
    2026-04-16
  • AlGaN基深紫外LED及其制造方法
    AlGaN基深紫外LED及其制造方法_国立研究开发法人理化学研究所_202480058487.0
    在230nm波段UVC‑LED中提高光提取效率(LEE)。将发光波长设为λ的AlGaN基深紫外LED在厚度方向上具有光子晶体周期结构，量子阱层的上部与所述光子晶体周期结构的底部之间的距离实质满足自由端反射的谐振条件λ/n。其中，n是在所述量...
    2026-04-16
  • 微型LED以及微型LED显示面板
    微型LED以及微型LED显示面板_上海显耀显示科技股份有限公司_202380100532.X
    一种微型LED，包括键合层、形成于所述键合层上的N型半导体层、形成于所述N型半导体层上的发光层以及形成于所述发光层上的P型半导体层。所述N型半导体层包括N型包覆层，所述N型包覆层包括分布式布拉格反射(DBR)结构。
    2026-04-16
  • 促进发光的器件及用于制造该器件的方法
    促进发光的器件及用于制造该器件的方法_柳雄烈_202480057858.3
    公开一种促进发光的器件。相应地，该器件可以包含至少一个基板、被配置为安放于至少一个基板上的至少一个第一层。再者，至少一个第一层可以是N型氮化物基半导体层。至少一个第二层被配置为安放于至少一个第一层上。再者，至少一个第二层可以是氮化物基半导体...
    2026-04-16
  • 微型LED以及微型LED显示面板
    微型LED以及微型LED显示面板_上海显耀显示科技股份有限公司_202380100530.0
    一种微型LED，包括：键合层；P‑N结构，设置于所述键合层上，其中所述P‑N结构包括P型半导体层、N型半导体层和形成于所述P型半导体层和所述N型半导体层之间的发光层；顶部导电层，形成于所述P‑N结构上；以及掺杂P型接触层，其中，如果所述P‑...
    2026-04-16
  • 半导体结构、光电器件及制造方法
    半导体结构、光电器件及制造方法_阿落斯半导体有限公司_202480056592.0
    本发明涉及一种制造半导体结构的方法。该方法包括：‑提供衬底；‑在该衬底上外延制造基本上应变弛豫或无应变的GaN层，其穿透位错密度优选为1 x 107 cm‑2至1 x 109 cm‑2；以及‑在该GaN层上方外延制造有源层结构，该有源层沿堆...
    2026-04-16
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480057820.6
    本发明提供了一种在抑制暗电流的产生的同时还能够抑制量子效率Qe的降低的光检测装置。具体地，所述光检测装置包括：半导体基板；以二维阵列状形成于所述半导体基板中的多个光电转换部；沟槽部，其形成于所述半导体基板中的位于所述光电转换部之间的区域中，...
    2026-04-16
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480057762.7
    本发明的目的在于信号电荷传输能力的改进。一种光检测装置包括：半导体层，其具有位于彼此相对侧的第一面部和第二面部；光电转换部，其设置在所述半导体层中，并对从所述半导体层的第二面部侧入射的光执行光电转换；电荷保持部，其设置在所述半导体层中，并保...
    2026-04-16
  • 光检测装置及电子设备
    光检测装置及电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480057426.2
    提供了一种光检测装置，其具有其中设置有多个光检测元件的第一基板和其上安装有多个晶体管的第二基板层叠的层叠结构，所述第一基板的面积小于所述第二基板的面积。
    2026-04-16
  • 包括曲面传感器芯片的图像传感器以及制造该图像传感器的方法
    包括曲面传感器芯片的图像传感器以及制造该图像传感器的方法_AMS传感器比利时有限公司_202480040937.3
    一种图像传感器(10)包括载体(100)，该载体具有弯曲表面部分(101)、从弯曲表面部分(101)延伸至载体(100)的第二主表面(102)的开口(105)。该图像传感器(10)还包括设置在弯曲表面部分(101)中的曲面传感器芯片(110...
    2026-04-16
  • 半导体装置、电子设备和半导体装置的制造方法
    半导体装置、电子设备和半导体装置的制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480054631.3
    本发明抑制了由工艺差异引起的特性差异。根据本发明的半导体装置包括半导体基板、多个元件隔离部和场效应晶体管。在平面图中，场效应晶体管设置在多个元件隔离部之中的第一元件隔离部的上表面部与第二元件隔离部的上表面部之间。场效应晶体管包括栅极电极、鳍...
    2026-04-16
  • 垂直碳化硅金属氧化物半导体栅极结型场效应晶体管
    垂直碳化硅金属氧化物半导体栅极结型场效应晶体管_电力集成公司_202480055916.9
    本文提出了垂直碳化硅(SiC)金属氧化物半导体(MOS)栅极结型场效应晶体管(JFET)。外延区(104)在衬底层上生长以形成垂直结构。垂直JFET形成在垂直结构内，并包括位于器件表面的源极区(108)、形成在表面下方的深栅极(106)、以...
    2026-04-16
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480057791.3
    提供一种占有面积小的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层。第一晶体管包括第一导电层、第一金属氧化物层、栅极绝缘层及第一栅电极。第二晶体管包括第二导电层、第三导电层、第二金属氧化物层、栅极绝缘层及第二栅电极。第一绝缘层...
    2026-04-16
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202480056760.6
    一种半导体装置，包含：第二导电型的基区杂质区，其形成于第一导电型的半导体区的表层部，并呈在第一方向上较长的带状；第一杂质区，其形成于所述基区杂质区的表层部；栅极电极，其形成为在所述第一方向上较长的带状，并经由栅极绝缘膜与所述基区杂质区的沟道...
    2026-04-16
  • 二极管及其制造方法
    二极管及其制造方法_微芯片技术股份有限公司_202480056867.0
    一种二极管，该二极管可以包括基板，其中阴极端子位于基板的第一表面上。阳极端子位于基板的第二表面上。注入部分设置在基板内。
    2026-04-16
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