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最新专利技术
  • 一种紫外光产生装置及半导体加工设备
    一种紫外光产生装置及半导体加工设备_天津吉兆源科技有限公司_202610404905.8
    本发明公开了一种紫外光产生装置及半导体加工设备。紫外光产生装置包括：至少一个固态微波源，其中，固态微波源包括功率放大合成子模块、检测子模块、驱动控制子模块和同轴电缆；检测子模块用于检测其所在的固态微波源的反射功率和入射功率；驱动控制子模块用...
    2026-05-12
  • 无极触发式零度射出金属方壳激光维持宽谱光源
    无极触发式零度射出金属方壳激光维持宽谱光源_天津朗道科技有限公司_202610097761.6
    无极触发式零度射出金属方壳激光维持宽谱光源，涉及光源设备技术领域，包括金属灯壳、无极触发单元、零度射出单元、光束调整单元和散热控温单元；所述无极触发单元包括触发集成灯壳，所述触发集成灯壳的纵向内壁上固定有无极触发灯室，所述无极触发灯室内开设...
    2026-05-12
  • 低压高强紫外线灯及紫外装置
    低压高强紫外线灯及紫外装置_佛山柯维光电股份有限公司_202511856748.6
    本发明涉及紫外装置领域，具体公开了一种低压高强紫外线灯及紫外装置。其中，低压高强紫外线灯包括灯管，所述灯管至少一端设有用于容纳汞合金的容纳腔，所述灯管内设有灯丝；所述灯管的内径≥23mm，电流密度≥0.65A/cm2；所述汞合金为含有Bi、...
    2026-05-12
  • 飞行时间质量分析装置及提升飞行时间质量分析装置性能的方法
    飞行时间质量分析装置及提升飞行时间质量分析装置性能的方法_北京雪迪龙科技股份有限公司_202512022992.9
    公开了飞行时间质量分析装置，其包括电离加速区，产生离子、根据离子的初始能量和初始位置筛选离子并使离子加速向无场区运动；无场区，用于向离子提供足够距离的自由运动空间；反射区，位于无场区末端，用于反射离子至信号检测区；以及信号检测区，用于检测离...
    2026-05-12
  • 直接电离离子化装置及方法、质谱系统和应用
    直接电离离子化装置及方法、质谱系统和应用_宁波华仪宁创智能科技有限公司_202512034044.7
    本发明属于质谱技术，具体提供了直接电离离子化装置及方法、质谱系统和应用，所述离子化装置包括直接电离单元，液体管道的一端插入所述直接电离单元内，并与所述直接电离单元密封；所述第一通孔设置在所述液体管道伸入直接电离单元内的部分上，所述第一通孔在...
    2026-05-12
  • 一种用于C-14同位素电磁分离的高流强离子源装置及离子产生与引出方法
    一种用于C-14同位素电磁分离的高流强离子源装置及离子产生与引出方法_西北师范大学_202610433383.4
    本发明公开了一种用于C‑14同位素电磁分离的高流强离子源装置及离子产生与引出方法。所述装置包括离子源本体以及高温超导线圈、真空、注气、高压电源、离子过滤和束流分析等系统。离子源本体沿轴线依次设有电子枪、漂移管组件、电子收集极和离子引出极；高...
    2026-05-12
  • 一种质谱自动调谐方法、系统及计算机可读存储介质
    一种质谱自动调谐方法、系统及计算机可读存储介质_杭州泽天春来科技股份有限公司_202511991101.4
    本发明涉及质谱自动调谐方法、系统及计算机可读存储介质，方法包括：参数初始化；调节推斥极电压，以使总离子流强度达到最大值，得到目标推斥极电压；调节聚焦透镜电压和入口透镜电压，使调谐液的主特征峰与基峰的丰度比调整至目标区间内，得到目标聚焦透镜电...
    2026-05-12
  • 一种高通量质谱分析方法及非接触电喷雾离子化装置
    一种高通量质谱分析方法及非接触电喷雾离子化装置_东华理工大学南昌校区_202511910619.0
    本发明公开一种高通量质谱分析方法及非接触电喷雾离子化装置，方法包括获取多份待测样品溶液，将样品溶液分别放入若干样品管内；调试离子化组件与质谱仪接口的相对位置，并将离子化组件和质谱仪接通电离电压；使用取样组件提取样品管内的待测样品溶液，将取样...
    2026-05-12
  • 用于提升EBAPS阴极灵敏度的结构及其EBAPS器件
    用于提升EBAPS阴极灵敏度的结构及其EBAPS器件_北方夜视技术股份有限公司_202511980108.6
    本申请公开了一种用于提升EBAPS阴极灵敏度的结构及其EBAPS器件，包括：阴极透镜、倒金字塔微纳阵列结构、填充衍射材料层、复合金属导电膜、复合金属封接膜、光电阴极；阴极透镜一侧面上设置倒金字塔微纳阵列结构；倒金字塔微纳阵列结构上设置填充衍...
    2026-05-12
  • 一种高氢制程的反应腔室及等离子体处理设备
    一种高氢制程的反应腔室及等离子体处理设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202610417258.4
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种高氢制程的反应腔室及等离子体处理设备，包括石英管、感应线圈、法拉第屏蔽笼和点火件；石英管设于处理室的顶部；法拉第屏蔽笼环设于石英管和感应线圈之间，法拉第屏蔽笼上开设有若干个贯穿其侧壁且沿轴向延伸的...
    2026-05-12
  • 一种反应腔室及晶圆处理设备
    一种反应腔室及晶圆处理设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202610417229.8
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种反应腔室及晶圆处理设备，包括石英管、陶瓷顶板、感应线圈、法拉第屏蔽笼和射频馈入电极；石英管设于处理室的顶部；陶瓷顶板设于石英管的开口部以封堵石英管；法拉第屏蔽笼环设于石英管和感应线圈之间，法拉第屏...
    2026-05-12
  • 基板处理装置及真空腔室内的电力传输方法
    基板处理装置及真空腔室内的电力传输方法_细美事有限公司_202511571982.4
    本发明提供了一种基板处理装置及真空腔室内的电力传输方法，该装置包括：至少一个传送腔室；以及传送机械手，其是在传送腔室内可线性移动的并传送基板，其中，传送机械手包括接收电力的电力接收单元，传送腔室包括：腔室基座；以及设置在腔室基座上并以无线方...
    2026-05-12
  • 一种移动环和等离子体处理装置
    一种移动环和等离子体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411535310.3
    本发明公开了一种移动环和等离子体处理装置，移动环用于等离子体处理装置中且可升降设置，移动环包括绝缘的第一环形部和导电层；第一环形部包括与反应腔内反应区域相对的第一内表面和背向反应区域的第一外表面；导电层孤立的覆盖于第一内表面上和/或设置于第...
    2026-05-12
  • 半导体处理装置及其上电极组件
    半导体处理装置及其上电极组件_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411526683.4
    一种半导体处理装置及其上电极组件，上电极组件包括安装基板和设置在安装基板下方的气体喷淋头。所述安装基板包括安装主体，所述安装主体的中心区域的厚度小于安装主体的边缘区域的厚度，能够减小受热后安装主体从中心区域到边缘区域在竖直方向的热膨胀尺寸差...
    2026-05-12
  • 升降环组件及等离子处理装置
    升降环组件及等离子处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411526563.4
    本发明公开了一种升降环组件及等离子体处理装置，所述升降环组件包括：升降环，可升降地设置在所述等离子体处理装置的反应腔内；调节模块，设置在所述反应腔的外部，用于调节所述升降环的电位，该调节模块的一端与所述升降环连接，另一端接地，本发明可调节升...
    2026-05-12
  • 半导体工艺腔室及半导体工艺设备
    半导体工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411515494.7
    本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体、介质窗以及冷却装置，介质窗设置于腔室本体的上方，冷却装置包括冷却腔室，冷却腔室设置于介质窗的上方，冷却腔室包括第一冷却腔和第二冷却腔，第一冷却腔沿...
    2026-05-12
  • 一种多方位离子注入控制方法、介质及系统
    一种多方位离子注入控制方法、介质及系统_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511932670.1
    本发明公开了一种多方位离子注入控制方法、介质及系统，方法包括步骤：S1.获取多个方位的注入参数；所述注入参数包括每个方位的注入剂量和注入角度；S2.基于当前束流强度，依次计算每个方位的注入参数，并存储各方位对应的注入参数计算结果；所述计算结...
    2026-05-12
  • 用于大束流离子注入机的磁铁及束流垂直角度控制方法
    用于大束流离子注入机的磁铁及束流垂直角度控制方法_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511908743.3
    本发明公开了一种用于大束流离子注入机的磁铁，包括磁轭和设置在磁轭上的四个线包；各线包均包括第一线圈和第二线圈；四个线包中所有第一线圈串联后连接至第一电源端子组，所有第二线圈串联后连接至第二电源端子组。本发明还公开了一种束流垂直角度控制方法，...
    2026-05-12
  • 一种适用于高能离子注入机的束流能量监测装置
    一种适用于高能离子注入机的束流能量监测装置_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511968899.0
    本发明公开了一种适用于高能离子注入机的束流能量监测装置，包括腔体、贯穿设置在腔体顶部的束流遮挡部件，以及贯穿设置在腔体内的分析光栏、高分辨率分析光栏和高分辨率能量检测法拉第；所述腔体侧部设有检测通道，所述束流遮挡部件用于控制检测通道的通断；...
    2026-05-12
  • 用于射频离子注入机的快法拉第杯探测器
    用于射频离子注入机的快法拉第杯探测器_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511945564.7
    本发明公开了一种用于射频离子注入机的快法拉第杯探测器，包括设置在离子注入机内的快法拉第杯和外部的驱动组件，快法拉第杯与驱动组件传动连接；快法拉第杯包括外壳以及设置在外壳内的前挡板、绝缘板和微带线组件，前挡板和绝缘板的中心设有束流孔洞，绝缘板...
    2026-05-12
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