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石油,煤气及炼焦工业设备的制造及其应用技术
  • 振荡激光熔化沉积Co-Mo-Si高温合金及其制备方法与应用
    振荡激光熔化沉积Co-Mo-Si高温合金及其制备方法与应用_暨南大学_202610126509.3
    本发明公开了一种振荡激光熔化沉积Co‑Mo‑Si高温合金及其制备方法与应用，所述Co‑Mo‑Si高温合金由Co、Mo、Si金属元素组成，质量百分比为：Mo6.3~31.5wt.%、Si3.6~18.4wt.%、余量为Co；Co‑Mo‑Si高...
    2026-04-30
  • 一种Bi2SeS2薄膜及其制备方法与应用
    一种Bi2SeS2薄膜及其制备方法与应用_深圳大学_202311459842.9
    本发明公开了一种Bi2SeS2薄膜及其制备方法与应用。本发明在惰性气体保护下，将单质Bi粉、单质Se粉和单质S粉混合球磨，得到Bi2SeS2化合物粉末，该粉末经放电等离子烧结处理，得到Bi2SeS2化合物靶材；采用磁控溅射技术将该靶材制备得...
    2026-04-30
  • 一种防水耐磨的面板材料及其制造方法
    一种防水耐磨的面板材料及其制造方法_佛山市高明金湘坊装饰材料有限公司_202510445880.1
    本发明公开了一种防水耐磨的面板材料及其制造方法，涉及装饰材料技术领域。所述防水耐磨的面板材料，原料包括以下组分：按质量份数计，环氧树脂20~35份、改性剂2~6份、聚氨酯10~20份、相容剂5~10份、改性填料5~15份、固化剂A 2~4份...
    2026-04-30
  • 具有异戊二烯聚合活性的蛋白质组合物及其用途
    具有异戊二烯聚合活性的蛋白质组合物及其用途_住友理工株式会社_202180035798.1
    本发明提供一种有效率地生产天然橡胶和实现稳定确保的手段，以稳定确保橡胶资源为目的。本发明提供具有异戊二烯聚合活性的包含(A‑1)具有与CPT6同样活性的蛋白质或(A‑2)具有与CPT7同样活性的蛋白质且包含(B)具有与CPTL同样活性的蛋白...
    2026-04-30
  • 一种提高乳神经酸含量的微生物菌剂及其制配方法
    一种提高乳神经酸含量的微生物菌剂及其制配方法_江苏海飞生物科技有限公司_202512038589.5
    本发明具体涉及一种提高乳神经酸含量的微生物菌剂及其制配方法，包括功能微生物菌体和复合保护剂，所述功能微生物为能够合成神经酸或其直接前体的微生物，选自天然分离菌株或基因工程改造菌株，且涵盖酵母菌、细菌、微藻或真菌；所述复合保护剂以饲料级乳糖为...
    2026-04-30
  • 一种含双嘧啶结构的化合物及其有机电致发光器件
    一种含双嘧啶结构的化合物及其有机电致发光器件_江苏三月科技股份有限公司_202511531907.5
    本发明公开了一种含双嘧啶结构的化合物及其有机电致发光器件，属于半导体材料技术领域。本发明所述含双嘧啶结构的化合物的结构如通式(1)所示：通式(1)本发明双嘧啶结构的化合物具有良好的电子调控能力和空穴、激子阻挡能力，同时拥有良好的稳定性，本发...
    2026-04-30
  • 光刻胶涂布设备及其胶杯结构
    光刻胶涂布设备及其胶杯结构_成都新紫光半导体科技有限公司_202520901065.7
    本公开涉及一种光刻胶涂布设备及其胶杯结构。该胶杯结构包括：上胶杯件和下胶杯件，上胶杯件用于套设在承载晶圆的载台外周，且部分上胶杯件位于晶圆的上方、下胶杯件位于晶圆的下方，上胶杯件和下胶杯件的接合处设有锁紧结构，锁紧结构包括卡接件和配合件，卡...
    2026-04-30
  • 一种螺二芴并咔唑类衍生物及有机电致发光器件
    一种螺二芴并咔唑类衍生物及有机电致发光器件_西安欧得光电材料有限公司_202610119462.8
    本发明属于有机发光材料及半导体技术领域，具体涉及一种螺二芴并咔唑类衍生物及有机电致发光器件。螺二芴并咔唑类衍生物的结构通式如式1所示。本发明提供的螺二芴并咔唑类衍生物，以螺二芴并咔唑为母核，通过引入给电子和吸电子基团使化合物具有较好的前线轨...
    2026-04-30
  • 一种天然气处理用脱碳装置
    一种天然气处理用脱碳装置_江西天然气井冈山有限公司_202610178317.7
    本发明公开了一种天然气处理用脱碳装置，包括：脱碳塔，脱碳塔顶端固定连接有干燥箱，脱碳塔侧端贯通连接有天然气输入斗，脱碳塔顶端和干燥箱底端之间贯通连接有连通管，干燥箱侧端贯通连接有天然气排出斗，脱碳塔内设置有喷淋系统，脱碳塔底端贯通连接有排液...
    2026-04-30
  • 一种用于净化气体的过滤器
    一种用于净化气体的过滤器_上海红重装备股份有限公司_202520841988.8
    本实用新型公开了一种用于净化气体的过滤器，包括筒体，筒体的一侧设置有的气体进气管，所述筒体的内部设置有用于净化带有杂质的天然气的过滤器，过滤器包括设置在筒体的内部且用于净化天然气的滤芯和设置在滤芯的周边且用于过滤杂质的滤网，所述筒体的另一侧...
    2026-04-30
  • 高深宽比TSV结构、其制备方法与应用
    高深宽比TSV结构、其制备方法与应用_苏州苏纳光电有限公司_202211270222.6
    本发明公开了一种高深宽比TSV结构、其制备方法与应用。所述制备方法包括：提供孔洞结构，孔洞结构的深宽比大于2且孔径小于100um；采用脉冲反向电沉积的方法在孔洞结构中形成TSV结构，脉冲反向电沉积包括正向电流和反向电流，正向电流的电流密度在...
    2026-04-30
  • 粘合剂组合物及包含其的透明粘合带
    粘合剂组合物及包含其的透明粘合带_金刚高丽化工玻璃制品公司_202480062331.X
    本发明涉及一种抑制气泡产生、且透明性、粘合性、机械性能及长期可靠性优异的粘合剂组合物及包含其的透明粘合带。
    2026-04-30
  • 一种金刚石复合散热材料及其制备方法与应用
    一种金刚石复合散热材料及其制备方法与应用_嘉兴沃尔德金刚石科技有限公司_202610054238.5
    本申请涉及半导体器件材料技术领域，具体公开了一种金刚石复合散热材料及其制备方法与应用。本申请提供的金刚石复合散热材料，包括导热系数≥500W/m·K、厚度为1‑3mm的金刚石复合基体及厚度为10‑100μm的金刚石膜；所述金刚石复合基体为金...
    2026-04-30
  • 一种基于膨胀珍珠岩颗粒的吸声材料制备方法
    一种基于膨胀珍珠岩颗粒的吸声材料制备方法_北京绿创声学工程股份有限公司_202310729529.6
    本发明公开了一种基于膨胀珍珠岩颗粒的吸声材料制备方法。本发明包括如下步骤：将膨胀珍珠岩颗粒样品按三种粒径进行筛分，得到三种粒径的膨胀珍珠岩颗粒，记为m7、m10、m14；分别进行体积称量，并以总体积为100％计，计算各自的体积占比，记为按照...
    2026-04-30
  • 一种增程式电动车减速器齿轮用钢及其制造方法
    一种增程式电动车减速器齿轮用钢及其制造方法_江阴兴澄特种钢铁有限公司_202311214029.5
    本发明涉及一种增程式电动车减速器齿轮用钢及其制造方法，属于钢铁冶金领域。所述钢材的化学成分重量百分比为C : 0.19～0.22％，Si : 0.20～0.30％，Mn : 0.40～0.55％，Cr : 0.60～0.80％，P : ≤0...
    2026-04-30
  • 一种含吩噁嗪的亚氨基双(乙基膦酸)在钙钛矿太阳能电池中的应用
    一种含吩噁嗪的亚氨基双(乙基膦酸)在钙钛矿太阳能电池中的应用_江苏海洋大学_202610095409.9
    本发明提供了以3, 7‑二甲氧基‑10H‑吩噁嗪、对氟硝基苯苯和乙烯基膦酸酯等为主要原料，经过吩噁嗪N原子的芳基化反应、aza‑Michael加成反应、以及酸催化反应，制得所述含吩噁嗪的亚氨基双(乙基膦酸)化合物，即N‑(4‑(3, 7‑二...
    2026-04-30
  • 高带宽非易失性存储器设备
    高带宽非易失性存储器设备_闪迪技术公司_202580004794.5
    提供了一种装置，该装置包括存储器系统，该存储器系统包括多个存储器裸片，每个存储器裸片包括包含多个非易失性存储器单元的存储器阵列。存储器系统具有约3TB/s的带宽，并且每个存储器阵列具有约1pJ/位的功率效率。
    2026-04-30
  • 一种基于分核-分频硬同步的视觉惯性导航方法
    一种基于分核-分频硬同步的视觉惯性导航方法_南京易信同控制设备科技有限公司_202610405956.2
    本发明公开了一种基于分核－分频硬同步的视觉惯性导航方法，导航定位技术领域，通过在相邻视觉帧之间构建惯性运动展开链，对视觉帧间的完整惯性运动过程进行展开保留，并在此基础上识别其中的可视觉承载段与折叠扰动段，使视觉观测仅对应于可视觉承载段形成视...
    2026-04-30
  • 有机化合物
    有机化合物_株式会社半导体能源研究所_202511544735.5
    提供一种新颖菲罗啉衍生物。提供一种由下述通式(G1)表示的有机化合物。在下述通式(G1)中，A1及A2分别独立地表示由下述通式(g1)表示的基。另外，在下述通式(g1)中，R11至R18分别独立地表示氢(包括氘)或取代基，p及q分别独立地表...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411498356.2
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：位于衬底上的多条阶梯位线，所述阶梯位线分布在沿垂直于所述衬底的方向分布的多个层中；所述阶梯位线包括相连接的水平部和垂直部；所述水平部沿平行于所述衬底的行方向延伸，所述垂直部沿垂直于所...
    2026-04-30
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