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最新专利技术
  • 半导体电镀工序控制方法及系统
    半导体电镀工序控制方法及系统_沈阳超夷微电子设备有限公司_202610162254.6
    本申请提供了一种半导体电镀工序控制方法及系统，属于半导体领域，解决传统基于电流、温度和流量等单参数的经验控制已无法满足产品需求的问题，上述方法包括：获取目标晶圆在电镀工位的装夹信息，控制目标晶圆进入电镀槽以建立电镀回路，在电镀开始阶段，控制...
    2026-05-08
  • 一种聚晶金刚石复合片高效电解脱钴方法
    一种聚晶金刚石复合片高效电解脱钴方法_中国矿业大学(北京)_202610177070.7
    一种聚晶金刚石复合片高效电解脱钴方法，具体是通过调控电解液体系和电解工艺实现聚晶金刚石复合片高效、稳定的电解脱钴。所述电解液主体成分由硫酸钠、硼酸和去离子水组成，所述电解液添加剂为络合剂，包括柠檬酸、甘氨酸、酒石酸、乙二胺四乙酸。络合剂的存...
    2026-05-08
  • 用于电化学刻蚀制备光伏网版的钨丝电解液
    用于电化学刻蚀制备光伏网版的钨丝电解液_山西师范大学_202610239129.0
    本发明提供了用于电化学刻蚀制备光伏网版的钨丝电解液，其通过对电解液的电流控制进而控制蚀刻速度，从而确保获得钨丝表面光滑、线径细、且寿命长的钨丝网版。其特征在于：其为酸性溶液，酸性溶液通过浓硫酸和甲醇混合获得，其中浓硫酸和甲醇的体积比为1 :...
    2026-05-08
  • 一种还原法清除铌酸亚锡表面四价锡的方法及应用
    一种还原法清除铌酸亚锡表面四价锡的方法及应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202411518389.9
    本发明提供了一种还原法清除铌酸亚锡表面四价锡的方法及应用，涉及光催化及光电催化技术领域；所述方法包括将铌酸亚锡电极材料浸润在电解质溶液中，使铌酸亚锡的表面与所述电解质溶液接触充分；通过对所述铌酸亚锡电极材料施加偏压，使铌酸亚锡的表面的四价锡...
    2026-05-08
  • 一种钨丝线结合力提升方法
    一种钨丝线结合力提升方法_盐城吉瓦新材料科技有限公司_202610158666.2
    本发明公开了一种钨丝线结合力提升方法，旨在解决现有钨丝细线化过程中结合力不足、线耗高、生产稳定性差的技术问题。该方法采用特定配比的电解液：季铵碱、无水乙醇、2‑甲基‑1‑己烯、硫酸钠及余量去离子水，通过S1电解液配制、S2设备设置与检查、S...
    2026-05-08
  • 一种单晶锰铝酸锂的生产方法
    一种单晶锰铝酸锂的生产方法_扬州虹一新材料有限公司_202610038849.0
    本发明公开了一种单晶锰铝酸锂的生产方法，属于锂离子电池正极材料的制备技术领域，包括以下步骤：取四氧化三锰、碳酸锂和含铝原料，其中，碳酸锂与四氧化三锰的摩尔比Li : Mn：0.50~0.55，碳酸锂与铝原料的摩尔比Li : Al：1.00~...
    2026-05-08
  • 一种基于局域热解反应原位制备氧化锌晶体的方法
    一种基于局域热解反应原位制备氧化锌晶体的方法_湖北篆光新材料有限公司_202610102147.4
    本发明公开了一种基于局域热解反应原位制备氧化锌晶体的方法。该方法以乙酰丙酮锌为核心前驱体，通过飞秒激光聚焦于前驱体与基材界面，利用激光瞬时高功率热效应形成局域化热解区域，驱动前驱体一步原位成核生长为氧化锌晶体。本发明通过调控激光功率、加工速...
    2026-05-08
  • 一种超疏水碱式硫酸镁晶须及其水热制备方法
    一种超疏水碱式硫酸镁晶须及其水热制备方法_中国科学院青海盐湖研究所_202610056202.0
    本发明提出一种超疏水碱式硫酸镁晶须及其水热制备方法，涉及粉体复合材料技术领域。本发明并使用二甲基十八烷基[3‑三甲氧基硅丙基]氯化铵作为表面改性剂接枝于晶须表面，并通过在水热制备晶须过程中加入改性剂一步制备得到超疏水碱式硫酸镁晶须，将晶须的...
    2026-05-08
  • 一种单晶金属箔材的制备方法及其应用
    一种单晶金属箔材的制备方法及其应用_苏州大学_202511915793.4
    本发明公开了一种单晶金属箔材的制备方法及其应用，包括如下步骤：提供生长有石墨烯层的单晶铜作为衬底；通过电沉积在衬底的石墨烯层一侧电镀金属层后，分离衬底得到单晶金属箔。本发明以生长有石墨烯层的单晶铜作为衬底电镀金属箔，基于远程外延机制，依靠下...
    2026-05-08
  • 一种复合溶剂调控的CsPbBr3光电晶体的制备方法
    一种复合溶剂调控的CsPbBr3光电晶体的制备方法_宁波大学_202610021298.7
    本发明属于钙钛矿材料制备技术领域，公开了一种复合溶剂调控的CsPbBr3光电的制备方法。该方法以DMSO‑H2O为复合溶剂，按以下步骤进行：配制体积比3 : 1~9 : 1的DMSO‑H2O复合溶剂；将CsBr与PbBr2按摩尔比1 : 1...
    2026-05-08
  • 一种水杨酰胺超快闪烁晶体的低温籽晶诱导生长方法
    一种水杨酰胺超快闪烁晶体的低温籽晶诱导生长方法_哈尔滨工业大学_202610100432.2
    一种水杨酰胺超快闪烁晶体的低温籽晶诱导生长方法，它涉及超快闪烁晶体及其低温籽晶诱导生长方法。它是要解决现有的有机晶体闪烁体在生长过程中存在的生长速率不可控、环境波动敏感、晶体内部易产生微观缺陷以及尺寸规整度差的技术问题。本方法：一、恒温挥发...
    2026-05-08
  • 一种尺寸可控的高结晶性铌酸亚锡单晶的制备方法和应用
    一种尺寸可控的高结晶性铌酸亚锡单晶的制备方法和应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202411518393.5
    本发明提供了一种尺寸可控的高结晶性铌酸亚锡单晶的制备方法和应用；所述制备方法包括采用熔盐法将氯化亚锡、五氧化二铌及卤代金属盐进行混合后得到的混合盐在惰性气体氛围下进行熔盐反应，经退火后即得到纳米至微米级的高结晶性铌酸亚锡单晶。采用本发明技术...
    2026-05-08
  • 一种基于坩埚下降生长氧化镓单晶的方法
    一种基于坩埚下降生长氧化镓单晶的方法_郑州大学_202610263104.4
    本申请提供了一种基于坩埚下降生长氧化镓单晶的方法和装置，该方法包括：将氧化镓原料装入坩埚中，坩埚为铂铑合金坩埚；将装有氧化镓原料的坩埚置于下降法生长炉中，采用侧面局部加热与底部主动散热相结合的方式形成竖直方向的温度梯度；控制下降法生长炉中气...
    2026-05-08
  • 一种VGF法生长低缺陷GaAs单晶的工艺方法
    一种VGF法生长低缺陷GaAs单晶的工艺方法_中原关键金属实验室_202610275973.9
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体为一种VGF法生长低缺陷GaAs单晶的工艺方法，该方案对高纯原料进行深度纯化与预处理，构建具有平缓轴向梯度与受控径向温差的精密热场，采用籽晶进行定向缩颈成核，并在整个过程中实施精确的生长动力学与气体管理...
    2026-05-08
  • 一种低氧氟化镁晶体的制备方法
    一种低氧氟化镁晶体的制备方法_河南微米光学科技有限公司_202610333335.8
    本发明公开了一种低氧氟化镁晶体的制备方法，属于晶体制备技术领域。本发明在原料熔融后以间歇脉冲模式向晶体炉内通入催化网活化的混合气，混合气中的活性氟物种能够与熔体表面的氧杂质发生氟化反应，以减少氧杂质含量，间歇脉冲通气模式的气流与坩埚旋转配合...
    2026-05-08
  • 单晶炉用防止硅液泄漏的炉底防护组件及单晶炉
    单晶炉用防止硅液泄漏的炉底防护组件及单晶炉_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202610411314.3
    该发明提供一种单晶炉用防止硅液泄漏的炉底防护组件，包括隔离托盘、隔热垫及密封轴套，隔离托盘为端口朝上敞开的盆体结构，在隔离托盘的中心处开设有供坩埚轴穿过的轴孔，隔离托盘套设于所述坩埚轴外侧，并设置于所述炉底盘的上方，隔离托盘用于承接石英坩埚...
    2026-05-08
  • 一种氧化镓晶体生长装置
    一种氧化镓晶体生长装置_先导原创(上海)新技术研究有限公司_202411516265.7
    本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种氧化镓晶体生长装置，包括：保温筒，所述保温筒包括一筒腔；坩埚，所述筒腔底部容置所述坩埚，所述坩埚用于盛放氧化镓原料粉末；提拉组件，所述提拉组件被配置为可伸入所述筒腔且被用于提拉氧化镓晶体；反射屏组件，所...
    2026-05-08
  • 单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉
    单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511905877.X
    本公开提供了一种单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉，该方法包括：在单晶硅棒生长过程中，实时获取单晶硅棒的直径信息；根据导流构件的几何参数和直径信息，获取熔体表面的有效气体扫掠面积；获取当前供应至单晶炉内的工艺气体的体积流量；基于体...
    2026-05-08
  • 一种降低孪晶缺陷的硅单晶生长方法及硅单晶和应用
    一种降低孪晶缺陷的硅单晶生长方法及硅单晶和应用_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610115982.1
    本发明提供一种降低孪晶缺陷的硅单晶生长方法及硅单晶和应用。该硅单晶生长方法包括以下步骤：在硅单晶样本的等径生长过程中，通过拉速和硅单晶直径的变化，确定硅熔体液面温度的高低温转折点，并记录对应的硅单晶等径长度，作为温度拐点等径长度；以温度拐点...
    2026-05-08
  • 单晶炉及拉晶方法
    单晶炉及拉晶方法_青海晶科能源有限公司_202610162339.4
    本申请实施例涉及单晶硅材料制备技术领域，提供一种单晶炉及拉晶方法，单晶炉包括：炉体副室，具有测温接口；测温装置，测温装置的第一端具有测温部，测温装置的第一端从籽晶的夹持端伸入籽晶的贯穿孔内并由籽晶的生长端伸出，测温装置的第二端通过信号线与测...
    2026-05-08
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