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最新专利技术
  • 凝胶忆阻器阵列及其制备方法与应用
    凝胶忆阻器阵列及其制备方法与应用_中国科学院化学研究所_202511976242.9
    本发明公开了凝胶忆阻器阵列及其制备方法与应用。本发明凝胶忆阻器阵列包括基底、导电Cross‑bar线路和凝胶锥形孔阵列，聚电解质凝胶结构位于第一端开口内至第二端开口内完全填充至导电线路，中性凝胶结构位于第一端开口外与导电线路连接。本发明的凝...
    2026-04-20
  • 一种阻变存储器及其制备方法
    一种阻变存储器及其制备方法_钠存科技(杭州)有限公司_202511996340.9
    本申请公开一种阻变存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域。该阻变存储器，包括顶电极、底电极，以及设置于顶电极和底电极之间的阻变层和应变结构，阻变存储器写入时，应变结构发生形变对阻变层形成压应力，使得阻变层中的氧空位向阻变层的中心聚集；阻变存...
    2026-04-20
  • 相变开关器件及其制备方法
    相变开关器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202512006734.1
    本申请提供了一种相变开关器件及其制备方法，属于微波开关器件技术领域。相变开关器件包括器件主体和散热层。器件主体的上表面具有测试压点以及相变区域；散热层覆盖于器件主体的上表面，散热层具有能暴露测试压点的窗口。散热层能吸收相变区域的热量，并与周...
    2026-04-20
  • 一种阻变存储器及其制备方法
    一种阻变存储器及其制备方法_钠存科技(杭州)有限公司_202610205611.2
    本申请涉及半导体领域，公开了一种阻变存储器及其制备方法，存储器包括至少一个存储单元，每个存储单元包括：第一金属互连层、导电栓塞、第一电极、阻变层、第一介质层、第二介质层、第二金属互连层、至少两个第二电极和至少两层氧离子储备层；导电栓塞位于第...
    2026-04-20
  • 一种改善P型低掺的浓度均匀性以及表面缺陷pits的方法
    一种改善P型低掺的浓度均匀性以及表面缺陷pits的方法_广东天域半导体股份有限公司_202512034457.5
    本发明公开了一种改善P型低掺的浓度均匀性以及表面缺陷pits的方法，包括如下步骤：S1、将碳化硅衬底放入碳化硅外延反应腔内的石墨基座上；S2、然后向反应腔通入氢气，进行原位刻蚀；S3、利用化学气相沉积的方法生长N型缓冲层；S4、在缓冲层完成...
    2026-04-20
  • 调制掺杂的氮化铝/金刚石异质结材料及制备方法
    调制掺杂的氮化铝/金刚石异质结材料及制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511886089.0
    本发明提供了一种调制掺杂的氮化铝/金刚石异质结材料及制备方法，属于半导体技术领域，包括：在金刚石衬底上制备氢终端层，形成氢终端金刚石衬底；在氢终端层上定向生长本征氮化铝层；在本征氮化铝层上调制生长镁掺杂氮化铝功能层，形成层级化的界面电荷输运...
    2026-04-20
  • 近结散热的低热阻金刚石基GaN异质结材料及制备方法
    近结散热的低热阻金刚石基GaN异质结材料及制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511887824.X
    本发明提供了一种近结散热的低热阻金刚石基GaN异质结材料及制备方法，属于半导体技术领域，包括氢终端金刚石衬底的精准制备；PLD法单晶AlN形核层的定向生长；MOCVD法层级外延结构的一体化制备。本发明提供的近结散热的低热阻金刚石基GaN异质...
    2026-04-20
  • 一种双极性晶体管基极金属的制作方法
    一种双极性晶体管基极金属的制作方法_福建省福联集成电路有限公司_202511919424.2
    本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种双极性晶体管基极金属的制作方法，在发射极层以及发射极台阶的表面沉积一层的介质层；在介质层表面涂布光阻，使用一张光罩进行曝光显影，刻蚀暴露的介质层；去除光阻，在介质层表面沉积一层Oxide层；刻蚀Oxid...
    2026-04-20
  • 一种晶体管基极金属的制作方法
    一种晶体管基极金属的制作方法_福建省福联集成电路有限公司_202511919617.8
    本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种晶体管基极金属的制作方法，在发射极层的外延片表面沉积一层介质层；在介质层表面涂布两层光阻，曝光显影后，刻蚀去除暴露的介质层；在暴露的发射极层上刻蚀出截面呈倒梯形的通道；在通道上蒸镀Y字形的基极金属，所述...
    2026-04-20
  • 一种生成稳定金属-硅化物的方法
    一种生成稳定金属-硅化物的方法_长春长光正圆微电子技术有限公司_202512017616.0
    本发明属于半导体器件制造技术领域，为了微观生成更稳定的金属化合物提供一种生成稳定金属‑硅化物的方法，将沉积金属层后的衬底置于快速热退火设备中，执行快速热退火，该过程至少包括预热阶段：控制设备中负责主加热的多个前部灯组，以额定功率的低功率值进...
    2026-04-20
  • 一种功率器件及其制备方法
    一种功率器件及其制备方法_无锡邑文微电子科技股份有限公司_202512032817.8
    本发明提供了一种功率器件及其制备方法。所述制备方法包括：(1)将衬底置于自电离等离子体反应腔室中预热；(2)在预热后的衬底表面进行第一沉积，制备Ti薄膜；(3)在Ti薄膜表面进行第二沉积，制备TiN薄膜；(4)将反应腔室抽真空，降温；(5)...
    2026-04-20
  • 一种高介电常数柔性介电层及其基于有机/无机自对准低温制备方法与应用
    一种高介电常数柔性介电层及其基于有机/无机自对准低温制备方法与应用_华南理工大学_202511853039.2
    本发明公开了一种高介电常数柔性介电层及其基于有机/无机自对准低温制备方法与应用。本发明将有机前驱体溶液旋涂于等离子体处理的衬底上，热退火，得到有机物介电层，再在有机物介电层上旋涂无机前驱体溶液，热退火，得到无机金属氧化物介电层，最后在无机金...
    2026-04-20
  • 一种聚合物掺杂的柔性氧化物薄膜及其制备方法与应用
    一种聚合物掺杂的柔性氧化物薄膜及其制备方法与应用_华南理工大学_202511853040.5
    本发明公开了一种聚合物掺杂的柔性氧化物薄膜及其制备方法与应用。本发明将聚合物和无机金属盐溶于溶剂中得到前驱体溶液，再旋涂于衬底上，干燥后经紫外退火处理，得到有机‑无机复合介电层薄膜。以紫外退火方式促进聚合物支链上不饱和官能团或活性官能团与金...
    2026-04-20
  • 一种高效无损伤降低SiC晶圆减薄后翘曲的方法
    一种高效无损伤降低SiC晶圆减薄后翘曲的方法_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202511825375.6
    本发明公开一种高效无损伤降低SiC晶圆减薄后翘曲的方法，包括：对待加工晶圆减薄处理，得到第一晶圆片；对第一晶圆片的背面进行激光处理，得到第二晶圆片；对第二晶圆片进行清洗，得到第三晶圆片；对第三晶圆片的背面形成背面金属。本发明利用激光脉冲局部...
    2026-04-20
  • 一种用于硬脆半导体晶圆的复合表面精加工方法
    一种用于硬脆半导体晶圆的复合表面精加工方法_北京航空航天大学_202511896536.0
    本发明公开了一种用于硬脆半导体晶圆的复合表面精加工方法，属于半导体制造技术领域。该方法用于对经过精磨后的晶圆进行处理，包括以下顺序步骤：(1)利用反应性等离子体对精磨后的晶圆表面进行预处理，形成一层物理结构疏松、化学性质改变的微米级预改性层...
    2026-04-20
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品_株式会社国际电气_202511036939.8
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品。课题在于提供一种能够高效地进行衬底表面的氧化膜的蚀刻的技术。(a)准备衬底的工序，所述衬底在表面具有氧化膜、和以比原本所需的厚度T1厚出厚度T2的方式形成的含氮膜；(b)通过对所...
    2026-04-20
  • 一种接触孔的刻蚀方法与绝缘栅双极型晶体管
    一种接触孔的刻蚀方法与绝缘栅双极型晶体管_无锡邑文微电子科技股份有限公司_202512026938.1
    本发明提供了一种接触孔的刻蚀方法与绝缘栅双极型晶体管。所述方法包括：采用第一刻蚀气体对介电层进行第一刻蚀，至多晶硅层裸露；第一刻蚀气体包括碳氟气体、O2和Ar；采用第二刻蚀气体对多晶硅层进行第二刻蚀；第二刻蚀气体包括CF4、O2、HBr和C...
    2026-04-20
  • 晶圆处理方法及晶圆
    晶圆处理方法及晶圆_苏州微士创芯科技有限公司_202511941749.0
    本申请涉及一种晶圆处理方法及晶圆，晶圆处理方法包括：提供晶圆，晶圆包括衬底和位于衬底上的氧化层；氧化层的远离衬底的表面为凹面；在晶圆旋转的条件下，向凹面的边缘区域喷洒腐蚀液，向凹面的中间区域喷洒清洗剂，对氧化层进行腐蚀处理，使得氧化层的远离...
    2026-04-20
  • 一种晶圆复合划片工艺
    一种晶圆复合划片工艺_博康(嘉兴)半导体科技有限公司_202512004050.8
    本发明提出一种晶圆复合划片工艺，包括以下步骤：S1.利用脉冲激光束聚焦使得晶圆切割道内部形成改质层；S2.利用刀刃进行划片并将S1步骤所产生的切割道镭痕进行划片，在不切透改质层的情况下，形成最新表面切割道；S3.沿着最新表面切割道依次进行裂...
    2026-04-20
  • 半导体芯片的划片工艺
    半导体芯片的划片工艺_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202610011571.8
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体芯片的划片工艺，包括：将硅片的与陶瓷片粘接并固化，于硅片与陶瓷片之间形成粘接层；采用划片刀对硅片的表面进行切割，于硅片的表面形成布线道及划片道；采用划片刀对划片道的两侧进行切割，于硅片厚度方向...
    2026-04-20
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