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最新专利技术
  • 用于评判衬底堆叠中的第一衬底与第二衬底之间的键合部的质量的方法和用于所述方法的设备
    用于评判衬底堆叠中的第一衬底与第二衬底之间的键合部的质量的方法和用于所述方法的设备_EV集团E·索尔纳有限责任公司_202380102369.0
    一种用于评判衬底堆叠(2)中的键合部的质量的方法，在所述衬底堆叠中，第一衬底(1o)和第二衬底(1u)经由键合部彼此连接，所述方法包括：‑提供具有第一衬底(1o)和第二衬底(1u)的衬底堆叠(2)，所述第一衬底和第二衬底分别沿着主延伸平面延...
    2026-04-23
  • 半导体工艺的废气处理系统
    半导体工艺的废气处理系统_凯斯创新株式会社_202380102472.5
    根据本发明的半导体工艺的废气处理系统包括：反应器主体，其上部开放的圆筒；管道，其设置在所述反应器主体的内部空间中，并且上侧和下侧开放的同时，形成多个开口；块状加热器，其插入到所述多个开口中接近所述反应器主体内壁的第一开口，并且通过比所述第一...
    2026-04-23
  • 基板处理装置
    基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480059056.6
    基板处理装置处理基板。基板处理装置具备复数个配管。复数个配管分别具有内侧表面及外侧表面。流体在复数个配管各自的内侧表面的内侧流通。复数个配管包含至少1个原生材料配管及1个再生材料配管。原生材料配管含有氟树脂的原生材料。再生材料配管含有氟树脂...
    2026-04-23
  • 基板处理装置以及基板处理方法
    基板处理装置以及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480059061.7
    基板处理装置包含向基板的上表面将处理液朝下方喷出的处理液喷嘴(30)。处理液喷嘴(30)的外表面(30s)包含拒水面(72)。
    2026-04-23
  • 实现高精度热电偶基板之双制造工艺与校正
    实现高精度热电偶基板之双制造工艺与校正_应用材料公司_202480059532.4
    本文的实施方式大体上针对一种用于制造在半导体及显示器制造中使用的温度测量装置的系统及工艺。提供一种分叉热电偶基板，且所述分叉热电偶基板包括具有基板孔隙的主要基板、安置在所述基板孔隙内的次要基板，以及安置在所述次要基板的热电偶孔隙内的热电偶。...
    2026-04-23
  • 有害气体处理设备及其运行方法
    有害气体处理设备及其运行方法_LOTCES有限公司_202580004642.5
    本发明提供有害气体处理设备，其安装于半导体制造设备处理气体中含有的有害成分，所述半导体制造设备具有：半导体工艺腔室；从所述半导体工艺腔室延伸的前级管线排气管；通过所述前级管线排气管排出上述半导体工艺腔室的气体的真空泵；供从所述真空泵排出的所...
    2026-04-23
  • 储藏库以及保管搬运系统
    储藏库以及保管搬运系统_村田机械株式会社_202480060816.5
    本发明具备：储藏库主体；搬运组件，在储藏库主体外的第一物品交接位置与相对于第一物品交接位置位于储藏库主体侧的第二物品交接位置之间搬运物品；移载装置，在第二物品交接位置与储藏库主体的复数个搁板部中的任一个之间交接物品；储藏库控制器，控制移载装...
    2026-04-23
  • 接合系统和接合方法
    接合系统和接合方法_东京毅力科创株式会社_202480059427.0
    本公开的接合系统(1)具备第一搬送装置(61)、表面改性装置(33)、加载互锁真空室(31)、搬送室(32)、基板处理装置(34)以及接合装置(41)。第一搬送装置搬送第一基板(W1)和第二基板(W2)。表面改性装置(33)对第一基板(W1...
    2026-04-23
  • 晶片载放台及晶片载放台的制造方法
    晶片载放台及晶片载放台的制造方法_日本碍子株式会社_202380100567.3
    供晶片载放固定的晶片载放台具备：静电卡盘，其具备具有晶片的载放面的陶瓷基体、以及分别植入于陶瓷基体的内部的ESC电极和加热器电极；金属制的冷却板；以及树脂制的粘接片材，其将静电卡盘和所述冷却板粘接，静电卡盘针对粘接片材的粘接面具有由1种或多...
    2026-04-23
  • 基座高度调整
    基座高度调整_应用材料公司_202480058539.4
    一种基座包括多个基板支撑分部。基座进一步包括与所述多个基板支撑分部中的第一基板支撑分部相关联的垂直移动部件。垂直移动部件经配置以使第一基板支撑分部的至少一部分垂直地移动。
    2026-04-23
  • 基板处理设备和基板处理设备的边缘框架
    基板处理设备和基板处理设备的边缘框架_周星工程股份有限公司_202480059725.X
    本发明涉及一种基板处理设备和基板处理设备的边缘框架，基板处理设备包括腔室、设置在腔室中且用于支撑基板的基板支撑单元、设置在基板和基板支撑单元上的边缘框架以及使边缘框架的下部与基板之间具有第一间隔的台阶高度控制件。
    2026-04-23
  • 载体组件和系统
    载体组件和系统_布勒阿尔策瑙股份有限公司_202480060475.1
    本发明涉及一种用于对晶片(22)进行无间隙定位的载体组件(24)，该载体组件具有用于晶片(22)的载体(26)、倾斜机构(40)和定位部件(34)。载体(26)具有用于容纳晶片(22)的开口(30)。定位部件(34)具有用于侧向定位晶片(2...
    2026-04-23
  • 用于混合采样计划生成和精确管芯损耗投射的系统和方法
    用于混合采样计划生成和精确管芯损耗投射的系统和方法_ASML荷兰有限公司_202480059248.7
    用于生成检查工具采样计划的系统、方法、装置以及非暂态计算机可读介质。该系统、方法、装置以及非暂态计算机可读介质可以包括：生成静态采样计划，以确定用于检查的基线；生成动态采样计划，以确定异常事件；应用该静态采样计划；以及当在样品的具有历史上低...
    2026-04-23
  • 包括具有集成篡改检测电路的散热器盖的篡改检测组件
    包括具有集成篡改检测电路的散热器盖的篡改检测组件_国际商业机器公司_202480059484.9
    提供了篡改检测组件和制造方法。一种篡改检测组件包括层压载体，在该层压载体中具有嵌入的篡改检测电路，以及在该层压载体上的一个或多个电子部件。此外，篡改检测组件包括散热器盖。散热器盖包括散热器和集成在散热器盖内的篡改检测电路。散热器盖被安装到层...
    2026-04-23
  • 类金刚石碳缝隙填充
    类金刚石碳缝隙填充_应用材料公司_202480058372.1
    本公开内容提供一种方法。该方法包括将基板定位在处理腔室的处理容积中的静电卡盘上。通过将RF偏压施加至静电卡盘来在基板处产生等离子体。通过使包含烃化合物的第一沉积气体流动到处理容积中来在基板的开口中沉积类金刚石碳膜的第一层。第一层被蚀刻以去除...
    2026-04-23
  • 用于背面间隔的背面偏移栅极触点
    用于背面间隔的背面偏移栅极触点_国际商业机器公司_202480058613.2
    本文公开的实施例包括半导体结构。该半导体结构可以包括前道工序部(FEOL)，其包括邻近第一栅极的第一源极/漏极(S/D)。设备可以包括在FEOL下方的背面互连，其具有多个信号线和多个电源线。设备可以包括偏移栅极触点，其电连接在第一栅极和多个...
    2026-04-23
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202580004590.1
    提供一种能够抑制半导体模块的翘曲的半导体装置。半导体装置构成为：半导体模块(1)具有散热板(3)、通过第一树脂片(7)来与散热板(3)的上表面(S1)接合的导电板(4)、以及通过接合材料(10)来与导电板(4)的上表面接合的半导体芯片(5)...
    2026-04-23
  • 用于直接打印式散热器的系统和方法
    用于直接打印式散热器的系统和方法_博格华纳美国技术有限责任公司_202480058694.6
    一种用于电动车辆的系统包括：功率开关，所述功率开关被配置为将来自电池的DC电力转换为AC电力以驱动电机；和三维打印散热器(3D散热器)，所述3D散热器耦合到所述功率开关。
    2026-04-23
  • 具有流化颗粒床的热交换器
    具有流化颗粒床的热交换器_维谛公司_202480059119.8
    用于热交换器系统的冷板可以包括与热负载热连通的基部、从基部延伸的一个或更多个壁、穿过冷板的第一流体路径、设置在第一流体路径内的多个颗粒或其任何组合。第一流体路径可以具有入口和出口和/或在至少两个侧部上由壁界定。多个颗粒可以在第一流体路径内于...
    2026-04-23
  • 用于制造电子部件的方法和电子部件
    用于制造电子部件的方法和电子部件_盖博肯珀金属工程有限公司_202480057740.0
    本发明涉及电气工程领域，并且涉及一种用于制造电子部件的方法，该电子部件具有至少一个电子元件(12)，该电子元件通过引线键合电连接至由基板材料制成的带材(4)的部段(14.1)，其中，带材(4)是通过对基底材料进行轧制而轧制的，将通过轧制而形...
    2026-04-23
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