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  • 本发明提出一种晶圆复合划片工艺,包括以下步骤:S1.利用脉冲激光束聚焦使得晶圆切割道内部形成改质层;S2.利用刀刃进行划片并将S1步骤所产生的切割道镭痕进行划片,在不切透改质层的情况下,形成最新表面切割道;S3.沿着最新表面切割道依次进行裂...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体芯片的划片工艺,包括:将硅片的与陶瓷片粘接并固化,于硅片与陶瓷片之间形成粘接层;采用划片刀对硅片的表面进行切割,于硅片的表面形成布线道及划片道;采用划片刀对划片道的两侧进行切割,于硅片厚度方向...
  • 本发明的实施例提供了封装工件清洗方法、清洗水气路系统、存储介质及清洗设备,涉及半导体工艺领域。该封装工件清洗方法包括安装封装工件;启动水泵;水泵将水流泵入喷嘴,观察喷嘴的喷射方向是否朝向封装工件表面的切割道;若是,则通过变频驱动单元调节水泵...
  • 本发明涉及二极管酸洗技术领域,具体是一种集成电路板用二极管酸洗装置,包括底座,所述底座固定连接有控制面板,所述底座上安装有酸洗池,还包括:与底座相连接的换液结构;与底座相连接的翻转浸液结构,所述翻转浸液结构包括与底座相连接的翻转升降机构,所...
  • 本申请涉及一种晶圆清洗装置及清洗方法,涉及半导体设备技术领域,一种晶圆清洗装置包括控制结构、承载结构、一对辊刷及一对施力结构,多组承载结构具有承托晶圆的边沿部分的晶圆承载面,多组承载结构转动以带动晶圆自转,一对辊刷对向设置于晶圆承载面的上下...
  • 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置。课题是提供能够对形成于衬底的凹部的表面中的所希望的区域进行选择性处理的技术。(a)准备具有被第1末端封端的第1区域、和被所述第1末端封端的第2区域的衬底的工序,第1区域构...
  • 本发明涉及一种利用卡盘分区调节机制实现增强均匀性控制的原子层刻蚀。该ALE工艺包含多个循环,每个循环均包括表面改性步骤和溅射步骤。所述系统采用具有独立控制区域的卡盘,在溅射步骤中可对这些区域进行选择性激活。系统控制器会在不同ALE循环中配置...
  • 本发明涉及光伏电池制造技术领域,具体涉及一种光伏湿法设备洁净度的监控方法。该监控方法包括以下步骤:监控方法,包括以下步骤:提供制绒硅片;当目标湿法机台为制绒机台时,制绒硅片本身即为监控测试样片;当目标湿法机台不为制绒机台时,制绒机台为洁净状...
  • 本公开提供了一种快速退火设备及方法。快速退火设备包括:炉体、载盘结构、吹扫装置;载盘结构包括多个支撑部和载盘,多个支撑部的一端与炉体的顶面连接,多个支撑部的另一端与载盘的底面连接;吹扫装置位于炉体的一侧,用于向载盘结构及炉体吹扫气体。
  • 本发明提出一种太阳能组件全流程在线检测系统及其方法,系统包括:中央控制模块,用于协调控制整个检测系统的运行,并用于数据汇集与指令分发;分布式检测工站,包括:串焊段检测工站、叠焊段检测工站、层压前检测工站、层压后检测工站、焊接后检测工站和灌胶...
  • 本发明提供一种半导体设备腔压的调节方法,所述调节方法包括:预先获取并存储多个工艺配方各自对应的标准压力时序数据,形成标准压力时序数据库;根据当前执行的工艺配方,从标准压力时序数据库中选取对应的标准压力时序数据;获取所述工艺腔室在执行当前工艺...
  • 本发明公开了一种可检测预热环断裂状态的半导体设备,包括:腔体,所述腔体包括依次设置的上穹顶、内衬和下穹顶;基座,其设置在所述腔体内,用于承载晶圆;预热环,所述预热环安装于所述内衬;压电电荷激发单元,用于检测所述预热环的压力变化并产生对应的电...
  • 本申请涉及低摩擦气控力控贴装组件,气控组件及滚珠花键分别设置于旋转电机组件上,旋转电机组件设置于底座组件上,且驱动连接滚珠花键;旋转接头组件设置于气控组件中,旋转接头组件的第一端接入负压源且抵接气浮控件,第二端弹性抵接旋转电机组件,且轴接滚...
  • 本发明属于半导体制备技术领域,提供自动校准薄膜规零点漂移方法、系统及半导体制造设备,方法包括:工艺过程前在工艺腔室底压状态下获得薄膜规复位至零点的工艺前零点读值;完成工艺过程后在工艺腔室底压状态下获得薄膜规的工艺后读值; 判断工艺后读值相对...
  • 本申请实施例公开了一种晶圆修边装置及方法。晶圆修边装置包括架体以及分别安装在架体上的第一搬运机构、对中传输机构、修边机构、第二搬运机构和清洗机构;第一搬运机构被配置为将待修边的晶圆搬运至对中传输机构;对中传输机构被配置为对晶圆的方向和位置进...
  • 本申请涉及一种半导体搬运设备运动控制方法、装置、半导体搬运设备运动控制设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。方法包括:接收针对搬运设备的路径规划数据,确定路径控制点对于待生成运动曲线的影响规则在待生成运动曲线的曲线生成进度控制参数的预设...
  • 本申请涉及一种半导体搬运设备运动控制方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。方法包括:获取物流搬运设备的当前运动特征以及目标运动轨迹;根据当前运动特征从目标运动轨迹中确定物流搬运设备的目标轨迹点;根据目标轨迹点在目标运动...
  • 本申请涉及一种半导体搬运设备的定位方法、装置、计算机设备、可读存储介质和计算机程序产品。方法包括:根据搬运设备在当前定位周期的运动特征,计算其在当前定位周期的行驶里程数据;根据运动特征,确定传感定位数据在当前定位周期内的预测变化量;获取传感...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种氧化层均匀性的控制方法、装置、电子设备、介质及产品,包括:获取性能参数的目标范围和多个工艺参数中每个工艺参数的约束范围,性能参数是表征氧化层厚度均匀性的参数,工艺参数是影响氧化层厚度均匀性的参数;根据多个...
  • 本申请公开了晶圆湿法腐蚀的腐蚀参数适应性调整方法及系统,涉及晶圆湿法腐蚀技术领域,该方法包括:基于晶圆上几何特征与湿法腐蚀,进行全局寻优,得到优化的初始局部电润湿电压与初始编程式激光扫描路径参数;获取气‑液界面曲率半径与副产物浓度梯度;利用...
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