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  • 本发明属于电力系统监测技术领域,具体涉及一种配电电缆分支箱状态监测方法及装置,其方法包括:采集电缆分支箱处的负载电流数据及电磁脉冲信号,对电磁脉冲信号进行变分模态分解得到纯净局放信号序列;将纯净局放信号序列处理为局放强度序列,在滑动时间窗口...
  • 本发明涉及电力系统高电压绝缘与智能传感监测领域,具体为一种绝缘油多参数快速同步检测装置及检测方法,其包含流体驱动单元、声电分层测试管路、击穿测试单元及自愈合阻尼阀;系统通过超声驻波场与介电泳力协同作用,在管路内构建中心富气芯流‑外围纯净环流...
  • 本申请提供了一种机器人、基于机器人的局部放电监测系统及监测方法,机器人包括机器人主体、吸附模块、动态视觉传感模块和通信模块,当机器人位于油浸式电气设备的内部时,通过吸附模块沿巡检路径运动或吸附于油浸式电气设备,并通过动态视觉传感模块获取油浸...
  • 本发明公开了一种高压电缆绝缘故障的检测方法及系统,所述方法包括获取目标高压电缆在不同高压激励参数组合下分别对应的泄漏电流,以进行等效电容及介质损耗因数的计算;根据电压等级、电压激励频率、等效电容及介质损耗因数构建目标高压电缆的二维高压介电谱...
  • 一种模拟前端电路及电弧检测芯片、设备,模拟前端电路包括第一信号放大电路、滤波电路、第二信号放大电路、信号处理电路、温度平衡电路和第三信号放大电路。第一信号放大电路、滤波电路和第二信号放大电路可以作为主信号通路。第一信号放大电路、滤波电路、信...
  • 本发明涉及半导体技术领域中的一种识别外延片缺陷对SiC器件性能影响的方法、系统,包括以下步骤:通过NUV‑PL扫描获取SiC器件的外延片的光致发光参数;基于NUV‑PL扫描的扫描结果确定三角形外延片缺陷的尖角方向,并基于尖角方向确定SiC器...
  • 本发明实施例涉及电力系统技术领域,特别涉及一种多芯片并联器件最大结温检测方法、设备及系统。其中,方法包括:采集多芯片并联器件内各芯片的直流电流分布数据;获取所述多芯片并联器件在正向导通与反向续流状态下的通态压降数据;将所述通态压降数据、所述...
  • 本发明公开了一种低温晶体管建模黄金样本筛选方法,首先设计晶体管测试结构;其次,对这一系列具有特定栅长和栅宽的晶体管进行仿真,得到typical corner下商业模型的仿真结果,统计用于确定黄金样本的参数的中位数值;在室温下对多个晶体管测试...
  • 本发明公开了一种开关功率器件的测试电路和测试工具,属于开关功率器件测试技术领域。本发明实施例的开关功率器件的测试电路包括:电压测试电路,电流测试电路,损耗测试电路和主控芯片;电压测试电路,用于确定开关功率器件的当前集电极电压;电流测试电路,...
  • 本发明公开了一种场效应管老化测试筛选系统及方法,涉及场效应管测试技术领域,包括微控制模块,依次驱动场效应管模块连接的三组场效应管,由老化检测模块检测处于驱动状态下的场效应管的老化程度,同时在驱动开始时,由开通检测模块进行定时并检测场效应管的...
  • 提供一种在晶圆表面建立减速电场的方法、产品及设备。该方法包括:控制电源向待测晶圆施加设定预备电压并维持第一预定时间;控制电源向待测晶圆施加预先确定的使待测晶圆的表面电压达到期望电压所需的目标输出电压,并维持第二设定时间,其中,设定预备电压的...
  • 本申请涉及一种碳化硅晶体管的动态反偏寿命评估方法、装置和设备。该方法包括:获取目标碳化硅晶体管的基准电学参数;其中,基准电学参数包括基准栅极漏电流;获取目标碳化硅晶体管在动态反偏DRB试验过程中,不同时刻下对应的试验电学参数;根据各试验电学...
  • 本发明涉及二极管检测技术领域,尤其涉及一种基于机器视觉定位的二极管导电性能测试方法,包括通过图像检测模块获取二极管组图像,确定排列间距与方向;计算实际排布偏差程度,对比标准阈值以决定是否进行导电性能检测;合格则检测得并联伏安特性曲线,分段后...
  • 本发明公开了一种可实现智能温控的高频电源开关老化测试设备,涉及电源测试技术领域,通过设置多层隔板,使箱体的测试腔分为多层,使测试设备可以一次性测试多个高频电源开关,通过风扇从箱体的进气口吸入气流,使气流进入气流通道,根据检测机构根据每层测试...
  • 本发明公开了一种基于VI源通道实现模拟激励与数字通信复用的测试系统及方法,属于半导体自动测试设备技术领域。旨在解决现有测试系统接口资源紧张、成本高、灵活性不足的问题。技术方案要点:测试机台与被测器件板通过VI源通道连接,测试机台侧将数字通信...
  • 一种单粒子损伤定位诊断方法及系统,涉及半导体器件测试技术领域,所述单粒子损伤定位诊断方法,包括如下步骤:获取半导体待测器件;其中,所述半导体待测器件的正面设置有窗口区域,所述窗口区域无金属覆盖;激光扫描窗口区域中的每个扫描点,获取每个扫描点...
  • 本发明涉及半导体材料无损检测技术领域,公开了一种太赫兹时域光谱椭偏半导体晶圆电学参数无损检测系统,该系统包括:太赫兹发射模块用于产生宽带太赫兹脉冲;偏振控制模块调控太赫兹脉冲的偏振状态;样品固定模块固定晶圆并调节入射角度;太赫兹接收模块检测...
  • 本发明涉及芯片封装测试设备技术领域,具体的是公开一种集成电路芯片封装测试设备及其测试方法,本发明包括机体,所述机体包括驱动机构、挤压测试机构和放置机构。本发明通过设置圆盘、槽口块和第一限位杆,由于驱动电机的运行,从而使得旋转块通过槽口块整体...
  • 本发明为一种噪声限制电压的检测方法,其应用于一检测电路检测一印刷电路板,本发明的噪声限制电压的检测方法借由利用该检测电路的二探针元件耦接该印刷电路板的线路,依据一噪声限制参数提供一测试电源至该印刷电路板的线路上,而产生对应的一测试讯号。如此...
  • 本申请提供一种软硬件协同的人工智能芯片的测试方法及相关设备,所述方法包括获取待测试芯片对应的芯片测试需求和场景需求;基于所述芯片测试需求和预先构建的多种模型要素,确定目标测试模型;基于所述场景需求,在预先构建的多种测试试验中确定至少一个目标...
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