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最新专利技术
  • 粘合片材和物体的处理方法
    粘合片材和物体的处理方法_琳得科株式会社_202480060320.8
    本发明能通过更温和的操作来拾取保持于粘合片材的物体，该粘合片材具备在表面具有凹凸的粘合层。一种粘合片材，该粘合片材具备表面具有凹凸的粘合层。在以接触压力0.3MPa将具有5.0mm×5.0mm的尺寸的硅芯片的镜面按压于粘合片材的粘合层后，将...
    2026-04-29
  • 全局平坦化方法
    全局平坦化方法_布鲁尔科技公司_202480060187.6
    提供了用于微电子基材的全局平坦化的组合物和方法。所述方法包括：对基材表面、或者所述基材表面上的任意中间层施加交联改性剂组合物。随后，可对交联改性剂层施加平坦化材料，这影响平坦化层中的交联度。取决于下方基材(或中间层)的具体形貌，在后续显影回...
    2026-04-29
  • 用于选择性沉积的预处理衬底
    用于选择性沉积的预处理衬底_朗姆研究公司_202480060698.8
    一示例提供用于处理衬底的方法。所述方法包含执行多区域衬底表面的预处理，多区域衬底包括含多晶硅半导体、含硅氮化物、或含硅氧化物中的两者或更多者的区域。每一区域上的所述表面包含天然氧化硅层。所述预处理包含基于溶剂的气相蚀刻工艺，其中至少使氟化氢...
    2026-04-29
  • 堆叠封装中的良率改进
    堆叠封装中的良率改进_科磊股份有限公司_202480060720.9
    可确定接合晶片的目标厚度的形状改变诱发应力。接着可使用所述形状改变诱发应力确定所述接合晶片的接合强度。可针对所述接合强度确定接合参数。可将确定的所述接合强度与用于形成所述接合晶片的在线接合强度进行比较。
    2026-04-29
  • 复合基板的制造方法
    复合基板的制造方法_日本碍子株式会社_202480056189.8
    复合基板的制造方法包括如下工序：在支撑基板上形成中间层；对压电材料基板的表面和在支撑基板上形成的中间层的表面分别照射FAB；对压电材料基板的表面进一步照射FAB，在中间层的表面形成出包含压电材料基板的材料的溅射膜；将压电材料基板和形成有溅射...
    2026-04-29
  • 防眩光膜和包括防眩光膜的显示设备
    防眩光膜和包括防眩光膜的显示设备_三星电子株式会社_202480061251.2
    一种防眩光膜包括：基材；漫射层，设置在基材的上表面上并且包括从漫射层的上表面突出的多个突起；以及低反射层，设置在漫射层的上表面上。漫射层的多个突起所突出的高度高于低反射层的上表面的高度。
    2026-04-29
  • 显示面板及其制作方法、显示装置
    显示面板及其制作方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001630.2
    本公开提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。显示面板包括：衬底基板；位于衬底基板的一侧，且沿远离衬底基板的方向依次层叠的像素电路层、黑色像素界定层、封装层和平坦层，黑色像素界定层具有多个第一开口，平坦层具有多个第二开口...
    2026-04-29
  • 显示装置和包括显示装置的电子装置
    显示装置和包括显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202480061099.8
    显示装置包括：发光元件，设置在基板上并且生成预设颜色的光；以及颜色转换层，设置在发光元件上并且包括在紫外‑可见吸收光谱中包含第一吸收峰的第一量子点和与第一量子点不同并且在紫外‑可见吸收光谱中不包含第一吸收峰的第二量子点。
    2026-04-29
  • 显示装置、显示模块、电子设备
    显示装置、显示模块、电子设备_株式会社半导体能源研究所_202480058631.0
    提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖的显示装置。使用一种包括第一发光器件、第二发光器件、第一导电层、第一层及第二层的显示装置。第一发光器件包括第一电极、第二电极及第一单元，第一单元被夹在第一电极与第二电极之间，第一单元包含发光性材料。第...
    2026-04-29
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202480060596.6
    本发明的一实施例公开一种显示装置，包括显示区域和非显示区域，其中所述非显示区域包括设置在所述显示区域的一侧的第一区域以及在所述显示区域与所述第一区域之间的第二区域。所述显示装置包括：第一部分，布置在所述第一区域中；多个第一岛部分，布置在所述...
    2026-04-29
  • 发光基板和制造发光基板的方法
    发光基板和制造发光基板的方法_京东方科技集团股份有限公司_202480000342.5
    提供了一种发光基板。发光基板包括：衬底基板；一个或多个焊盘，其位于衬底基板上；一个或多个绝缘层，其位于一个或多个焊盘的远离衬底基板的一侧，其中，一个或多个焊盘的区域，具有贯穿一个或多个绝缘层的一个或多个过孔；一个或多个焊料，其位于一个或多个...
    2026-04-29
  • 发光二极管和发光装置
    发光二极管和发光装置_天津三安光电有限公司_202380101509.2
    本发明公开发光二极管，其包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；所述有源层自第一表面至第二表面方向包括第一有源层，第二有源层和第三有源层，所述第一有...
    2026-04-29
  • 一种用于改善硅太阳能电池接触栅欧姆接触特性的方法及用于实施该方法的装置
    一种用于改善硅太阳能电池接触栅欧姆接触特性的方法及用于实施该方法的装置_CE面板工程有限公司_202480061056.X
    本发明涉及一种用于改善硅太阳能电池接触栅欧姆接触特性的方法，其中首先提供带有接触栅的硅太阳能电池，其中接触栅与电压源的其中一极电连接的第一接触装置(4)接触，并用电压源施加与硅太阳能电池正向相反且小于硅太阳能电池击穿电压的电压，在施加该电压...
    2026-04-29
  • 在BCD制程中产生埋置p-n接面的方法、BCD衬底和以此为基础的单光子雪崩二极管
    在BCD制程中产生埋置p-n接面的方法、BCD衬底和以此为基础的单光子雪崩二极管_艾尔默斯半导体欧洲股份公司_202480060641.8
    本发明涉及一种在BCD制程中产生埋置p‑n接面的方法、一种具有埋置p‑n接面的BCD衬底和一种以此为基础的单光子雪崩二极管(英文为“single‑photon avalanche diode, SPAD”)，特别是一种借助在载体衬底与生长于...
    2026-04-29
  • 用于引起布局相关阈值电压偏移的器件结构
    用于引起布局相关阈值电压偏移的器件结构_苹果公司_202480061157.7
    用于集成电路器件的器件布局，该集成电路器件包括由与有源栅极相邻的替代功函数金属的放置引起的阈值电压偏移。器件布局包括用于器件中的有源区的单个外延，其中在布局中的有源区行之间具有公共源极/漏极区。在一行或多行有源区上方的金属栅极区段可在布局的...
    2026-04-29
  • 用于纳米片器件的虚设单元设计
    用于纳米片器件的虚设单元设计_苹果公司_202480059836.0
    公开了实现纳米片鳍晶体管的各种集成电路晶体管器件结构。用于晶体管器件结构的布局包括有源单元，其中虚设单元定位在有源单元之间。有源单元和虚设单元可以包括具有不同宽度的纳米片鳍区。在某些实例中，不同纳米片鳍区宽度之间的过渡(例如，宽度上的突变)...
    2026-04-29
  • 层叠体、晶体管、层叠体的制造方法及晶体管的制造方法
    层叠体、晶体管、层叠体的制造方法及晶体管的制造方法_株式会社尼康_202480060670.4
    一种层叠体，依次包括基板、胺产生层、铜配线层及铜配线保护层。
    2026-04-29
  • 碳化硅功率MOSFET及其制造方法
    碳化硅功率MOSFET及其制造方法_微芯片技术股份有限公司_202480060196.5
    提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括在碳化硅衬底的表面上植入富硅层，以及在碳化硅衬底的表面上的富硅层上生长栅极氧化物层。
    2026-04-29
  • 用于最小化亚阈值驼峰效应的横向扩展的晶体管结构
    用于最小化亚阈值驼峰效应的横向扩展的晶体管结构_思睿逻辑国际半导体有限公司_202480062041.5
    半导体结构可以包括衬底、形成在衬底上的有源区、沿平行于衬底的表面的第一方向在有源区上延伸的栅极区，以及在平行于表面且垂直于第一方向的第二方向上在有源区内并且与栅极区相邻形成的源极区。源极区可以包括第一子区域和第二子区域，使得第二子区域在第一...
    2026-04-29
  • 碳化硅半导体装置
    碳化硅半导体装置_富士电机株式会社_202580004798.3
    碳化硅半导体装置(10)具备第一导电型的碳化硅半导体基板(11)、第一导电型的第一半导体层(12)、重复交替地配置有第一导电型的第一柱区(25)和第二导电型的第二柱区(24)的并列pn区(26)、第二导电型的第二半导体层(13)、第一导电型...
    2026-04-29
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