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最新专利技术
  • 电子设备
    电子设备_京瓷办公信息系统株式会社_202511587284.3
    电子设备(1)具备：存储装置(25)，其内置有非易失性存储器，控制器(21)，其能够将该电子设备(1)的供电模式设定为维持向存储装置(25)的供电的睡眠模式；而且，控制器(21)在将供电模式变更为睡眠模式时，向存储装置(25)发送关机通知命...
    2026-05-10
  • 一种SSD低功耗控制方法、设备及介质
    一种SSD低功耗控制方法、设备及介质_东莞记忆存储科技有限公司_202610087470.9
    本发明公开一种SSD低功耗控制方法、设备及介质，涉及SSD技术领域，包括：系统级芯片通过预设的通用输入输出引脚接收到来自主机的有效下电通知信号；响应于有效下电通知信号，系统级芯片将缓存中的数据写入固态硬盘的非易失性存储介质；之后，系统级芯片...
    2026-05-10
  • 用于OTP存储器的多电压供给系统
    用于OTP存储器的多电压供给系统_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202610110980.3
    本发明公开了一种用于OTP存储器的多电压供给系统，包括带隙基准单元、第一缓冲器、第二缓冲器、保护电压生成单元、烧写电压生成单元、读写电压生成单元和逻辑单元；保护电压生成单元用于通过电荷泵生成保护电压；烧写电压生成单元用于通过电荷泵生成烧写电...
    2026-05-10
  • 低纹波电荷泵电路
    低纹波电荷泵电路_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202610111048.2
    本发明公开了一种低纹波电荷泵电路，包括非交叠时钟电路，用于根据外部时钟信号产生非交叠的第一时钟信号和第二时钟信号；以及电荷泵主体电路，用于根据第一时钟信号和第二时钟信号将输入电压升压形成电荷泵输出电压和动态衬底偏置偏置电压。本发明中，采用非...
    2026-05-10
  • 一种数据写入方法及相关装置
    一种数据写入方法及相关装置_青岛巨商汇网络科技有限公司_202512040071.5
    本申请公开了一种数据写入方法及相关装置，涉及分布式控制领域，通过对目标设备的监测温度和供电电压的监测评估。在当前数据写入环境处于不利于进行数据写入状态时，将待写入数据包拆分为和当前的环境相适应目标数量的数据段，以更小的数据段进行写入降低了单...
    2026-05-10
  • 现场可编程存储器阵列、写入方法及读取方法
    现场可编程存储器阵列、写入方法及读取方法_芯立嘉集成电路(上海)有限公司_202610178733.7
    本发明提供一种现场可编程存储器阵列、写入方法及读取方法，现场可编程存储器阵列包括一单一可读及可写存储器阵列、一定址电路及一存取电路。可读及可写存储器阵列包含2i行及2j列的m个存储器单元以执行数字电路功能，并具有多个数字输入及多个数字输出的...
    2026-05-10
  • 存储装置
    存储装置_爱思开海力士有限公司_202510602044.X
    本公开涉及一种存储装置。存储装置包括跨域电路，该跨域电路包括多个第一触发器和多个第二触发器，多个第一触发器基于内部时钟操作，多个第二触发器基于数据时钟操作，多个第一触发器通过系统域复位信号而初始化，多个第二触发器通过数据域复位信号而初始化。
    2026-05-10
  • 冗余控制电路、存储器、冗余控制方法和电子设备
    冗余控制电路、存储器、冗余控制方法和电子设备_北京超弦存储器研究院_202411572550.0
    本公开实施例提供了一种冗余控制电路、存储器、冗余控制方法和电子设备，该冗余控制电路包括：地址比较电路，被配置为接收输入地址，并将输入地址中由高到低的M位信号与熔丝地址中由高到低的M位信号按位进行比较，得到M个比较信号；其中，M个比较信号中的...
    2026-05-10
  • 存储装置和提供每客户端可访问的寄存器的地址页的方法
    存储装置和提供每客户端可访问的寄存器的地址页的方法_爱思开海力士有限公司_202511615961.8
    公开了存储装置和提供每客户端可访问的寄存器的地址页的方法。一种存储装置可以包括存储单元阵列、寄存器组和逻辑控制器。寄存器组可以包括：多个寄存器，多个寄存器配置为存储用于对存储单元阵列进行多种操作的设定值；以及特定寄存器，特定寄存器包括从多个...
    2026-05-10
  • 磁存储器件
    磁存储器件_三星电子株式会社_202511378823.2
    一种磁存储器件，包括：单元阵列，包括：存储单元，包括第一磁隧道结元件；以及一次性可编程(OTP)单元，包括第二磁隧道结元件；以及控制电路，被配置为通过向OTP单元施加写入电流来对OTP单元执行读取操作，并且确定在向OTP单元施加写入电流后O...
    2026-05-10
  • 磁存储单元的写入/读取方法、外围装置及磁性存储阵列
    磁存储单元的写入/读取方法、外围装置及磁性存储阵列_中电海康集团有限公司_202610047995.X
    磁存储单元的写入/读取方法、外围装置及磁性存储阵列。本发明提供一种磁存储单元的写入方法，包括：获取当前写入数据的目标地址与磁性存储单元类型的对应关系，并依据对应关系确定目标写入结果；其中，存储单元类型包括第一类型和第二类型，对应位置的第一类...
    2026-05-10
  • 基于计数器的DDR低功耗的高效控制方法
    基于计数器的DDR低功耗的高效控制方法_中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院_202411592977.7
    本发明提供一种基于计数器的DDR低功耗的高效控制方法，方法应用于基于计数器的DDR低功耗的高效控制系统中的低功耗控制模块；方法包括：低功耗控制模块根据是否进入低功耗状态的第一控制信号、DDR接口电路的读写状态和计数器使能信号确定第二控制信号...
    2026-05-10
  • 可发光伺服器专用的暂存器主存储器模块
    可发光伺服器专用的暂存器主存储器模块_全何科技股份有限公司_202411674543.1
    一种可发光伺服器专用的暂存器主存储器模块，包括一印刷电路板、多个动态随机存取存储器、一暂存时脉驱动器以及至少一发光二极管。该等动态随机存取存储器设置于印刷电路板上。暂存时脉驱动器设置于印刷电路板上。至少一发光二极管设置于印刷电路板上。由此，...
    2026-05-10
  • 一种流水线电路和存储器
    一种流水线电路和存储器_北京超弦存储器研究院_202411595381.2
    本公开涉及集成电路领域，公开了一种流水线电路和存储器。流水线电路包括：流水线模块和延时控制模块。流水线模块，被配置为在读取或写入过程中，对数据和/或命令地址信号进行流水线处理。延时控制模块，被配置为控制读取延时或写入延时。
    2026-05-10
  • 包括存储器电路的电子设备
    包括存储器电路的电子设备_意法半导体国际公司_202511601580.4
    本公开涉及包括多个存储器单元的存储器设备，多个存储器单元被布置成具有字线和位线的阵列。每个单元包括由相变材料制成的存储器元件和通过其第一导电节点连接的两个晶体管，这两个晶体管本身连接到该元件的第一端子。位线的元件通过其第二端子连接。字线的两...
    2026-05-10
  • 面向多值存储的2T0C DRAM读写方法和系统
    面向多值存储的2T0C DRAM读写方法和系统_中国科学院微电子研究所_202610084829.7
    本发明公开面向多值存储的2T0C DRAM读写方法和系统，涉及多值存储技术领域，方法包括：采用多值电流源，向2T0C DRAM存储阵列中所有需写入同一待写入数据的目标存储单元输送与待写入数据匹配的预设写入电流；目标存储单元中的写入晶体管和读...
    2026-05-10
  • 存储器装置
    存储器装置_三星电子株式会社_202510831955.X
    一种存储器装置包括：第一存储器单元阵列，所述第一存储器单元阵列包括多条位线；第二存储器单元阵列，所述第二存储器单元阵列包括与所述多条位线相对应的多条互补位线，并且在第一方向上与所述第一存储器单元阵列相邻布置；以及第一位线读出放大器阵列，所述...
    2026-05-10
  • 存储器装置及存储器系统
    存储器装置及存储器系统_旺宏电子股份有限公司_202510347684.0
    本发明提供一种存储器装置及存储器系统。存储器装置包含存储器字串。存储器字串包含第一及第二字串部分。第一字串部分储存储存过滤位元，并比较输入过滤位元与储存过滤位元。第二字串部分储存储存计算位元，并比较输入计算位元与储存计算位元，其中当输入过滤...
    2026-05-10
  • 一种面向低温真三值逻辑存内计算的高密度4T1C eDRAM宏结构
    一种面向低温真三值逻辑存内计算的高密度4T1C eDRAM宏结构_上海科技大学_202610025410.4
    本发明涉及一种面向低温真三值逻辑存内计算的高密度4T1C eDRAM宏结构，属于存储器与计算架构集成技术领域，其包括：参考电压生成模块，提供三值判决所需的两个关键参考电平；行译码器，选中目标存储单元；低温三值写驱动模块，将三值电压传输至选中...
    2026-05-10
  • 静态存储器及其制造方法
    静态存储器及其制造方法_上海光通信有限公司_202411580648.0
    本申请提供一种静态存储器及其制造方法，包括第一反相器、第一控制晶体管和第二控制晶体管，第一反相器的输入端作为存储节点；第一控制晶体管和第二控制晶体管位于第一有源区且沿第二方向排布，第一反相器位于第三有源区，第一有源区和第三有源区沿第一方向排...
    2026-05-10
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