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  • 本发明公开了一种基于冲击电离半导体器件的紧凑型Marx发生器,涉及脉冲功率技术和功率半导体器件交叉技术领域。包括:N级依次级联的子Marx发生器,每个子Marx发生器均包括一个冲击电离半导体器件、第一充电隔离元件、第二充电隔离元件、储能单元...
  • 本发明涉及电力电子技术领域,涉及一种多脉冲励磁发生电路及控制方法。其充电模块,用于将交流电压转换为直流电压;储能电容,设置多个不同容值;与各储能电容对应设置的开关器件,用于控制各储能电容是否接入总储能电路;控制模块,用于控制各开关器件的通断...
  • 本发明公开一种基于分时复用的电磁脉冲双路输出控制方法、设备及介质,方法包括:S1、获取第一输出通路和第二输出通路的脉冲输出参数;脉冲输出参数至少包括脉冲输出频率;S2、分别根据第一输出通路和第二输出通路的脉冲输出频率,计算其对应的脉冲周期;...
  • 本发明提供一种应用于占空比监测电路的比较器快速校准电路及方法,该电路包括:低通滤波模块、选择模块和比较模块;低通滤波模块的输出端与选择模块的输入端连接;选择模块的输出端与比较模块的输入端连接;输入时钟信号通过低通滤波模块进入选择模块,选择模...
  • 提供了执行比较器偏移校准的比较电路和操作比较电路的方法。比较电路包括比较器和复用器。比较器包括至少一个晶体管,并且基于第一输入信号、第二输入信号和操作时钟信号来生成第一输出信号。复用器在正常模式下基于控制信号来输出第一时钟信号作为操作时钟信...
  • 本申请提出了一种抖频时钟信号的生成方法及装置,涉及电子技术领域。该方法包括:获取包括抖频中心频率、抖频模式及抖频宽度的目标抖频参数;根据目标抖频参数,确定调制信号和源时钟信号,调制信号的幅值随时间变化,且其幅值变化范围被配置为使一阶Σ‑Δ调...
  • 一种模拟信号转PWM信号的电路,属于信号变送应用技术领域。包括精密锯齿波发生电路以及信号比较电路,所述的精密锯齿波发生电路提供波形幅度精准确定的锯齿波信号,所述的信号比较电路将该锯齿波信号与模拟输入电压信号进行比较,并产生占空比与模拟电压信...
  • 本发明提供基于扫频宽度自适应调节与电感匹配切换的多频控制方法,通过采集并标准化多通道可调电容的充放电时间常数数据,构建三维查表库,结合实时端电压、斜率及环境数据生成多维状态输入,驱动嵌入式预测器输出精准电平翻转控制序列;采用闭环校验和自适应...
  • 本申请提供一种高边NMOS驱动电路、芯片以及电子设备,涉及电源管理芯片技术领域,该电路包括系统时钟电路、本地时钟电路、脉冲信号产生电路、多路复用电路、电荷泵电路及高边NMOS晶体管;系统时钟电路产生系统时钟信号;脉冲信号产生电路根据驱动使能...
  • 本申请提供一种开关系统及电气设备,涉及开关电器技术领域。开关系统包括:第一子开关系统;第一子开关系统包括:开关单元及电流抑制单元;开关单元与电流抑制单元串联;开关单元的一端连接电源正极,开关单元的另一端连接电流抑制单元;电流抑制单元的另一端...
  • 本申请提供一种开关系统及电气设备,涉及开关电器技术领域。开关系统包括:第一开关单元;第一开关单元的一端用于连接电源正极;第一开关单元的另一端用于连接负载;第一开关单元包括:开关模块以及电流抑制模块;开关模块包括:半导体开关以及故障处理支路;...
  • 本申请提供一种开关系统及电气设备,所述开关系统包括:半导体开关单元以及电流抑制单元;所述半导体开关单元的第一端连接至电源正极,所述半导体开关单元的第二端与所述电流抑制单元的第一端连接,所述半导体开关单元的第三端与所述电流抑制单元的第二端连接...
  • 本发明提供一种超越元件耐压条件的开关电路,包括一偏压电路、至少一第一晶体管、多个第二晶体管及一第三晶体管。偏压电路包括彼此串联的多个偏压元件并耦接至一电压源,以经由这些偏压元件形成多个压降节点。这些第二晶体管彼此串联并耦接至电压源,且一对一...
  • 本发明公开了一种上电复位电路及芯片,上电复位电路包括参考电压模块、比较模块和逻辑运算模块。其中,参考电压模块用于基于电源电压产生参考电压,以及表征参考电压是否已经产生的表征信号。比较模块用于对参考电压和电源电压进行比较产生比较信号。逻辑运算...
  • 本发明公开了一种智能门锁复位电路及智能门锁,基于微分脉冲触发的单管复用型复位架构。利用RC微分电路,用于直接耦合USB插入时的电压阶跃信号,驱动单一三极管瞬时导通。该三极管的集电极采用复用设计:一方面连接LDO稳压器的使能端,在导通时强制关...
  • 本发明提供一种混和驱动式电子装置,包含电子单元、集成电路、第一晶体管及第二晶体管。集成电路用以提供控制信号。第一晶体管具有第一半导体、第一端、第二端以及第一控制端,其中第一端电连接至电源,第二端电连接至电子单元。第二晶体管具有第二半导体、第...
  • 本发明属于模拟集成电路计算领域,具体涉及一种应用于流水线逐次逼近型ADC的栅压自举开关电路,所述的栅压自举开关电路工作模式分为采样和保持两个状态,分别由CLK和CLKB两个非交叠时钟控制;当CLK为高电平,CLKB为低电平时,栅压自举开关处...
  • 本发明公开了一种IGBT模块的驱动及保护电路,属于工程技术领域。该电路包括:光耦驱动芯片U1,用于接收并隔离外部驱动信号;推挽电路,与所述光耦驱动芯片U1的输出端连接,用于驱动IGBT的栅极;保护电路模块,分别与所述光耦驱动芯片U1、所述推...
  • 一种非接触式双余度位置开关的磁敏元件结构,包括线圈一、隔磁片、线圈二和磁罐,所述磁罐上设有凹槽和椭圆形槽,所述线圈一和线圈二安装在磁罐的凹槽内,所述隔磁片安装在椭圆形槽内,隔磁片端面与磁罐端面齐平,所述隔磁片位于线圈一和线圈二之间,通过设置...
  • 本发明涉及触摸按键技术领域,本发明公开一种自适应电容式触摸按键系统及自适应调节方法。系统包括基准电容、触摸电容、忆阻器、辅助放电电阻、第一开关、第二开关、第三开关以及微控制器。通过微控制器控制各开关状态和各元件可实现自适应调节模式与触摸检测...
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