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最新专利技术
  • 一种加热器装置
    一种加热器装置_内蒙古鼎泰万邦新材料有限公司_202610132004.8
    本发明的目的在于公开一种加热器装置，包括一加热器主体，和与加热器主体相连接，起到支撑作用并与电极连接导电的至少两个脚板，脚板的上端与加热器主体固定连接，脚板的下端连接电极并固定；加热器主体与脚板的连接处通过一旋转啮合锁止机构连接固定，旋转啮...
    2026-05-08
  • 一种单晶炉硅液引流收集装置
    一种单晶炉硅液引流收集装置_北京北方华创真空技术有限公司_202411541262.9
    本申请涉及单晶炉硅液溢流保护的领域，尤其是涉及一种单晶炉硅液引流收集装置，其包括保温引流层，所述保温引流层设于所述单晶炉底壁；引流槽，所述引流槽贯穿所述保温引流层，所述引流槽的一端与所述单晶炉内部连通，另一端与所述预留孔相连通；硅液储槽，所...
    2026-05-08
  • 多晶金刚石的制备工艺及制得的多晶金刚石
    多晶金刚石的制备工艺及制得的多晶金刚石_成都沃特塞恩电子技术有限公司_202610069206.2
    一种多晶金刚石的制备工艺及制得的多晶金刚石，属于多晶金刚石制备技术领域。多晶生长阶段的工作腔内的压强为130~170torr，微波功率为8~9kw；多晶生长阶段通入的气体包括氢气、甲烷、氧气和氮气，其中，氢气流量为300~500sccm，氧...
    2026-05-08
  • 一种高平坦度优化的外延片制备方法及系统
    一种高平坦度优化的外延片制备方法及系统_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202610286336.1
    本发明公开了一种高平坦度优化的外延片制备方法及系统，属于外延片生产控制技术领域，该方法包括：基于基底表面能分布数据和基底翘曲度分布数据，结合外延生长工艺参数，利用成核动力学模型分析得到初始表面粗糙度预测值；基于历史生产数据确定目标基底的设备...
    2026-05-08
  • 在外延反应器中原位扫描衬底温度的装置和系统
    在外延反应器中原位扫描衬底温度的装置和系统_LPE公司_202511527498.1
    一种用于测量反应器中的衬底温度的温度监测系统，包括：(i)适于在衬底的沉积表面上沉积膜的反应室；(ii)温度监测装置，其包括光学装置、遥感温度计和支撑装置。遥感温度计包括适于温度测量的至少一个IR辐射检测器。反应室设置有至少一个孔；至少一个...
    2026-05-08
  • 一种N型半导体金刚石材料的制备方法
    一种N型半导体金刚石材料的制备方法_湖南良诚新材料科技有限公司_202511873700.6
    本发明涉及金刚石材料技术领域，具体为一种N型半导体金刚石材料的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一金刚石衬底，并对其进行表面清洗和氢等离子体活化预处理；S2：将预处理后的金刚石衬底置于化学气相沉积设备的反应腔室中；S3：向所述反应腔室内通入...
    2026-05-08
  • 上穹顶、工艺腔室和外延设备
    上穹顶、工艺腔室和外延设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202610389394.7
    本申请提供一种上穹顶、工艺腔室和外延设备。上穹顶包括窗口部和边缘部；所述窗口部包括第一表面，所述第一表面用于朝向承载台；所述边缘部环绕连接于所述窗口部的外边缘，所述边缘部包括底面和内表面，所述底面背向所述窗口部，所述内表面连接于所述第一表面...
    2026-05-08
  • 一种低应力MOCVD石墨基座及沉积设备
    一种低应力MOCVD石墨基座及沉积设备_湖南铠欣新材料科技有限公司_202511985728.9
    本发明属于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备技术领域，具体涉及一种低应力MOCVD石墨基座及沉积设备。所述石墨基座包括基座主体，所述基座主体在其外圆区域设置有至少一个应力释放槽。所述应力释放槽可设置于基座主体的工作面和/或外圆侧面，通...
    2026-05-08
  • 外延设备及其传片方法
    外延设备及其传片方法_研微(江苏)半导体科技有限公司_202610410501.X
    本发明提供了一种外延设备及其传片方法，其中外延设备包括：装载锁定室与传输腔室之间连接有第一阀门组件，传输腔室与工艺腔室之间连接有第二阀门组件，装载锁定室分别连接有第一进气通道和第一出气通道，传输腔室分别连接有第二进气通道和第二出气通道，第一...
    2026-05-08
  • 一种CVD金刚石生长过程的原位激光修正装置及方法
    一种CVD金刚石生长过程的原位激光修正装置及方法_杭州银湖激光科技有限公司_202610159462.0
    本申请公开了一种CVD金刚石生长过程的原位激光修正装置及方法，包括CVD反应腔室、原位监控系统、激光修正系统以及中央处理单元；原位监控系统用于对CVD反应腔室内生长中的CVD金刚石表面进行实时在线的监控；激光修正系统用于产生修正激光光束，进...
    2026-05-08
  • 一种氧化锌晶须及其制备方法
    一种氧化锌晶须及其制备方法_南方科技大学_202511888823.7
    本发明公开了一种氧化锌晶须及其制备方法，包括：提供包含氧化锌和碳黑的前驱体混合物；在真空环境中，将所述前驱体混合物加热至第一温度区以生成锌蒸气；将所述锌蒸气输运至第二温度区，所述第二温度区温度低于所述第一温度区温度；分阶段引入氧气，先以第一...
    2026-05-08
  • 基座的旋转驱动装置和半导体工艺设备
    基座的旋转驱动装置和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411533854.6
    本申请公开一种基座的旋转驱动装置和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域，基座的旋转驱动装置包括驱动轴、连接块和激光加热器，其中，所述驱动轴设有相互连通的容纳腔和开口，所述连接块的第一表面对应于所述开口设置，所述连接块的第二表面与所述嵌槽固...
    2026-05-08
  • 一种低碳包裹体低应力碳化硅单晶生长用坩埚结构及生长方法
    一种低碳包裹体低应力碳化硅单晶生长用坩埚结构及生长方法_山东大学_202511979165.2
    本发明涉及一种低碳包裹体低应力碳化硅单晶生长用坩埚结构及生长方法，坩埚的内部上方从上自下依次设置有籽晶托、TaC隔离环和导流过滤组件，所述导流过滤组件自下而上由多层TaC微孔环、TaC微孔板和TaC导流筒组成；所述多层TaC微孔环包括至少两...
    2026-05-08
  • 一种高压惰性气氛导模法晶体生长方法
    一种高压惰性气氛导模法晶体生长方法_北京中材人工晶体研究院有限公司_202610191593.7
    本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种采用高压惰性气氛导模法晶体生长方法，将晶体原料和掺杂剂在6‑10MPa惰性气体下熔化，经提拉法生长晶体，生长时采用分阶段动态压力调控，依次经历颈部(6‑8MPa)、放肩(线性降至4‑6MPa)、等径(...
    2026-05-08
  • 一种宽籽晶导模法生长蓝宝石晶体的方法
    一种宽籽晶导模法生长蓝宝石晶体的方法_北京中材人工晶体研究院有限公司_202610191499.1
    本发明属于晶体材料制备技术领域，具体涉及一种宽籽晶导模法生长蓝宝石晶体的方法，首先通过多步烧结制备Al2O3基原料，并对R/M面籽晶进行酸蚀微结构化处理，装炉时，在坩埚上方设置阵列式供料缝模具，并经三次真空置换，通过三区独立控温建立梯度温场...
    2026-05-08
  • 单晶炉及拉晶方法
    单晶炉及拉晶方法_青海晶科能源有限公司_202610162339.4
    本申请实施例涉及单晶硅材料制备技术领域，提供一种单晶炉及拉晶方法，单晶炉包括：炉体副室，具有测温接口；测温装置，测温装置的第一端具有测温部，测温装置的第一端从籽晶的夹持端伸入籽晶的贯穿孔内并由籽晶的生长端伸出，测温装置的第二端通过信号线与测...
    2026-05-08
  • 一种降低孪晶缺陷的硅单晶生长方法及硅单晶和应用
    一种降低孪晶缺陷的硅单晶生长方法及硅单晶和应用_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610115982.1
    本发明提供一种降低孪晶缺陷的硅单晶生长方法及硅单晶和应用。该硅单晶生长方法包括以下步骤：在硅单晶样本的等径生长过程中，通过拉速和硅单晶直径的变化，确定硅熔体液面温度的高低温转折点，并记录对应的硅单晶等径长度，作为温度拐点等径长度；以温度拐点...
    2026-05-08
  • 单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉
    单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511905877.X
    本公开提供了一种单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉，该方法包括：在单晶硅棒生长过程中，实时获取单晶硅棒的直径信息；根据导流构件的几何参数和直径信息，获取熔体表面的有效气体扫掠面积；获取当前供应至单晶炉内的工艺气体的体积流量；基于体...
    2026-05-08
  • 一种氧化镓晶体生长装置
    一种氧化镓晶体生长装置_先导原创(上海)新技术研究有限公司_202411516265.7
    本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种氧化镓晶体生长装置，包括：保温筒，所述保温筒包括一筒腔；坩埚，所述筒腔底部容置所述坩埚，所述坩埚用于盛放氧化镓原料粉末；提拉组件，所述提拉组件被配置为可伸入所述筒腔且被用于提拉氧化镓晶体；反射屏组件，所...
    2026-05-08
  • 单晶炉用防止硅液泄漏的炉底防护组件及单晶炉
    单晶炉用防止硅液泄漏的炉底防护组件及单晶炉_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202610411314.3
    该发明提供一种单晶炉用防止硅液泄漏的炉底防护组件，包括隔离托盘、隔热垫及密封轴套，隔离托盘为端口朝上敞开的盆体结构，在隔离托盘的中心处开设有供坩埚轴穿过的轴孔，隔离托盘套设于所述坩埚轴外侧，并设置于所述炉底盘的上方，隔离托盘用于承接石英坩埚...
    2026-05-08
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